전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7842TR | - | ![]() | 8215 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 18A (TA) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 17a, 10V | 2.25V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4500 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
IPI80CN10N g | - | ![]() | 1983 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80C | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 13A (TC) | 10V | 80mohm @ 13a, 10V | 4V @ 12µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 716 pf @ 50 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||||
![]() | 2SK2916 (F) | - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK2916 | MOSFET (금속 (() | to-3p (n)입니다 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 14A (TA) | 10V | 400mohm @ 7a, 10V | 4V @ 1MA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 2600 pf @ 10 v | - | 80W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IRFC4332EB | - | ![]() | 8065 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5518BFLLG | - | ![]() | 7059 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 550 v | 31A (TC) | 10V | 180mohm @ 15.5a, 10V | 5V @ 1MA | 67 NC @ 10 v | ± 30V | 3286 pf @ 25 v | - | 403W (TC) | ||||||||||||||
IPI80P03P4L04AKSA1 | - | ![]() | 1106 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80p | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 80a, 10V | 2V @ 253µA | 160 nc @ 10 v | +5V, -16V | 11300 pf @ 25 v | - | 137W (TC) | ||||||||||||||
![]() | SIHG73N60AE-GE3 | 11.4800 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG73 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 60A (TC) | 10V | 40mohm @ 36.5a, 10V | 4V @ 250µA | 394 NC @ 10 v | ± 30V | 5500 pf @ 100 v | - | 417W (TC) | |||||||||||||
![]() | HUF76132S3 | 1.0000 | ![]() | 2738 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0852DPB-WS#J5 | - | ![]() | 5675 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 쟁반 | 쓸모없는 | - | 559-RJK0852DPB-WS#J5 | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfs8407trl | - | ![]() | 1946 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFR3710ZPBF | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 10V | 18mohm @ 33a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 2930 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||
![]() | BSS139IXTMA1 | - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS139 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23-3-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 100MA (TA) | 0V, 10V | 14ohm @ 100ma, 10V | 1V @ 56µA | 2.3 NC @ 5 v | ± 20V | 60 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||
![]() | MCT04P06-TP | 0.2779 | ![]() | 6904 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MCT04 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCT04P06-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 3.5A (TJ) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 3.1a, 10V | 3V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 650 pf @ 15 v | - | 2W | |||||||||||
![]() | FDC6302P | 0.2800 | ![]() | 151 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | FDC6302 | MOSFET (금속 (() | 700MW | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 p 채널 (채널) | 25V | 120ma | 10ohm @ 200ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 0.31NC @ 4.5V | 11pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
![]() | STD12N50DM2 | 1.9400 | ![]() | 1669 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD12 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 350mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 25V | 628 pf @ 100 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPI65R310CFD | 0.8900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos CFD2 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 11.4A (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 440µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 100 v | - | 104.2W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2SK1069-4-TL-E | 1.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-2SK1069-4-TL-E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF102G | - | ![]() | 1325 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 25 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | MPF102 | - | JFET | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1,000 | n 채널 | 20MA | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | IRL540NSPBF | - | ![]() | 6319 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 4V, 10V | 44mohm @ 18a, 10V | 2V @ 250µA | 74 NC @ 5 v | ± 16V | 1800 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 140W (TC) | |||||||||||||
![]() | SUM90140E-GE3 | 3.0600 | ![]() | 9684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM90140 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 90A (TC) | 7.5V, 10V | 17mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 4132 pf @ 100 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||
![]() | FQPF2N40 | - | ![]() | 4251 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF2 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 1.1A (TC) | 10V | 5.8ohm @ 550ma, 10V | 5V @ 250µA | 5.5 nc @ 10 v | ± 30V | 150 pf @ 25 v | - | 16W (TC) | |||||||||||||
![]() | BLS6G2933P-200,117 | - | ![]() | 1286 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 60 v | 섀시 섀시 | SOM038 | 2.9GHz ~ 3.3GHz | LDMOS | SOM038 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934064607117 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 15 | 66a | 100 MA | 215W | 11db | - | 32 v | |||||||||||||||||
![]() | RE1C002ZPTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | RE1C002 | MOSFET (금속 (() | EMT3F (SOT-416FL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 200MA (TA) | 4.5V | 1.2ohm @ 200ma, 4.5v | 1V @ 100µA | 1.4 NC @ 4.5 v | ± 10V | 115 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | ||||||||||||
![]() | IPD105N04LGBTMA1 | - | ![]() | 9631 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD105N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 40a, 10V | 2V @ 14µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 20 v | - | 42W (TC) | |||||||||||||
![]() | AoT2N60 | - | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT2 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1185-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 11.4 NC @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRFU9110PBF | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9110 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfu9110pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
![]() | BUK662R4-40C, 118 | - | ![]() | 5195 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 199 NC @ 10 v | ± 16V | 11334 pf @ 25 v | - | 263W (TC) | |||||||||||||
![]() | NP50P06SDG-E1-ay | 1.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (MP-3ZK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 50A (TC) | 16.5mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | 5000 pf @ 10 v | - | 1.2W (TA), 84W (TC) | |||||||||||||||
![]() | MCB160N04Y-TP | 1.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MCB160N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 1.85mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 132 NC @ 20 v | ± 20V | 7100 pf @ 25 v | - | 150W | ||||||||||||
![]() | AO3452 | - | ![]() | 9062 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO3452TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4A (TA) | 2.5V, 10V | 52mohm @ 4a, 10V | 1.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 12V | 235 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고