전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | MWT-LN300 | 31.7800 | ![]() | 708 | 0.00000000 | 마이크로파 마이크로파 Inc. | - | 사례 | 활동적인 | 4 v | 주사위 | 26GHz | Phemt Fet | 주사위 | 다운로드 | 1 (무제한) | 1203-MWT-LN300 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 10 | - | 25 MA | - | 10db | 0.6dB | 2.5 v | |||||||||||||||||||
![]() | AOTF600A60L | 0.8024 | ![]() | 4025 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF600 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AoTF600A60L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 8A (TJ) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 250µA | 11.5 nc @ 10 v | ± 20V | 608 pf @ 100 v | - | 27.5W (TC) | |||||||||||
![]() | NVMFD5C650NLT1G | 4.8000 | ![]() | 9892 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMFD5 | MOSFET (금속 (() | 3.5W (TA), 125W (TC) | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 21A (TA), 111A (TC) | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 98µA | 16nc @ 4.5v | 2546pf @ 25v | - | ||||||||||||||
![]() | 2SK3353-AZ | 3.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-2SK3353-AZ | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 82A (TC) | 4V, 10V | 9.5mohm @ 41a, 10V | 2.5V @ 1mA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 4650 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA), 95W (TC) | |||||||||||||
![]() | AON2401 | - | ![]() | 6594 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | AON24 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 8A (TA) | 1.2V, 2.5V | 22mohm @ 8a, 2.5v | 650MV @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 5V | 1465 pf @ 4 v | - | 2.8W (TA) | |||||||||||||
![]() | sir836dp-t1-ge3 | 0.8300 | ![]() | 3788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir836 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 21A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 20 v | - | 3.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||||||||||
![]() | BG3430RH6327XTSA1 | - | ![]() | 9448 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 8 v | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 25MA | 14 MA | - | 25db | 1.3db | 5 v | |||||||||||||||||
![]() | SIE802DF-T1-E3 | 1.8574 | ![]() | 5701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE802 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 23.6a, 10V | 2.7V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 7000 pf @ 15 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||
![]() | NVMFS5C604NLWFT1G | 6.1200 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 40A (TA), 287A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 8900 pf @ 25 v | - | 3.9W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRF3706 | - | ![]() | 7721 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3706 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 77A (TC) | 2.8V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2410 pf @ 10 v | - | 88W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRFZ24SPBF | 2.4800 | ![]() | 741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ24 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 17A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||
![]() | DMN6069SFG-13 | 0.2279 | ![]() | 7807 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMN6069 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 5.6A (TA), 18A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.5a, 10V | 3V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1480 pf @ 30 v | - | 930MW (TA) | ||||||||||||
![]() | R6020ENXC7G | 5.3400 | ![]() | 956 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | R6020 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-R6020ENXC7G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20A (TA) | 10V | 196MOHM @ 9.5A, 10V | 4V @ 1MA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||
![]() | TPS1101D | 2.6800 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TPS1101 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 75 | p 채널 | 15 v | 2.3A (TA) | 2.7V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 1.5V @ 250µA | 11.25 NC @ 10 v | +2V, -15V | - | 791MW (TA) | |||||||||||||
![]() | CCB016M12GM3T | 329.7700 | ![]() | 7808 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 상자 | 활동적인 | CCB016 | - | 적용 적용 수 할 | 1697-CCB016M12GM3T | 18 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI7900AEDN-T1-GE3 | 0.4998 | ![]() | 2939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7900 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 6A | 26mohm @ 8.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 16nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | VN2410L-G-P014 | 0.9800 | ![]() | 5317 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | VN2410 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 240 v | 190ma (TJ) | 2.5V, 10V | 10ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 125 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||
![]() | pmcxb900uelz | 0.4200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xfdfn 노출 패드 | PMCXB900 | MOSFET (금속 (() | 380MW | DFN1010B-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | n 보완 p 채널 및 | 20V | 600ma | 620mohm @ 600ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 21.3pf @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | IRFS7430PBF | - | ![]() | 9018 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001578352 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nc @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||
STP15N60M2-EP | 2.0100 | ![]() | 334 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2-EP | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP15 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 378mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 25V | 590 pf @ 100 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||
![]() | AOTF66616L | 2.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF66616 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1824 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 38A (TA), 72.5A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 20a, 10V | 3.4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2870 pf @ 30 v | - | 8.3W (TA), 30W (TC) | |||||||||||
![]() | GT035N10M | 2.8500 | ![]() | 739 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0000 | 800 | n 채널 | 100 v | 190a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 6188 pf @ 50 v | - | 277W (TC) | ||||||||||||||
AOL1240 | 0.6674 | ![]() | 3543 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-powersmd, 평평한 리드 | AOL12 | MOSFET (금속 (() | 초음파 8 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 69A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50.5 nc @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 20 v | - | 2.1W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||
![]() | BLF8G24LS-200p, 112 | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | SOT-539B | blf8g24 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | SOT539B | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | - | 1.74 a | 60W | 17.2db | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | MRF5S19150HSR5 | - | ![]() | 1527 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | NI-880S | MRF5 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4 a | 32W | 14db | - | 28 v | |||||||||||||||||
![]() | nif9n05clt3g-sy | 0.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | blp10h690pgy | - | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 110 v | 표면 표면 | 4- 베스 외 (0.173 ", 4.40mm 너비) | BLP10 | 1GHz | LDMOS | 4-HSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 934960012518 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 1.4µA | 60 MA | 90W | 18db | - | 50 v | ||||||||||||||||
![]() | IXTH20N65X | 10.4900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | ixys | x. x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH20 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 210mohm @ 10a, 10V | 5.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1390 pf @ 25 v | - | 320W (TC) | ||||||||||||
![]() | FQPF13N10 | 0.6100 | ![]() | 146 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 8.7A (TC) | 10V | 180mohm @ 4.35a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 25V | 450 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||||
AON6586 | - | ![]() | 3582 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON658 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 41W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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