SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
STP12N65M2 STMicroelectronics STP12N65M2 1.0004
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP12 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 8A (TC) 0V, 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 16.7 NC @ 10 v ± 25V 535 pf @ 100 v - 85W (TC)
NVMFS6B14NLT3G onsemi NVMFS6B14NLT3G -
RFQ
ECAD 5072 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 11A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 16V 1680 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
STF26N65DM2 STMicroelectronics STF26N65DM2 2.1186
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF26 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 35.5 nc @ 10 v ± 25V 1480 pf @ 100 v - 30W (TC)
BUK7109-75AIE,118 Nexperia USA Inc. BUK7109-75AIE, 118 -
RFQ
ECAD 6861 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
IPI120N04S302AKSA1 Infineon Technologies IPI120N04S302AKSA1 3.8602
RFQ
ECAD 5813 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI120 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 210 nc @ 10 v ± 20V 14300 pf @ 25 v - 300W (TC)
SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7852DP-T1-E3 2.5000
RFQ
ECAD 7609 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7852 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 7.6A (TA) 6V, 10V 16.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA (Min) 41 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SIHF520STRR-GE3 Vishay Siliconix SIHF520St-GE3 0.5608
RFQ
ECAD 5659 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHF520ST-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
PXN017-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN017-30QLJ 0.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.9A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 17.4mohm @ 7.9a, 10V 2.2V @ 250µA 7.7 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 10.9W (TC)
NVD4810NT4G onsemi NVD4810NT4G -
RFQ
ECAD 1465 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD481 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA), 54A (TC) 4.5V, 11.5V 10MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1350 pf @ 12 v - 1.4W (TA), 50W (TC)
AUIRFR2607ZTRL Infineon Technologies auirfr2607ztrl -
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR2607 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518630 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10V 4V @ 50µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 25 v - 110W (TC)
IXFT120N30X3HV IXYS ixft120n30x3hv 18.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT120 MOSFET (금속 (() TO-268HV (IXFT) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 120A (TC) 10V 11mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 4mA 170 nc @ 10 v ± 20V 1376 pf @ 25 v - 735W (TC)
SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS9634LDN-T1-GE3 1.2600
RFQ
ECAD 8140 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SIS9634 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA), 17.9W (TC) PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-Sis9634LDN-T1-GE3DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 6A (TA), 6A (TC) 31mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 420pf @ 30V -
BLF202,115 Ampleon USA Inc. BLF202,115 -
RFQ
ECAD 3598 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 40 v 표면 표면 SOT-409A BLF202 175MHz MOSFET 8-CSMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 n 채널 1A 20 MA 2W 13db - 12.5 v
PSMN3R7-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN3R7-25YLC, 115 -
RFQ
ECAD 7551 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn3 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 97A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 1.95v @ 1ma 21.6 NC @ 10 v ± 20V 1585 pf @ 12 v - 64W (TC)
NTB30N06LG onsemi NTB30N06LG -
RFQ
ECAD 7702 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB30 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TA) 5V 46mohm @ 15a, 5V 2V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 15V 1150 pf @ 25 v - 88.2W (TC)
FQA19N60 onsemi FQA19N60 -
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA19 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 18.5A (TC) 10V 380mohm @ 9.3a, 10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPU80R750P7AKMA1 Infineon Technologies IPU80R750P7AKMA1 0.8162
RFQ
ECAD 6586 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU80R750 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001644620 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 750mohm @ 2.7a, 10V 3.5V @ 140µA 17 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 500 v - 51W (TC)
FDD1600N10ALZ onsemi FDD1600N10ALZ 1.0400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD1600 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 6.8A (TC) 5V, 10V 160mohm @ 3.4a, 10V 2.8V @ 250µA 3.61 NC @ 10 v ± 20V 225 pf @ 50 v - 14.9W (TC)
STL58N3LLH5 STMicroelectronics STL58N3LLH5 1.6000
RFQ
ECAD 6686 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ H5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL58 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v +22V, -20V 950 pf @ 25 v - 4.8W (TA), 62.5W (TC)
2SK3294-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3294-AZ 3.8300
RFQ
ECAD 119 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
FDC642P-F085P onsemi FDC642P-F085P -
RFQ
ECAD 4891 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC642 MOSFET (금속 (() TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 8V 630 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
IRFI9520GPBF Vishay Siliconix IRFI9520GPBF 2.5000
RFQ
ECAD 7933 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9520 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9520GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 5.2A (TC) 10V 600mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 37W (TC)
BUK7M8R5-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M8R5-40HX 0.9800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m8 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 40A (TA) 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 3.6v @ 1ma 20 nc @ 10 v +20V, -10V 1309 pf @ 25 v - 59W (TC)
TPH3206LS Transphorm TPH3206LS -
RFQ
ECAD 3589 0.00000000 반죽 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerdfn Ganfet ((갈륨) PQFN (8x8) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 60 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 8v 2.6V @ 500µA 9.3 NC @ 4.5 v ± 18V 760 pf @ 480 v - 96W (TC)
HUF75631S3S onsemi HUF75631S3S -
RFQ
ECAD 9981 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 40mohm @ 33a, 10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 v ± 20V 1220 pf @ 25 v - 120W (TC)
NTMFS4C810NAT1G onsemi NTMFS4C810NAT1G 0.4094
RFQ
ECAD 4481 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-ntmfs4c810nat1gtr 귀 99 8541.21.0095 1,500 n 채널 30 v 8.2A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 5.88mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 18.6 NC @ 10 v ± 20V 987 pf @ 15 v - 750MW (TA), 23.6W (TC)
SI7322ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7322ADN-T1-GE3 0.6800
RFQ
ECAD 6488 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7322 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 15.1A (TC) 10V 57mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 50 v - 26W (TC)
STW21N65M5 STMicroelectronics STW21N65M5 3.8400
RFQ
ECAD 74 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW21N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 17A (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 25V 1950 pf @ 100 v - 125W (TC)
IRFL9014 Vishay Siliconix IRFL9014 -
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFL9014 귀 99 8541.29.0095 80 p 채널 60 v 1.8A (TC) 10V 500mohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IXTY1R4N120P-TRL IXYS ixty1r4n120p-trl 2.0793
RFQ
ECAD 3386 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY1 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTY1R4N120P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 1200 v 1.4A (TC) 10V 13ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 100µa 24.8 nc @ 10 v ± 30V 666 pf @ 25 v - 86W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고