SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SPP80P06PBKSA1 Infineon Technologies spp80p06pbksa1 -
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80p MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 60 v 80A (TC) 10V 23mohm @ 64a, 10V 4V @ 5.5MA 173 NC @ 10 v ± 20V 5033 pf @ 25 v - 340W (TC)
ZVN2120ASTZ Diodes Incorporated ZVN2120ASTZ -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 10V 10ohm @ 250ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
IRFD010PBF Vishay Siliconix IRFD010PBF -
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD010 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD010PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 50 v 1.7A (TC) 10V 200mohm @ 860ma, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 1W (TC)
IRF7807D2PBF Infineon Technologies IRF7807D2PBF -
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001555606 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
FDD8424H-F085A onsemi FDD8424H-F085A -
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD FDD8424 MOSFET (금속 (() 1.3W TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 9a, 6.5a 24mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 1000pf @ 20V 논리 논리 게이트
UPA2719GR-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2719GR-E1-A 0.9400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
IXTA1R6N100D2 IXYS IXTA1R6N100D2 3.2300
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA1 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 1.6A (TC) 10V 10ohm @ 800ma, 0v - 27 NC @ 5 v ± 20V 645 pf @ 25 v 고갈 고갈 100W (TC)
SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR608EP-T1-RE3 2.6400
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIDR608EP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 56A (TA), 228A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 NC @ 10 v +20V, -16V 8900 pf @ 20 v - 7.5W (TA), 125W (TC)
IXTQ3N150M IXYS IXTQ3N150M 7.6917
RFQ
 ECAD 7028 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 IXTQ3 MOSFET (금속 (() to-3pfp - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTQ3N150M 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1500 v 1.83A (TC) 10V 7.3ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 38.6 NC @ 10 v ± 30V 1375 pf @ 25 v - 73W (TC)
FDMA910PZ onsemi FDMA910PZ 0.9900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 FDMA910 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9.4A (TA) 1.8V, 4.5V 20mohm @ 9.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 8V 2805 pf @ 10 v - 2.4W (TA)
APTM10AM02FG Microchip Technology aptm10am02fg 346.5000
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM10 MOSFET (금속 (() 1250W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 100V 495A 2.5mohm @ 200a, 10V 4V @ 10MA 1360NC @ 10V 40000pf @ 25V -
IRFR120NPBF International Rectifier IRFR120NPBF -
RFQ
 ECAD 8749 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
IXTR20P50P IXYS ixtr20p50p 12.6677
RFQ
 ECAD 9336 0.00000000 ixys Polarp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTR20 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 500 v 13A (TC) 10V 490mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFU5505 Infineon Technologies IRFU5505 -
RFQ
 ECAD 9485 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 57W (TC)
IRFR3910TRPBF Infineon Technologies irfr3910trpbf 1.3400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR3910 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 16A (TC) 10V 115mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 79W (TC)
SSF3051G7 Good-Ark Semiconductor SSF3051G7 0.4400
RFQ
 ECAD 8172 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 4.4a 4.5V, 10V 48mohm @ 4.4a, 10V 3V @ 250µA 7.1 NC @ 5 v ± 25V 520 pf @ 15 v - 1.7W
RSQ035P03TR Rohm Semiconductor rsq035p03tr 0.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ035 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 65mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 9.2 NC @ 5 v ± 20V 780 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
NTQS6463R2 onsemi NTQS6463R2 -
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQS64 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 6.8A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 6.8a, 4.5v 900MV @ 250µA 50 nc @ 5 v ± 12V - 930MW (TA)
IXFK120N25P IXYS IXFK120N25P 14.4900
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK120 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 120A (TC) 10V 24mohm @ 60a, 10V 5V @ 4MA 185 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 700W (TC)
ECH8617-TL-E onsemi ECH8617-TL-E 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
FDMC0208 Fairchild Semiconductor FDMC0208 0.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMC02 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
FQI27P06TU onsemi FQI27P06TU -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI2 MOSFET (금속 (() i2pak - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 27A (TC) 10V 70mohm @ 13.5a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 25V 1400 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
SPB16N50C3 Infineon Technologies SPB16N50C3 -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
FDMA1027PT onsemi fdma1027pt -
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDMA1027 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3A 120mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 6NC @ 4.5V 435pf @ 10V 논리 논리 게이트
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6L61 MOSFET (금속 (() - 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4a - - - - -
FDPF5N50NZF onsemi FDPF5N50NZF -
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 온세미 Unifet-II ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 4.2A (TC) 10V 1.75ohm @ 2.1a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 25V 485 pf @ 25 v - 30W (TC)
AOD32334C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD32334C 0.1692
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD323 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOD32334CTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 12a, 10V 2.3V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 15 v - 4.1W (TA), 39W (TC)
CPH3455-TL-H onsemi CPH3455-TL-H -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH345 MOSFET (금속 (() 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 35 v 3A (TA) 4V, 10V 104mohm @ 1.5a, 10v - 4 NC @ 10 v ± 20V 186 pf @ 20 v - 1W (TA)
FDMS8820 onsemi FDMS8820 1.3100
RFQ
 ECAD 4727 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS88 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 28A (TA), 116A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 28A, 10V 2.5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 20V 5315 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 78W (TC)
FDS4770 onsemi FDS4770 -
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS47 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 13.2A (TA) 10V 7.5mohm @ 13.2a, 10V 5V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 2819 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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