SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
AOM033V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOM033V120X2 17.9071
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 AOM033 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOM033V120X2 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 1200 v 68A (TC) 15V 43mohm @ 20a, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 NC @ 15 v +15V, -5V 2908 pf @ 800 v - 300W (TA)
AOD780A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD780A70 0.6229
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD7 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOD780A70TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 7A (TC) 10V 780mohm @ 1.4a, 10V 4.1V @ 250µA 11.5 nc @ 10 v ± 20V 675 pf @ 100 v - 83W (TC)
AOD66919 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66919 0.6619
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD66 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aod66919tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 22A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 3420 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 156W (TC)
AOT2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2144L 1.0036
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT2144 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT2144LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 205A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 187W (TC)
AOB2140L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2140L 1.8278
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB21 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOB2140LTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 57A (TA), 195a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 9985 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 272W (TC)
AONS36304 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS36304 0.3032
RFQ
 ECAD 3625 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AONS363 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aons36304tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 37A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 1.9V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2430 pf @ 15 v - 6.2W (TA), 42W (TC)
AOK040A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK040A60 6.7519
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK040 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOK040A60 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 70A (TC) 10V 40mohm @ 25a, 10V 3.6V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 20V 9320 pf @ 100 v - 500W (TC)
AOT2146L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2146L 0.9409
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT2146 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT2146LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 42A (TA), 105A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3830 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 119W (TC)
AOTF2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2144L 1.1829
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF2144 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOTF2144LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 46A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 32W (TC)
AOK033V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK033V120X2 16.3538
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK033 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOK033V120X2 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 1200 v 68A (TC) 15V 43mohm @ 20a, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 NC @ 15 v +15V, -5V 2908 pf @ 800 v - 300W (TA)
AOY66920 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY66920 0.5595
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOY669 MOSFET (금속 (() TO-251B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOY66920 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 100 v 19.5A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 89W (TC)
BLS7G2729LS-350P,1 Ampleon USA Inc. BLS7G2729LS-350P, 1 716.0700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 SOT-539B BLS7G2729 2.7GHz ~ 2.9GHz LDMOS SOT539B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 - 200 MA 350W 13db - 32 v
IPA50R280E6 Infineon Technologies IPA50R280E6 0.9400
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 2156-IPA50R280E6 349
MW7IC930NR1 NXP Semiconductors MW7IC930NR1 59.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모없는 65 v 표면 표면 to-270-16 0, 플랫 리드 920MHz ~ 960MHz ldmos (() TO-270WB-16 - 2156-MW7IC930NR1 귀 99 8542.33.0001 6 2 n 채널 10µA 285 MA 3.2W 35.9dB - 28 v
2SJ179-T2-AZ Renesas 2SJ179-T2-AZ -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SJ179-T2-AZ 1
2SK3366-AZ Renesas 2SK3366-AZ -
RFQ
 ECAD 5372 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() MP-3 - 2156-2SK3366-az 1 n 채널 30 v 20A (TA) 10V 21mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 20V 730 pf @ 10 v - 1W (TA), 30W (TC)
2SK1591W-T1B-A Renesas 2SK1591W-T1B-A -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SK1591W-T1B-A 1
PMPB15XP/S500H Nexperia USA Inc. PMPB15XP/S500H 0.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 - 2156-PMPB15XP/S500H 2,520 p 채널 12 v 8.2A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 12V 2875 pf @ 6 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
MW7IC930GNR1 NXP Semiconductors MW7IC930GNR1 -
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모없는 65 v 표면 표면 to-270-16 0, 갈매기 날개 920MHz ~ 960MHz ldmos (() TO-270 WBL-16 갈매기 - 2156-MW7IC930GNR1 1 2 n 채널 10µA 285 MA 3.2W 35.9dB - 28 v
RJK03E2DNS-00#J5 onsemi RJK03E2DNS-00#J5 -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-HWSON (3.3x3.3) - 2156-RJK03E2DNS-00#J5 1 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 1.8 nc @ 4.5 v ± 20V 1100 pf @ 10 v - 12.5W (TC)
MRF6V2150NBR1 NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1 59.8400
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모없는 110 v 섀시 섀시 TO-272BB 450MHz LDMOS TO-272 WB-4 - 2156-MRF6V2150NBR1 귀 99 8541.21.0075 6 n 채널 - 450 MA 150W 25db - 50 v
HAT1089C-EL-E Renesas HAT1089C-EL-E -
RFQ
 ECAD 9103 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-CMFPAK - 2156-HAT1089C-EL-E 1 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 103mohm @ 1a, 4.5v 1.4V @ 1mA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V 365 pf @ 10 v - 850MW (TA)
6703 Goford Semiconductor 6703 0.0777
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) SOT-23-6L - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-6703tr 귀 99 8541.29.0000 3,000 - 20V 2.9A (TA), 3A (TA) 59mohm @ 2.5a, 2.5v, 110mohm @ 3a, 4.5v 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA - 300pf @ 10V, 405pf @ 10V 기준
GT035N10T Goford Semiconductor GT035N10T 2.4124
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-GT035N10T 귀 99 8541.29.0000 50 n 채널 100 v 190a (TC) 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 6057 pf @ 50 v - 250W (TC)
SSF2300 Good-Ark Semiconductor SSF2300 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 4.5A 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 12V 300 pf @ 10 v - 1.3W
GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308 0.3500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 n 채널 30 v 780MA (TA) 2.5V, 4.5V 450mohm @ 300ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.2 NC @ 4.5 v ± 12V 146 pf @ 15 v - 446MW (TA)
GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 50V 180MA (TA) 4ohm @ 150ma, 10V 3V @ 250µA 530pc @ 10V 25.2pf @ 25V 기준
GS2N7002KW Good-Ark Semiconductor GS2N7002KW 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 18 pf @ 30 v - 350MW (TA)
A5G26S008NT6 NXP USA Inc. A5G26S008nt6 13.0200
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 6-ldfn n 패드 2.496GHz ~ 2.69GHz - 6-PDFN (4x4.5) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 5,000 - - 17 MA 27dBM 18.4dB - 48 v
SSFL0956 Good-Ark Semiconductor SSFL0956 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 4A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V - 5.2W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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