- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD65R950C6ATMA1 | 0.6495 |  | 3894 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R950 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 200µA | 15.3 NC @ 10 v | ± 20V | 328 pf @ 100 v | - | 37W (TC) | ||||||||||||
 | NP82N04NUG-S18-ay | - | | 5046 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 82A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 41A, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 9750 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 143W (TC) | |||||||||||||
 | IPS70R1K4CEAKMA1 | - | | 9603 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | IPS70R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 700 v | 5.4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 225 pf @ 100 v | - | 53W (TC) | ||||||||||||
 | STD2NK60Z-1 | 1.0400 | | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | std2n | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 1.4A (TC) | 10V | 8ohm @ 700ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 10 nc @ 10 v | ± 30V | 170 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | STF21N90K5 | 8.0000 | | 200 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF21 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 18.5A (TC) | 10V | 299mohm @ 9a, 10V | 5V @ 100µa | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1645 pf @ 100 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||
 | SPI20N60CFDHKSA1 | - | | 3820 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | spi20n | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 20.7A (TC) | 10V | 220mohm @ 13.1a, 10V | 5V @ 1MA | 124 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||
 | BSP135 E6327 | - | | 9674 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 120MA (TA) | 0V, 10V | 45ohm @ 120ma, 10V | 1V @ 94µA | 4.9 NC @ 5 v | ± 20V | 146 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | |||||||||||||
 | 2SK4124 | 3.7500 | | 3051 | 0.00000000 | Sanyo | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK4124 | MOSFET (금속 (() | To-3PB | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 71 | n 채널 | 500 v | 20A (TA) | 10V | 430mohm @ 8a, 10V | - | 46.6 NC @ 10 v | ± 30V | 1200 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 170W (TC) | ||||||||||||
 | PTFA092201FV4XWSA1 | - | | 7866 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA092201 | 960MHz | LDMOS | H-37260-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 1.85 a | 220W | 18.5dB | - | 30 v | |||||||||||||||||
 | IPB055N03LGATMA1 | - | | 1070 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB055N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 15 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||
 | IXTQ44N50P | 8.4570 | | 4746 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ44 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 44A (TC) | 10V | 140mohm @ 22a, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 5440 pf @ 25 v | - | 658W (TC) | ||||||||||||
 | IXFT74N20 | - | | 9781 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT74 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 74A (TC) | 10V | 30mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 4MA | 280 nc @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||||||||||||
 | AO4447AL | - | | 4833 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 17A (TA) | 4V, 10V | 7mohm @ 17a, 10V | 1.6V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||
 | ixtp3n100p | 4.6800 | | 600 | 0.00000000 | ixys | p3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1000 v | 3A (TC) | 10V | 4.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | ZVNL120CSTZ | - | | 5964 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 180MA (TA) | 3V, 5V | 10ohm @ 250ma, 5V | 1.5V @ 1mA | ± 20V | 85 pf @ 25 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||
| IRFS38N20DTRRP | - | | 1722 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565034 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 43A (TC) | 10V | 54mohm @ 26a, 10V | 5V @ 250µA | 91 NC @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||
 | BUK753R1-40B, 127 | - | | 3949 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 94 NC @ 10 v | ± 20V | 6808 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
| BUK9230-80EJ | - | | 7545 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934069873118 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 32A | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7503TRPBF | 0.8200 | | 119 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | IRF7503 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | Micro8 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 2.4a | 135mohm @ 1.7a, 10V | 1V @ 250µA | 12NC @ 10V | 210pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
 | STH275N8F7-6AG | 6.8300 | | 8406 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | STH275 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15474-2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 180A (TC) | 10V | 2.1MOHM @ 90A, 10V | 4.5V @ 250µA | 193 NC @ 10 v | ± 20V | 13600 pf @ 50 v | - | 315W (TC) | |||||||||||
 | SSM3K318R, LF | 0.4300 | | 710 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u- 모시브 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | SSM3K318 | MOSFET (금속 (() | SOT-23F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.5A (TA) | 4.5V, 10V | 107mohm @ 2a, 10v | 2.8V @ 1MA | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 235 pf @ 30 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | RF1K49156 | 0.7800 | | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 6.3A (TA) | 5V | 30mohm @ 6.3a, 5V | 2V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 10V | 2030 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
| IRFZ24NLPBF | - | | 7262 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||
| 2SK1591W-T1B-A | - | | 3764 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 2156-2SK1591W-T1B-A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| VN2410M | 0.4100 | | 49 | 0.00000000 | 실리코 실리코 | * | 대부분 | 활동적인 | VN2410 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | FQB12P10TM | - | | 7796 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB1 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 11.5A (TC) | 10V | 290mohm @ 5.75a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 30V | 800 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||
 | IRF7353D1 | - | | 5136 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7353D1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 6.5A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||
 | MPIC2112P | 0.6000 | | 126 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | MPIC2112 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | APT10035LFLLG | 32.9100 | | 6394 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT10035 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 28A (TC) | 370mohm @ 14a, 10V | 5V @ 2.5MA | 186 NC @ 10 v | 5185 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||
| auirfs4410z | - | | 3887 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4410 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520704 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)