전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | bla8g1011l-300gu | 387.4050 | ![]() | 9595 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-502A | Bla8 | 1.06GHz | LDMOS | CDFM2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934068742112 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | - | 150 MA | 300W | 16.5dB | - | 32 v | |||||||||||||||
![]() | BLP25M705Z | - | ![]() | 1178 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 12-vdfn d 패드 | BLP25 | 2.14GHz | LDMOS | 12-HVSON (6x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 55 MA | 1W | 16db | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | BLF9G38-10GJ | - | ![]() | 5409 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 28 v | SOT-975C | 3.4GHz ~ 3.8GHz | LDMOS | SOT-975C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 10W | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | SI3415B-TP | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI3415 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.6a | 42mohm @ 5.6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 v | ± 12V | 940 pf @ 10 v | - | 1.3W | |||||||||||||
![]() | DMN3009SFGQ-13 | 0.4136 | ![]() | 9768 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMN3009 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TA), 45A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 15 v | - | 900MW (TA) | ||||||||||||
![]() | AO4476AL_101 | - | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 7.7mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1380 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||
![]() | SCT10N120AG | 12.0100 | ![]() | 7324 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCT10 | sicfet ((카바이드) | HIP247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-SCT10N120AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 12A (TC) | 20V | 6A, 6A, 20V | 3.5V @ 250µA | 22 nc @ 20 v | +25V, -10V | 290 pf @ 400 v | - | 150W (TC) | |||||||||||
![]() | BSP100,135 | 1.0000 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 3.2A (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2.2a, 10V | 2.8V @ 1MA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 250 pf @ 20 v | - | 8.3W (TC) | |||||||||||||||
![]() | SI7898DP-T1-E3 | 1.8300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7898 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 3A (TA) | 6V, 10V | 85mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||||||||||
IPI06N03LA | - | ![]() | 9726 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI06N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 40µA | 22 nc @ 5 v | ± 20V | 2653 pf @ 15 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IXTT170N10P-TR | 9.0872 | ![]() | 9233 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT170 | MOSFET (금속 (() | TO-268 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTT170N10P-TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 170A (TC) | 10V, 15V | 9mohm @ 85a, 10V | 5V @ 250µA | 198 NC @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 25 v | - | 715W (TC) | ||||||||||||
![]() | APTML50UM90R020T1AG | - | ![]() | 2205 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | MOSFET (금속 (() | SP1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 52A (TC) | 10V | 108mohm @ 26a, 10V | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 7600 pf @ 25 v | - | 568W (TC) | |||||||||||||||
![]() | STD5P06VT4 | 0.2400 | ![]() | 52 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수가 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4942DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4942 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 5.3A | 21mohm @ 7.4a, 10V | 3V @ 250µA | 32NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
![]() | IXTM24N50L | - | ![]() | 5346 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | IXTM24 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | IPD70P04P4L08ATMA1 | 1.7400 | ![]() | 7769 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD70 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 70a, 10V | 2.2V @ 120µA | 92 NC @ 10 v | ± 16V | 5430 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRF8734TRPBF | 1.1000 | ![]() | 168 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF8734 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 21A (TA) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 21a, 10V | 2.35V @ 50µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 20V | 3175 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
![]() | BF1211R, 215 | - | ![]() | 3848 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 6 v | 표면 표면 | SOT-143R | BF121 | 400MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 게이트 게이트 듀얼 | 30ma | 15 MA | - | 29db | 0.9dB | 5 v | |||||||||||||||
AON6270 | - | ![]() | 6871 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 31.5A (TA), 85A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 20a, 10V | 3.2V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 4100 pf @ 37.5 v | - | 7.3W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BCP020C | 11.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Berex Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 12 v | 주사위 | 6GHz ~ 18GHz | Phemt Fet | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 4704-BCP020C | 귀 99 | 8541.21.0040 | 5 | 80ma | 30 MA | 22dbm | 14db | 1.05dB | 8 v | |||||||||||||||||
![]() | IXTQ220N055T | - | ![]() | 1397 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ220 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 55 v | 220A (TC) | 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 158 NC @ 10 v | ± 20V | 7200 pf @ 25 v | - | 430W (TC) | |||||||||||||
![]() | sir878dp-t1-ge3 | - | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir878 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 15a, 10V | 2.8V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 44.5W (TC) | |||||||||||||
![]() | PSMN018-100PSFQ | - | ![]() | 6612 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934068748127 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 53A (TA) | 7V, 10V | 18mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 21.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1482 pf @ 50 v | - | 111W (TA) | ||||||||||||
![]() | G3404LL | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 4.2a, 10V | 2V @ 250µA | 12.2 NC @ 10 v | ± 20V | 541 pf @ 15 v | - | 1.2W (TC) | ||||||||||||||
![]() | 2SK0615 | - | ![]() | 4393 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | MOSFET (금속 (() | M-A1 | 다운로드 | rohs 비준수가 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 500MA (TA) | 10V | 4ohm @ 500ma, 10V | 3.5V @ 1mA | 20V | 45 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||
![]() | CSD18513Q5A | 1.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD18513 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 124A (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 19a, 10V | 2.4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 4280 pf @ 20 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||
![]() | ART150PEZ | 45.0490 | ![]() | 5654 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1603-Art150peztr | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-7 | 0.6000 | ![]() | 725 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMN10 | MOSFET (금속 (() | TSOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 v | ± 20V | 1167 pf @ 25 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||
![]() | IRF6648TR1 | - | ![]() | 9492 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mn | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mn | 다운로드 | rohs 비준수가 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 86A (TC) | 10V | 7mohm @ 17a, 10V | 4.9V @ 150µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2120 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||
![]() | IPD35N12S3L24ATMA1 | 1.4800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD35N12 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 120 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 35a, 10V | 2.4V @ 39µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 71W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고