전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | FDMS5352 | 2.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS53 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 13.6A (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 13.6a, 10V | 3V @ 250µA | 131 NC @ 10 v | ± 20V | 6940 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||
![]() | BUZ73H3046XKSA1 | - | ![]() | 3475 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | buz73 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 7A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 530 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||
![]() | TD9944TG-G | 1.8900 | ![]() | 6573 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TD9944 | MOSFET (금속 (() | - | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,300 | 2 n 채널 (채널) | 240V | - | 6ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | - | 125pf @ 25V | - | ||||||||||||||
![]() | MCU95N06KY-TP | 1.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MCU95 | MOSFET (금속 (() | DPAK (TO-252) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 95A | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 72.84 NC @ 10 v | ± 20V | 4159 pf @ 30 v | - | 160W | ||||||||||||
![]() | DMP31D7LFB-7B | 0.0396 | ![]() | 5956 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-ufdfn | DMP31 | MOSFET (금속 (() | X1-DFN1006-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP31D7LFB-7BTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 30 v | 810MA (TA) | 4.5V, 10V | 900mohm @ 420ma, 10V | 2.6V @ 250µA | 0.36 nc @ 4.5 v | ± 20V | 19 pf @ 15 v | - | 530MW (TA) | |||||||||||||
![]() | IPD78CN10NGATMA1 | 0.8800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD78CN10 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 13A (TC) | 10V | 78mohm @ 13a, 10V | 4V @ 12µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 716 pf @ 50 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||
![]() | BLF8G24LS-200p, 118 | - | ![]() | 7147 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | SOT-539B | blf8g24 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | SOT539B | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934066303118 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 이중, 소스 일반적인 | - | 1.74 a | 60W | 17.2db | - | 28 v | |||||||||||||||
![]() | AOD458 | 0.3471 | ![]() | 6913 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD45 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 7a, 10V | 4.5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 770 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPD350N06LGBTMA1 | 0.9600 | ![]() | 5454 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD350 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 29A (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 29a, 10V | 2V @ 28µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | 800 pf @ 30 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||
![]() | ixfn300n10p | 48.2300 | ![]() | 6259 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN300 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 100 v | 295A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 50a, 10V | 5V @ 8MA | 279 NC @ 10 v | ± 20V | 23000 pf @ 25 v | - | 1070W (TC) | ||||||||||||
![]() | PMZB420UN | - | ![]() | 9917 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7821PBF | - | ![]() | 3917 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001566368 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,800 | n 채널 | 30 v | 13.6A (TA) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 13a, 10V | 1V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1010 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
![]() | AOTF160A60L | 3.2400 | ![]() | 615 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF160 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOTF160A60L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 24A (TJ) | 10V | 160mohm @ 12a, 10V | 3.6V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 100 v | - | 34.7W (TC) | |||||||||||
![]() | IPTC020N13NM6ATMA1 | 4.5336 | ![]() | 4576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IPTC020N13NM6ATMA1TR | 1,800 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTA300N04T2-7 | 5.2412 | ![]() | 2233 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IXTA300 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 (IXTA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 300A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 10700 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | ||||||||||||
![]() | SQA401EJ-T1_GE3 | 0.6300 | ![]() | 2854 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SQA401 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.75A (TC) | 2.5V, 4.5V | 125mohm @ 2.4a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 5.5 NC @ 4.5 v | ± 12V | 330 pf @ 10 v | - | 13.6W (TC) | |||||||||||||
![]() | BLC2425M8LS300PZ | 123.8550 | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 65 v | 표면 표면 | SOT1250-1 | BLC2425 | 2.45GHz | LDMOS | SOT1250-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | - | 20 MA | 300W | 17.5dB | - | 32 v | |||||||||||||||
![]() | FDMS5361L-F085 | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 56 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-FDMS5361L-F085-600039 | 1 | n 채널 | 60 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 16.5a, 10V | 3V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1980 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||
STP11NM80 | 6.3500 | ![]() | 7267 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP11 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4369-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 11A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 43.6 NC @ 10 v | ± 30V | 1630 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||
UPA2379T1P-E1-A | - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-XFLGA | UPA2379 | MOSFET (금속 (() | 1.8W | 6-Eflip-LGA (2.17x1.47) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | - | - | - | - | 20nc @ 4v | - | 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브 | |||||||||||||||
![]() | NTTFS5C670NLTWG | 0.8737 | ![]() | 8022 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS5 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 16A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 35a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.2W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||
![]() | ald1110epal | 6.8234 | ![]() | 6708 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1110 | MOSFET (금속 (() | 600MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10V | - | 500ohm @ 5V | 1.01V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||||||||||
![]() | UPA2454TL-E1-A | 0.8000 | ![]() | 152 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-521P8-TR1 | - | ![]() | 6994 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 7 v | 8-Wfdfn d 패드 패드 | 2GHz | Phemt Fet | 8-LPCC (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 500ma | 200 MA | 26.5dBM | 17dB | 1.5dB | 4.5 v | |||||||||||||||||||
![]() | SSM3J56ACT, L3F | 0.3900 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosvi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | SSM3J56 | MOSFET (금속 (() | CST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 1.4A (TA) | 1.2V, 4.5V | 390mohm @ 800ma, 4.5v | 1V @ 1mA | 1.6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 100 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||
AON6448L | - | ![]() | 9911 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON644 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 11A (TA), 65A (TC) | 7V, 10V | 9.6MOHM @ 10A, 10V | 3.7V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 25V | 3100 pf @ 40 v | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||
![]() | AOD409_001 | - | ![]() | 7144 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD40 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||
![]() | ixfp36n55x2 | 8.8776 | ![]() | 1281 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X2 | 튜브 | 활동적인 | - | - | - | IXFP36 | - | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXFP36N55X2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | YJS15G10A | 0.4210 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJS15G10ATR | 귀 99 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
NTQD6866R2 | - | ![]() | 2979 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | NTQD68 | MOSFET (금속 (() | 940MW | 8-tssop | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | NTQD6866R2OS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4.7a | 32mohm @ 6.9a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 22NC @ 4.5V | 1400pf @ 16v | 논리 논리 게이트 |
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