SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
FQI19N20CTU onsemi FQI19N20CTU -
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI1 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 19A (TC) 10V 170mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 139W (TC)
MSCSM70AM07T3AG Microchip Technology MSCSM70AM07T3AG 283.3800
RFQ
 ECAD 2599 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM70 실리콘 실리콘 (sic) 988W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM70AM07T3AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 700V 353A (TC) 6.4mohm @ 120a, 20V 2.4V @ 12mA 645NC @ 20V 13500pf @ 700V -
SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7414DN-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 7568 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 5.6A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 8.7a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
HUFA76629D3 onsemi HUFA76629D3 -
RFQ
 ECAD 2028 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA hufa76 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 20A (TC) 4.5V, 10V 52MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 16V 1285 pf @ 25 v - 110W (TC)
R6511END3TL1 Rohm Semiconductor r6511end3tl1 2.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6511 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-r6511end3tl1dkr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 320µA 32 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 124W (TC)
IRF6616TR1PBF Infineon Technologies IRF6616TR1PBF -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 19A (TA), 106A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 2.25V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3765 pf @ 20 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
BSP130,115 Nexperia USA Inc. BSP130,115 -
RFQ
 ECAD 3499 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 350MA (TA) 10V 6ohm @ 250ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
HUF75309D3S Fairchild Semiconductor HUF75309D3 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 55 v 19A (TC) 70mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 20 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 55W (TC)
MRF6S21100NR1 Freescale Semiconductor MRF6S21100NR1 57.3200
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 프리 프리 반도체 - 대부분 활동적인 68 v 표면 표면 TO-270AB 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 10µA 1.05 a 23W 14.5dB - 28 v
MRF5S9101NR1 Freescale Semiconductor MRF5S9101NR1 47.3000
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 프리 프리 반도체 - 대부분 활동적인 68 v 표면 표면 TO-270AB 869MHz ~ 960MHz - TO-270 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 500 - 10µA 700 MA 100W 17.5dB - 26 v
MRF6S27050HR5 Freescale Semiconductor MRF6S27050HR5 60.6700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 프리 프리 반도체 - 대부분 활동적인 68 v SOT-957A MRF6 2.62GHz LDMOS NI-780H-2L - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 - 500 MA 7W 16db - 28 v
PJQ4466AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4466AP_R2_00001 0.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4466 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4466AP_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 6A (TA), 33A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 2W (TA), 44.6W (TC)
SI6924AEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9759 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6924 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 28V 4.1a 33mohm @ 4.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
MRF5S19060NR1 NXP USA Inc. MRF5S19060NR1 -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 TO-270AB MRF5 1.99GHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 750 MA 12W 14db - 28 v
MRF8P23080HSR3 NXP USA Inc. MRF8P23080HSR3 -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 NI-780S-4L MRF8 2.3GHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935321471128 귀 99 8541.29.0075 250 이중 - 280 MA 16W 14.6dB - 28 v
MWT-PH27F Microwave Technology Inc. MWT-PH27F 12.6000
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 마이크로파 마이크로파 Inc. - 사례 활동적인 주사위 26GHz Phemt Fet 칩 다운로드 1 (무제한) 1203-MWT-PH27F 귀 99 8541.29.0095 10 120ma 1 MA 25dBm 14db - 3 v
SI4451DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4451DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4451 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 8.25mohm @ 14a, 4.5v 800MV @ 850µA 120 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
MRF101AN NXP USA Inc. MRF101AN 26.4000
RFQ
 ECAD 836 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 활동적인 133 v TO-220-3 MRF101 1.8MHz ~ 250MHz LDMOS TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 10µA 100 MA 115W 21.1db - 50 v
HUFA76407D3 onsemi HUFA76407D3 -
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA hufa76 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 16V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
FQAF16N25 onsemi FQAF16N25 -
RFQ
 ECAD 1420 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FQAF1 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 250 v 12.4A (TC) 10V 230mohm @ 6.2A, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 85W (TC)
BSN254,126 NXP USA Inc. BSN254,126 -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BSN2 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 310MA (TA) 2.4V, 10V 5ohm @ 300ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 1W (TA)
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4804CDY-T1-GE3 0.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4804 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 22mohm @ 7.5a, 10V 2.4V @ 250µA 23NC @ 10V 865pf @ 15V -
RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor RQ5H020TNTL 0.9300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5H020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 180mohm @ 2a, 4.v 1.5V @ 1mA 4.1 NC @ 4.5 v ± 12V 200 pf @ 10 v - 700MW (TA)
IXKP35N60C5 IXYS IXKP35N60C5 -
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXKP35 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 35A (TC) 10V 100mohm @ 18a, 10V 3.9V @ 1.2MA 70 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 100 v - -
CLF1G0035-50H Ampleon USA Inc. CLF1G0035-50H 295.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 활동적인 150 v SOT467C 3GHz 간 간 SOT467C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2 - 150 MA 50W 11.5dB - 50 v
FQI16N25CTU onsemi fqi16n25ctu -
RFQ
 ECAD 1232 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI1 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 15.6A (TC) 10V 270mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 53.5 nc @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 139W (TC)
DMN2029UVT-7 Diodes Incorporated DMN2029UVT-7 0.1127
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN2029 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN2029UVT-7DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 6.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 10V 646 pf @ 10 v - 700MW (TA)
DMT10H052LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-7 0.1686
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT10 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H052LFDF-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 5A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 5.4 NC @ 10 v ± 20V 258 pf @ 50 v - 800MW (TA)
PMCM4402UPEZ Nexperia USA Inc. PMCM4402UPEZ 0.4500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP PMCM4402 MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (0.78x0.78) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 9,000 p 채널 20 v 4.2A (TJ) 2.5V, 4.5V - - 6.2 NC @ 4.5 v ± 8V - 400MW
AON1605_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON1605_001 -
RFQ
 ECAD 3524 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn AON16 MOSFET (금속 (() 3-DFN (1.0 x 0.60) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 20 v 700MA (TA) 1.5V, 4.5V 710mohm @ 400ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 8V 50 pf @ 10 v - 900MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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