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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS4895C | - |  | 7243 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS48 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 40V | 5.5A, 4.4A | 39mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 10nc @ 10v | 410pf @ 20V | - | |||||||||||||||
 | NTMD6N02R2 | - | | 8118 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NTMD6 | MOSFET (금속 (() | 730MW | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | NTMD6N02R2OS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 3.92a | 35mohm @ 6a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 1100pf @ 16V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||
 | BUK9275-100A, 118 | 1.0000 | | 9408 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BUK9275-100A, 118-954 | 1 | n 채널 | 100 v | 21.7A (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 10a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 1690 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | ||||||||||||||||
 | auirfs8409trl | - | | 3374 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 450 NC @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||
 | AOK20N60L | 4.3100 | | 239 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AOK20 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 370mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 30V | 3680 pf @ 25 v | - | 417W (TC) | ||||||||||||
 | AOT8N65_001 | - | | 3513 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT8 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 8A (TC) | 10V | 1.15ohm @ 4a, 10V | 4.5V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||
 | SIE862DF-T1-GE3 | - | | 1481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (U) | SIE862 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (U) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 10V | 3.2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 15 v | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||
 | MRF6S9160HSR3 | - | | 8085 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | NI-780S | MRF6 | 880MHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 a | 35W | 20.9dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
 | PJW1NA60A_R2_00001 | - | | 9385 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | pjw1na60a | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 400MA (TA) | 10V | 7.9ohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | 3.1 NC @ 10 v | ± 30V | 148 pf @ 25 v | - | 3.3W (TC) | |||||||||||||
| AOW66613 | 1.6122 | | 6386 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOW666 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-Aow66613tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 38.5A (TA), 120A (TC) | 8V, 10V | 2.5mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 30 v | - | 6.2W (TA), 260W (TC) | ||||||||||||
 | IPP037N08N3GXKSA1 | 2.8700 | | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP037 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 3.75mohm @ 100a, 10V | 3.5V @ 155µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 8110 pf @ 40 v | - | 214W (TC) | ||||||||||||
 | IRF7301PBF | - | | 1547 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF73 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 5.2A | 50mohm @ 2.6a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 660pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
 | SI4410BDY-T1-E3 | - | | 8121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4410 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 7.5A (TA) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||
| IRFC3006EB | - | | 4564 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001566680 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | irfr1n60atrr | - | | 8416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 1.4A (TC) | 10V | 7ohm @ 840ma, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 229 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | ||||||||||||
 | DMNH6021SK3Q-13 | 0.8700 | | 5585 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DMNH6021 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 20.1 NC @ 10 v | ± 20V | 1143 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||
 | BLF178XR, 112 | 266.2400 | | 58 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | SOT-539A | BLF178 | 108MHz | LDMOS | SOT539A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | - | 40 MA | 1400W | 28db | - | 50 v | |||||||||||||||
 | SPB80N03S2-03 | - | | 5617 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 7020 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | IXFH150N15P | 12.5700 | | 168 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH150 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -ixfh150n15p | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 150A (TC) | 10V | 13mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 4MA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 5800 pf @ 25 v | - | 714W (TC) | |||||||||||
| PXAC210552FC-V1-R2 | 59.8405 | | 2192 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | PXAC210552 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL1004LPBF | - | | 7060 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 78a, 10V | 1V @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5330 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||
 | ICE60N199 | - | | 3334 | 0.00000000 | icemos 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 5133-ICE60N199 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 199MOHM @ 10A, 10V | 3.9V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1890 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | |||||||||||||||
 | MRF9135LR5 | - | | 6678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-957A | MRF91 | 880MHz | LDMOS | NI-780H-2L | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 50 | - | 1.1 a | 25W | 17.8dB | - | 26 v | ||||||||||||||||
| 2SK3402-Z-E1-AZ | - | | 1817 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (MP-3Z) | - | 2156-2SK3402-Z-E1-AZ | 1 | n 채널 | 60 v | 36A (TC) | 4V, 10V | 15mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 1mA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 10 v | - | 1W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||
| RJK6002DPH-E0#T2 | 0.8700 | | 3 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | TO-251 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-RJK6002DPH-E0#T2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 2A (TA) | 10V | 6.8ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 1mA | 6.2 NC @ 10 v | ± 30V | 165 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||
 | vn2222ll | - | | 5436 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | VN2222 | MOSFET (금속 (() | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 150MA (TA) | 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 1mA | ± 20V | 60 pf @ 25 v | - | 400MW (TA) | |||||||||||||
 | PSMN3R5-30YL, 115 | 1.2000 | | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn3r5 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 15a, 10V | 2.15v @ 1ma | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 2458 pf @ 12 v | - | 74W (TC) | ||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | 0.6400 | | 9632 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DMN6040 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 22.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1287 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||
| RF5L1214750CB4 | 217.8000 | | 5820 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | D4E | RF5L1214750 | 1.2GHz ~ 1.4GHz | LDMOS | D4E | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L1214750CB4 | 100 | - | 10µA | 400 MA | 750W | 15db | - | 50 v | |||||||||||||||||
| DMP3028LFDEQ-7 | 0.1262 | | 8060 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerudfn | DMP3028 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (e 형 e) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP3028LFDEQ-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.8A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 7a, 10V | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1860 pf @ 15 v | - | 660MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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