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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQA7N80_F109 | - |  | 2253 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA7 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 7.2A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 3.6a, 10V | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1850 pf @ 25 v | - | 198W (TC) | |||||||||||||
 | HAT2085T-EL-E | 1.2600 | | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FCPF650N80Z | - | | 9256 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Superfet® II | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF650 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 650mohm @ 4a, 10V | 4.5V @ 800µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1565 pf @ 100 v | - | 30.5W (TC) | |||||||||||||||
 | IPL60R255P6AUMA1 | - | | 7513 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | 2A (4 주) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 15.9A (TC) | 10V | 255mohm @ 6.4a, 10V | 4.5V @ 530µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1450 pf @ 100 v | - | 126W (TC) | |||||||||||||
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 | 2N6661 | 4.9500 | | 7 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | MOSFET (금속 (() | To-39 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2383-2N6661 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | n 채널 | 90 v | 900ma (TC) | 5V, 10V | 4mohm @ 1a, 10V | 2V @ 1mA | ± 40V | 50 pf @ 25 v | 6.25W (TC) | |||||||||||||||
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 | nthd3133pft1g | - | | 9721 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | nthd31 | MOSFET (금속 (() | Chipfet ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.2A (TJ) | 1.8V, 4.5V | 80mohm @ 3.2a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 7.4 NC @ 4.5 v | ± 8V | 680 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.1W (TA) | |||||||||||||
 | 2SJ601-ZK-E1-AZ | 1.7900 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (MP-3ZK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 36A (TC) | 4V, 10V | 31mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 1mA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 3300 pf @ 10 v | - | 1W (TA), 65W (TC) | |||||||||||||
 | BF998R, 215 | - | | 7525 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 12 v | 표면 표면 | SOT-143R | BF998 | 200MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 게이트 게이트 듀얼 | 30ma | 10 MA | - | - | 0.6dB | 8 v | |||||||||||||||
 | IRF7401PBF | - | | 4715 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 20 v | 8.7A (TA) | 2.7V, 4.5V | 22mohm @ 4.1a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 48 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1600 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
 | PMPB15XPZ | 0.1711 | | 7002 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB15 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934066615184 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 8.2a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 12V | 2875 pf @ 6 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||
 | A2T18H410-24SR6 | - | | 7044 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-1230-4LS2L | A2T18 | 1.81GHz | LDMOS | NI-1230-4LS2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935323767128 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 150 | 이중 | - | 800 MA | 71W | 17.4dB | - | 28 v | ||||||||||||||
| C4H2350N10X | 12.8957 | | 3345 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 v | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | C4H2350 | 2.3GHz ~ 5GHz | MOSFET | 6-DFN (7x6.5) | - | Rohs3 준수 | 1603-C4H2350N10XTR | 3,000 | n 채널 | 240µA | 15 MA | 10W | 19db | - | |||||||||||||||||||
| AONS32311 | 0.5191 | | 7252 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AONS323 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-aons32311tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 56A (TA), 220A (TC) | 4.5V, 10V | 1.35mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 6060 pf @ 15 v | - | 6.2W (TA), 119W (TC) | ||||||||||||
 | TSM60NC390CI C0G | 6.8200 | | 3 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | TSM60 | MOSFET (금속 (() | ITO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 390mohm @ 3.8a, 10V | 5V @ 1MA | 21.3 NC @ 10 v | ± 20V | 832 pf @ 25 v | - | 78W (TC) | ||||||||||||
| TSM4NB60CH | 0.9576 | | 6893 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | TSM4 | MOSFET (금속 (() | TO-251S (I-PAK SL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM4NB60CH | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,750 | n 채널 | 600 v | 4A (TC) | 10V | 2A, 2A, 10V 2.5ohm | 4.5V @ 250µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 30V | 500 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||
 | GA50JT17-247 | - | | 5672 | 0.00000000 | 유전자 유전자 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) | TO-247 | 다운로드 | 1 (무제한) | 1242-1247 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1700 v | 100A (TC) | - | 25mohm @ 50a | - | - | - | 583W (TC) | ||||||||||||||||
 | FCPF190N60-F152 | - | | 5550 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Superfet® II | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-FCPF190N60-F152 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 20.2A (TC) | 10V | 199MOHM @ 10A, 10V | 3.5V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 20V | 2950 pf @ 25 v | - | 39W (TC) | |||||||||||||
| IXTH120N20X4 | 10.4200 | | 3042 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH120 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTH120N20X4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 120A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 60a, 10V | 4.5V @ 250µA | 108 NC @ 10 v | ± 20V | 6100 pf @ 25 v | - | 417W (TC) | |||||||||||
| AOCA32116E | 0.2223 | | 3124 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | AOCA32116 | MOSFET (금속 (() | 1.7W (TA) | 4- 알파드프 (alphadfn) (1.2x1.2) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 6A (TA) | 36mohm @ 3a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 5.5NC @ 4.5V | - | - | ||||||||||||||
| RD3P01BATTL1 | 1.2400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3P01 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 10A (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 19.4 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 50 v | - | 25W (TA) | ||||||||||||||
 | AUIRF1324STRL7P | 2.2600 | | 401 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 24 v | 340A (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 7590 pf @ 24 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
 | Tk5R3E08QM, S1X | 1.5800 | | 98 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-MOSX-H | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 120A (TC) | 6V, 10V | 5.3mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 700µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 3980 pf @ 40 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||
 | es6u3t2cr | - | | 4984 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MOSFET (금속 (() | 6-wemt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 30 v | 1.4A (TA) | 4V, 10V | 240mohm @ 1.4a, 10V | 2.5V @ 1mA | 1.4 NC @ 5 v | ± 20V | 70 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 800MW (TA) | |||||||||||||
 | PSMN033-100HLX | 1.9000 | | 9394 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | PSMN033 | MOSFET (금속 (() | 64W (TA) | LFPAK56D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 26A (TA) | 31mohm @ 5a, 10V | 2.1v @ 1ma | 27.3NC @ 5V | 3168pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
| RSY500N04Fratl | - | | 3136 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | RSY500 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
 | IPA65R065C7XKSA1 | 10.2700 | | 442 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R065 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 65mohm @ 17.1a, 10V | 4V @ 850µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 3020 pf @ 400 v | - | 34W (TC) | ||||||||||||
 | CPH6339-TL-E | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | CPH6339 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPI072N10N3GXKSA1 | - | | 5070 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI072 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 6V, 10V | 7.2MOHM @ 80A, 10V | 3.5V @ 90µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 4910 pf @ 50 v | - | 150W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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