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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFC4127ED | - | ![]() | 2813 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001577720 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||
![]() | NDH832P | - | ![]() | 7468 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-LSOP (0.130 ", 3.30mm 너비) | NDH832 | MOSFET (금속 (() | SUPERSOT ™ -8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.2A (TA) | 2.7V, 4.5V | 60mohm @ 4.2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 30 nc @ 4.5 v | -8V | 1000 pf @ 10 v | - | 1.8W (TA) | |||||
![]() | fqu4n25tu | - | ![]() | 3767 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | fqu4 | MOSFET (금속 (() | i-pak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 250 v | 3A (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 v | ± 30V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||
![]() | GSJD6505 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 5A (TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 370 pf @ 50 v | - | 46W (TC) | |||||
![]() | R6011ENXC7G | 3.2800 | ![]() | 998 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | R6011 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-R6011ENXC7G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 11A (TA) | 10V | 390mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 1MA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 53W (TC) | |||
![]() | DMT3009LFVW-7 | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | DMT3009 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 50A (TC) | 3.8V, 10V | 11mohm @ 14.4a, 10V | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 823 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA) | ||||
![]() | MCQD05N06-TP | 0.7100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MCQD05N06 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCQD05N06-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 5a | 44mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15NC @ 10V | 800pf @ 30V | - | |||||
STP75N75F4 | - | ![]() | 5682 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP75N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13395-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 78A (TC) | 10V | 11mohm @ 39a, 10V | 4V @ 250µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 5015 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
![]() | IPB180N04S4LH0ATMA1 | 2.4917 | ![]() | 3963 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB180 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1MOHM @ 100A, 10V | 2.2V @ 180µA | 310 nc @ 10 v | +20V, -16V | 24440 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||
![]() | Ald212908sal | 5.6228 | ![]() | 5921 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD212908 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | R6076ENZ1C9 | - | ![]() | 5068 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 600 v | 76A (TC) | 10V | 42MOHM @ 44.4A, 10V | 4V @ 1MA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 6500 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||||
![]() | TN2524N8-G | 1.5400 | ![]() | 5901 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | TN2524 | MOSFET (금속 (() | TO-243AA (SOT-89) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 240 v | 360MA (TJ) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 125 pf @ 25 v | - | 1.6W (TC) | |||||
![]() | BSZ100N06NSATMA1 | 0.9300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ100 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 10MOHM @ 20A, 10V | 3.3V @ 14µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1075 pf @ 30 v | - | 2.1W (TA), 36W (TC) | ||||
![]() | Siz720DT-T1-GE3 | 0.6395 | ![]() | 1017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-PowerPair ™ | Siz720 | MOSFET (금속 (() | 27W, 48W | 6-PowerPair ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 20V | 16A | 8.7mohm @ 16.8a, 10V | 2V @ 250µA | 23NC @ 10V | 825pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | DMP1022UFDE-7 | - | ![]() | 3629 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerudfn | DMP1022 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (e 형 e) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 9.1A (TA) | 1.2V, 4.5V | 16mohm @ 8.2a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 42.6 NC @ 5 v | ± 8V | 2953 pf @ 4 v | - | 660MW (TA) | ||||
![]() | IRF5305LPBF | - | ![]() | 5812 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF5305 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001574828 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 55 v | 31A (TC) | 10V | 60mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | ||||
![]() | irfl210trpbf | 0.8800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL210 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 960MA (TC) | 10V | 1.5ohm @ 580ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
![]() | IRF9910TRPBF-1 | - | ![]() | 8641 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF99 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 10A (TA), 12A (TA) | 13.4mohm @ 10a, 10v, 9.3mohm @ 12a, 10v | 2.55V @ 250µA | 11nc @ 4.5v, 23nc @ 4.5v | 900pf @ 10V, 1860pf @ 10V | - | ||||||
![]() | APTC90H12T1G | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTC90 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 4 n 채널 (채널 교량) | 900V | 30A | 120mohm @ 26a, 10V | 3.5v @ 3ma | 270NC @ 10V | 6800pf @ 100v | 슈퍼 슈퍼 | |||||||
![]() | AO3400-5.8A | 0.2155 | ![]() | 237 | 0.00000000 | MDD | SOT-23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-AO3400-5.8AT | 귀 99 | 8541.21.0075 | 6,000 | n 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 3.3V, 4.5V | 32mohm @ 5.8a, 10V | 1.2V @ 250µA | 10.5 nc @ 15 v | ± 12V | 630 pf @ 15 v | - | 1.5W (TA) | ||||
![]() | FW217A-TL-2W | - | ![]() | 1789 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FW217 | MOSFET (금속 (() | 2.2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 35V | 6A | 39mohm @ 6a, 10V | - | 10nc @ 10v | 470pf @ 20V | 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브 | ||||||
![]() | FDMS5362L | 0.2900 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDMS5362 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | ||||||||||||||||||
![]() | SI4431BDY-T1-E3 | 1.0000 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4431 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 5.7A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.5a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | MCH6630-TL-E | - | ![]() | 9792 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MOSFET (금속 (() | 6mcph | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MCH6630-TL-E-488 | 1 | n 채널 | 30 v | 700MA (TA) | 1.5V, 4V | 900mohm @ 350ma, 4v | 1.3V @ 100µa | 1 nc @ 10 v | 10V | 30 pf @ 10 v | - | 800MW (TA) | |||||||
![]() | CSD19535KTT | 3.4200 | ![]() | 1192 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | CSD19535 | MOSFET (금속 (() | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 200a (TA) | 6V, 10V | 3.4mohm @ 100a, 10V | 3.4V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 20V | 7930 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||
![]() | IPD079N06L3GATMA1 | 1.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD079N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-311 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 50a, 10V | 2.2V @ 34µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4900 pf @ 30 v | - | 79W (TC) | ||||
![]() | NTD23N03R-001 | - | ![]() | 7351 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD23 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 25 v | 3.8A (TA), 17.1A (TC) | 4V, 5V | 45mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 3.76 NC @ 4.5 v | ± 20V | 225 pf @ 20 v | - | 1.14W (TA), 22.3W (TC) | ||||
![]() | IRFR3504PBF | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 40 v | 30A (TC) | 10V | 9.2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||
![]() | IXFR130N65X3 | 40.3760 | ![]() | 3538 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | IXFR130 | - | 238-IXFR130N65X3 | 30 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT65R048M1HXTMA1 | - | ![]() | 7974 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | IMT65R | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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