전화 : +86-0755-83501315
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![]() | NP110N033 PUG-E1-AY | - | ![]() | 3855 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NP110N03 | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 110A (TC) | 10V | 1.5mohm @ 55a, 10V | 4V @ 250µA | 380 nc @ 10 v | ± 20V | 24600 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 288W (TC) | ||||||||||||
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![]() | PHX20N06T, 127 | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | phx20 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 12.9A (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 9.8 nc @ 10 v | ± 20V | 320 pf @ 25 v | - | 23W (TC) | ||||||||||||
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![]() | STE139N65M5 | - | ![]() | 6658 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | Ste1 | MOSFET (금속 (() | 동위 동위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16942 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 650 v | 130A (TC) | 10V | 17mohm @ 65a, 10V | 5V @ 250µA | 363 NC @ 10 v | ± 25V | 15600 pf @ 100 v | - | 672W (TC) | |||||||||||
![]() | SI4038DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4038 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 42.5A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 15a, 10V | 2.1V @ 250µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 4070 pf @ 20 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||||||||||
![]() | RJK1562DJE-00#Z0 | 0.9100 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-92 모드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 1A (TA) | 1.4ohm @ 500ma, 4v | - | 3 NC @ 4 v | 300 pf @ 25 v | - | 900MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고