SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated DMT69M8LFV-7 0.7800
RFQ
ECAD 980 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT69 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 45A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250µA 33.5 nc @ 10 v ± 16V 1925 pf @ 30 v - 42W (TC)
IPI60R165CPAKSA1 Infineon Technologies IPI60R165CPAKSA1 2.5626
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI60R165 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 165mohm @ 12a, 10V 3.5V @ 790µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 100 v - 192W (TC)
NVC3S5A51PLZT1G onsemi NVC3S5A51PLZT1G -
RFQ
ECAD 1579 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NVC3S5 MOSFET (금속 (() 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.8A (TA) 4V, 10V 250mohm @ 1a, 10V 2.6v @ 1ma 6 nc @ 10 v ± 20V 262 pf @ 20 v - 1.2W (TA)
IRL100HS121 Infineon Technologies IRL100HS121 1.2400
RFQ
ECAD 2058 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-powervdfn IRL100 MOSFET (금속 (() 6-pqfn n (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 11A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 6.7a, 10V 2.3V @ 10µA 5.6 NC @ 4.5 v ± 20V 440 pf @ 50 v - 11.5W (TC)
SIA923EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA923EDJ-T4-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 3771 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA923 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 7.8W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A (TA), 4.5A (TC) 54mohm @ 3.8a, 4.5v 1.4V @ 250µA 25NC @ 8V - -
SISS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS71DN-T1-GE3 1.1100
RFQ
ECAD 5194 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS71 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 23A (TC) 4.5V, 10V 59mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1050 pf @ 50 v - 57W (TC)
BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP171PH6327XTSA1 0.8900
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP171 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 300mohm @ 1.9a, 10V 2V @ 460µA 20 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
DMP2010UFV-13 Diodes Incorporated DMP2010UFV-13 0.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2010 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 9.5mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 103 NC @ 10 v ± 10V 3350 pf @ 10 v - 2W (TA)
SI7463DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7463DP-T1-E3 2.9400
RFQ
ECAD 367 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7463 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.2mohm @ 18.6a, 10V 3V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
PMPB43XPE,115 Nexperia USA Inc. PMPB43XPE, 115 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB43 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 5a, 4.5v 900MV @ 250µA 23.4 NC @ 4.5 v ± 12V 1550 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-7 0.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN6013 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 10.3A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 55.4 NC @ 10 v ± 20V 2577 pf @ 30 v - 1W (TA)
APTM120H57FT3G Microsemi Corporation APTM120H57FT3G -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTM120 MOSFET (금속 (() 390W SP3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 17a 684mohm @ 8.5a, 10V 5V @ 2.5MA 187NC @ 10V 5155pf @ 25v -
DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated DMG7401SFG-7 0.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMG7401 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 30 v 9.8A (TA) 4.5V, 20V 11mohm @ 12a, 20V 3V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 25V 2987 pf @ 15 v - 940MW (TA)
MCH6415-TL-E onsemi MCH6415-TL-E 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
ALD110908SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald110908sal 4.7014
RFQ
ECAD 2643 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110908 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1041 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.8V 820mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
STU6N90K5 STMicroelectronics stu6n90k5 2.1600
RFQ
ECAD 182 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB stu6n90 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17076 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 900 v 6A (TC) 10V 1.1ohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa ± 30V - 110W (TC)
BF1109R,215 NXP USA Inc. BF1109R, 215 -
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 11 v 표면 표면 SOT-143R BF110 800MHz MOSFET SOT-143R 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma - 20dB 1.5dB 9 v
IRL2203NPBF-INF Infineon Technologies irl2203npbf-inf 1.0000
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 116A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 1V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 16V 3290 pf @ 25 v - 180W (TC)
AO4354_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4354_101 -
RFQ
ECAD 7684 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO43 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 23A (TA) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 2010 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies SPP80N06S2L-11 -
RFQ
ECAD 5782 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 40a, 10V 2V @ 93µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2650 pf @ 25 v - 158W (TC)
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies IPD30N03S2L20ATMA1 1.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD30N03 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 2V @ 23µA 19 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 60W (TC)
NVMFS5C456NLAFT1G onsemi NVMFS5C456Nlaft1g 1.5800
RFQ
ECAD 3948 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 87A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 55W (TC)
GTVA311801FA-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTVA311801FA-V1-R0 432.7000
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Wolfspeed, Inc. 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 H-37265J-2 GTVA311801 2.7GHz ~ 3.1GHz H-37265J-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 3A001B3 8541.29.0075 50 - 20 MA 180W 15db - 50 v
SQJ443EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_BE3 1.4100
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj443ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 20 v - 83W (TC)
BLC10G18XS-301AVTZ Ampleon USA Inc. BLC10G18XS-301AVTZ 81.8900
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 활동적인 65 v 섀시 섀시 SOT-1275-1 BLC10 1.805GHz ~ 1.88GHz LDMOS DFM6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중 - 300 MA 300W 15.6dB - 30 v
IXFT74N20 IXYS IXFT74N20 -
RFQ
ECAD 9781 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT74 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 74A (TC) 10V 30mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 280 nc @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 360W (TC)
IRFP244 Harris Corporation IRFP244 -
RFQ
ECAD 5094 0.00000000 해리스 해리스 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
STW13N80K5 STMicroelectronics STW13N80K5 4.6400
RFQ
ECAD 7652 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW13 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 450mohm @ 6a, 10V 5V @ 100µa 29 NC @ 10 v ± 30V 870 pf @ 100 v - 190W (TC)
SIR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir622dp-t1-re3 1.5600
RFQ
ECAD 890 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir622 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 12.6A (TA), 51.6A (TC) 7.5V, 10V 17.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1516 pf @ 75 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
IPB80P04P407ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1 -
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80p MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 150µA 89 NC @ 10 v ± 20V 6085 pf @ 25 v - 88W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고