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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | IRFS7530-7PPBF | - | ![]() | 9100 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565236 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 354 NC @ 10 v | ± 20V | 12960 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||||||||
![]() | BLF878,112 | - | ![]() | 7290 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 89 v | 섀시 섀시 | SOT-979A | 860MHz | LDMOS | CDFM2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 60 | 이중, 소스 일반적인 | - | 1.4 a | 300W | 21db | - | 40 v | ||||||||||||||||
![]() | IPB80N04S3-04 | 1.4200 | ![]() | 225 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 225 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 4.1mohm @ 80a, 10V | 4V @ 90µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 5200 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||||||||||
![]() | EPC2024 | 7.7000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 500 | n 채널 | 40 v | 90A (TA) | 5V | 1.5mohm @ 37a, 5V | 2.5V @ 19ma | +6V, -4V | 2100 pf @ 20 v | - | - | ||||||||||||
![]() | FDD16AN08A0_NF054 | 1.0000 | ![]() | 3965 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 75 v | 9A (TA), 50A (TC) | 6V, 10V | 16mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 1874 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FDFS6N548 | - | ![]() | 3537 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDFS6 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.6W (TA) | |||||||||||
![]() | fdn304p | - | ![]() | 6522 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 20 v | 2.4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 52mohm @ 2.4a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 20 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1312 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMP22D6UT-7 | 0.5200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | DMP22 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 430MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.1ohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 8V | 175 pf @ 16 v | - | 150MW (TA) | ||||||||||||
![]() | FQA16N50-F109 | - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA16 | MOSFET (금속 (() | to-3p | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 16A (TC) | 10V | 320mohm @ 8a, 10V | 5V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 30V | 3000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||
![]() | YJS4438A | 0.1510 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJS4438AT | 귀 99 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1108/L, 215 | - | ![]() | 7749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 3 v | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BF110 | - | MOSFET | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934061588215 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | n 채널 | 10MA | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | MRF5P21180HR5 | - | ![]() | 1093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-1230 | MRF5 | 2.16GHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6 a | 38W | 14db | - | 28 v | |||||||||||||||
![]() | blp10h6120py | - | ![]() | 6694 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 110 v | SOT-1223-2 | BLP10 | 1GHz | LDMOS | 4-HSOPF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 934960006518 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 1.4µA | 80 MA | 120W | 18db | - | 50 v | ||||||||||||||||
MRF6S19100HR5 | - | ![]() | 5076 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | SOT-957A | MRF6 | 1.99GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 MA | 22W | 16.1db | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | PMPB13XNE, 115 | 0.1100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xfdfn 노출 패드 | PMPB13 | MOSFET (금속 (() | DFN1010B-6 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,876 | n 채널 | 30 v | 8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 16mohm @ 8a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2195 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||
![]() | PSMB050N10NS2_R2_00601 | 2.5300 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | PSMB050N10 | MOSFET (금속 (() | TO-263 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 120A (TJ) | 6V, 10V | 5mohm @ 50a, 10V | 3.8V @ 270µA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 3910 pf @ 50 v | - | 138W (TC) | |||||||||||
![]() | 2N7002DWKX-7 | - | ![]() | 7686 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 2N7002 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N7002DWKX-7DI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2512-AZ | 2.4800 | ![]() | 927 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD16322Q5 | 1.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD16322 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 21A (TA), 97A (TC) | 3V, 8V | 5MOHM @ 20A, 8V | 1.4V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 1365 pf @ 12.5 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
![]() | CSD17313Q2Q1 | 0.7600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 자동차, AEC-Q100, NEXFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD17313 | MOSFET (금속 (() | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5A (TC) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8v | 1.8V @ 250µA | 2.7 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 340 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA) | |||||||||||
![]() | AFT26HW050SR3 | 80.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-780-4S4 | 2.496GHz ~ 2.69GHz | LDMOS | NI-780-4S4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 250 | 이중 | 10µA | 100 MA | 9W | 14.2db | - | 28 v | |||||||||||||||
![]() | NDF06N60ZH | 0.4200 | ![]() | 6855 | 0.00000000 | Sanyo | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 3 팩 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6A (TJ) | 1.2ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 100µa | 31 NC @ 10 v | ± 30V | 923 pf @ 25 v | - | 31W (TC) | |||||||||||||||
![]() | RF5L051K5CB4 | 187.5000 | ![]() | 8349 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | D4E | RF5L051K5 | 500MHz | LDMOS | D4E | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L051K5CB4 | 100 | - | 1µA | 200 MA | 1500W | 22db | - | 50 v | ||||||||||||||||
![]() | CPH3327-TL-E | 1.0000 | ![]() | 3546 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | MOSFET (금속 (() | 3-cph | - | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 600MA (TA) | 1.45ohm @ 300ma, 10V | - | 7 nc @ 10 v | 245 pf @ 20 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | si4420dy | - | ![]() | 1141 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI442 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SI4420DYFS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 12.5A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.5a, 10V | 1V @ 250µA | 53 NC @ 5 v | ± 20V | 2180 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||
![]() | NTD32N06-1g | - | ![]() | 7897 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD32 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 32A (TA) | 10V | 26mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1725 pf @ 25 v | - | 1.5W (TA), 93.75W (TJ) | ||||||||||||
![]() | SUD50P06-15L-T4-E3 | 1.4803 | ![]() | 9068 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 17a, 10V | 3V @ 250µA | 165 NC @ 10 v | ± 20V | 4950 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||||||||||
![]() | 2SK3484 (0) -z-e1-az | - | ![]() | 5247 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 16A (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC3541-TP | 0.0213 | ![]() | 5072 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOT-723 | MC3541 | MOSFET (금속 (() | SOT-723 | 다운로드 | 353-MC3541-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 100ma | 2.5V, 4V | 8ohm @ 10ma, 4v | 1.5V @ 100µa | ± 20V | 13 pf @ 5 v | - | 150MW | ||||||||||||||
![]() | BUK7619-100B, 118 | - | ![]() | 6862 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buk76 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 64A (TC) | 10V | 19mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 3400 pf @ 25 v | - | 200W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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