전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 빈도 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF75329D3S | 0.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 55 v | 20A (TC) | 10V | 26mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 65 NC @ 20 v | ± 20V | 1060 pf @ 25 v | - | 128W (TC) | ||||||||||
![]() | RJK0364DPA-00#J0 | 0.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-wpak (3) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 35A (TA) | 7.8mohm @ 17.5a, 10V | - | 10 nc @ 4.5 v | 1600 pf @ 10 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||
![]() | PMN50UPE, 115 | 1.0000 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.6A (TA) | 1.8V, 4.5V | 66mohm @ 3.6a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 15.7 NC @ 10 v | ± 8V | 24 pf @ 10 v | - | 510MW (TA) | ||||||||||
![]() | FQB9N08TM | 0.3100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 80 v | 9.3A (TC) | 10V | 210mohm @ 4.65a, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 NC @ 10 v | ± 25V | 250 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 40W (TC) | ||||||||||
![]() | 2SK3634-Z-E1-AZ | 1.0000 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (MP-3Z) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 6A (TC) | 600mohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 1mA | 9 NC @ 10 v | 270 pf @ 10 v | - | ||||||||||||||
![]() | fqn1n50cbu | - | ![]() | 8745 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,447 | n 채널 | 500 v | 380MA (TC) | 10V | 6ohm @ 190ma, 10V | 4V @ 250µA | 6.4 NC @ 10 v | ± 30V | 195 pf @ 25 v | - | 890MW (TA), 2.08W (TC) | ||||||||||
![]() | fqi4n25tu | 0.1900 | ![]() | 8002 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,175 | n 채널 | 250 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.8a, 10V | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 v | ± 30V | 200 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | ||||||||||
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![]() | RJK0379DPA-00#J5A | 1.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Wfdfn d 패드 패드 | MOSFET (금속 (() | 8-wpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TA) | 2.3mohm @ 25a, 10V | - | 37 NC @ 4.5 v | 5150 pf @ 10 v | - | 55W (TC) | ||||||||||||
![]() | FDP8443 | 1.2300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 40 v | 20A (TA), 80A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 185 NC @ 10 v | ± 20V | 9310 pf @ 25 v | - | 188W (TC) | ||||||||||
![]() | FQP5P20 | 1.0000 | ![]() | 1738 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 200 v | 4.8A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.4a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||
![]() | ISL9N302AS3ST | 2.0700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 15 v | - | 345W (TC) | ||||||||||
![]() | hufa76413d3s | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 49mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 16V | 645 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||||||||
![]() | FDU6676AS | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 90A (TA) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 16a, 10V | 3V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 2470 pf @ 15 v | - | 70W (TA) | ||||||||||
![]() | FQD5N40TM | 0.4400 | ![]() | 157 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 400 v | 3.4A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 1.7a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 460 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | ||||||||||
![]() | FQB6N60TM | 1.3600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 3.1a, 10V | 5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 1000 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 130W (TC) | ||||||||||
![]() | fqd5n50ctm | 0.5100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 625 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | ||||||||||
![]() | UPA2810T1L-E1-ay | 1.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 13A (TA) | 12MOHM @ 13A, 10V | 2.5V @ 1mA | 40 nc @ 10 v | 1860 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||
![]() | 2SK3814-AZ | 1.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 8.7mohm @ 30a, 10V | - | 95 NC @ 10 v | 5450 pf @ 10 v | - | 1W (TA), 84W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRFP460C | - | ![]() | 8134 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 20A (TC) | 10V | 240mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 30V | 6000 pf @ 25 v | - | 235W (TC) | ||||||||||
![]() | FQAF28N15 | 0.8000 | ![]() | 473 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 22A (TC) | 10V | 90mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 25V | 1600 pf @ 25 v | - | 102W (TC) | ||||||||||
![]() | HUFA76429D3S | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 16V | 1480 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||
![]() | FQP2P25 | - | ![]() | 3576 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 750 | p 채널 | 250 v | 2.3A (TC) | 10V | 4ohm @ 1.15a, 10V | 5V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 v | ± 30V | 250 pf @ 25 v | - | 52W (TC) | ||||||||||
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![]() | FQP16N15 | 0.6400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 150 v | 16.4A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.2a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 25V | 910 pf @ 25 v | - | 108W (TC) | ||||||||||
![]() | IRFS634B_FP001 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 4.05a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 1000 pf @ 25 v | - | 38W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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