SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated DMP21D0UT-7 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMP21 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 590MA (TA) 1.8V, 4.5V 495mohm @ 400ma, 4.5v 700mv @ 250µa (타이핑) 1.54 NC @ 8 v ± 8V 80 pf @ 10 v - 240MW (TA)
FQD9N25TF onsemi FQD9N25TF -
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD9 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 7.4A (TC) 10V 420mohm @ 3.7a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 55W (TC)
IXFD26N60Q-8XQ IXYS IXFD26N60Q-8XQ -
RFQ
 ECAD 2122 0.00000000 ixys - 대부분 쓸모없는 IXFD26N60Q - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
FQD6N40CTF onsemi fqd6n40ctf -
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 48W (TC)
IRFR9220TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9220TRPBF-BE3 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9220 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
TSM4N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CZ C0G -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM4N80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 3ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 955 pf @ 25 v - 38.7W (TC)
SP8J66TB1 Rohm Semiconductor SP8J66TB1 -
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J66 MOSFET (금속 (() - 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 9a - - - - -
IXFA12N65X2 IXYS IXFA12N65X2 4.3900
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA12 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 1134 pf @ 25 v - 180W (TC)
FDB8860-F085 onsemi FDB8860-F085 -
RFQ
 ECAD 6059 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB886 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 214 NC @ 10 v ± 20V 12585 pf @ 15 v - 254W (TC)
JAN2N6770 Microsemi Corporation JAN2N6770 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE MOSFET (금속 (() TO-204AE (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 500mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
SN7002WH6433XTMA1 Infineon Technologies SN7002WH6433XTMA1 0.0551
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 SN7002 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 4.5V, 10V ± 20V
APT6M100K Microsemi Corporation APT6M100K -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 [k] 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 6A (TC) 10V 2.5ohm @ 3a, 10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 v ± 30V 1410 pf @ 25 v - 225W (TC)
FDMS7606 Fairchild Semiconductor FDMS7606 0.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-powerwdfn FDMS76 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 11.5A, 12A 11.4mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 22NC @ 10V 1400pf @ 15V 논리 논리 게이트
2SK4099LS-1E onsemi 2SK4099LS-1E -
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK4099 MOSFET (금속 (() TO-220F-3FS - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.9A (TC) 10V 940mohm @ 4a, 10V - 29 NC @ 10 v ± 30V 750 pf @ 30 v - 2W (TA), 35W (TC)
SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA477EDJT-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA477 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12A (TC) 1.8V, 4.5V 13mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 8V 3050 pf @ 6 v - 19W (TC)
MVDF2C03HDR2G onsemi MVDF2C03HDR2G -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MVDF2 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 30V 4.1a, 3a 70mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 16NC @ 10V 630pf @ 24V 논리 논리 게이트
FCH104N60 Fairchild Semiconductor FCH104N60 1.0000
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH104 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 4165 pf @ 380 v - 357W (TC)
SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-GE3 1.7700
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6423 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8.2A (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 9.5a, 4.5v 800MV @ 400µA 110 NC @ 5 v ± 8V - 1.05W (TA)
NVMFS5C456NLWFT1G onsemi NVMFS5C456NLWFT1G -
RFQ
 ECAD 6161 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 87A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 55W (TC)
NTF5P03T3 onsemi NTF5P03T3 -
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NTF5P MOSFET (금속 (() SOT-223 (TO-261) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 3.7A (TA) 4.5V, 10V 38 NC @ 10 v ± 20V - 1.56W (TA)
MTA2N60E onsemi MTA2N60E 0.8800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
IXFK120N65X2 IXYS IXFK120N65X2 25.1000
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK120 MOSFET (금속 (() TO-264AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 120A (TC) 10V 24mohm @ 60a, 10V 5.5V @ 8mA 225 NC @ 10 v ± 30V 15500 pf @ 25 v - 1250W (TC)
IRFBG20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBG20PBF-BE3 1.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBG20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbg20pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 54W (TC)
BUK9614-60E118 NXP USA Inc. BUK9614-60E118 -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36TU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6L36 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 500MA (TA), 330MA (TA) 630mohm @ 200ma, 5v, 1.31ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4v, 1.2nc @ 4v 46pf @ 10v, 43pf @ 10v 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브
FQP2N80 Fairchild Semiconductor FQP2N80 0.7200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 800 v 2.4A (TC) 10V 6.3ohm @ 1.2a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 550 pf @ 25 v - 85W (TC)
FDMS6681Z onsemi FDMS6681Z -
RFQ
 ECAD 6341 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS6681 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 21.1A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 22.1a, 10V 3V @ 250µA 241 NC @ 10 v ± 25V 10380 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 73W (TC)
IXFX30N100Q2 IXYS IXFX30N100Q2 -
RFQ
 ECAD 3635 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX30 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 30A (TC) 10V 400mohm @ 15a, 10V 5V @ 8MA 186 NC @ 10 v ± 30V 8200 pf @ 25 v - 735W (TC)
IPB80N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPB80N03S4L02ATMA1 1.5551
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 90µA 140 NC @ 10 v ± 16V 9750 pf @ 25 v - 136W (TC)
NTMFS5C646NLT1G onsemi NTMFS5C646NLT1G 2.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 19A (TA) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 2164 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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