SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
PD54003-E STMicroelectronics PD54003-E 8.0223
RFQ
ECAD 3284 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 25 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD54003 500MHz LDMOS 10-Powerso 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 4a 50 MA 3W 12db - 7.5 v
IRFPC50 Vishay Siliconix IRFPC50 -
RFQ
ECAD 8089 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPC50 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 600mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 180W (TC)
APT33N90JCU3 Microchip Technology APT33N90JCU3 -
RFQ
ECAD 2723 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() SOT-227 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 900 v 33A (TC) 10V 120mohm @ 26a, 10V 3.5v @ 3ma 270 nc @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 100 v - 290W (TC)
IRLI2203N Infineon Technologies irli2203n -
RFQ
ECAD 1202 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLI2203N 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 61A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 37a, 10V 1V @ 250µA 110 NC @ 4.5 v ± 16V 3500 pf @ 25 v - 47W (TC)
NTGS3433T1 onsemi NTGS3433T1 0.0900
RFQ
ECAD 50 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 NTGS34 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
BSS123K-13 Diodes Incorporated BSS123K-13 0.1266
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BSS123K-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA 1.3 NC @ 10 v ± 20V 38 pf @ 50 v - 500MW (TA)
2SK1920-E onsemi 2SK1920-E 0.8300
RFQ
ECAD 46 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRFD320 Harris Corporation IRFD320 1.9400
RFQ
ECAD 812 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 400 v 490MA (TA) 1.8ohm @ 210ma, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSS316NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS316NL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 8612 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.4A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 1.4a, 10V 2V @ 3.7µA 0.6 nc @ 5 v ± 20V 94 pf @ 15 v - 500MW (TA)
SI4336DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4336DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8821 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4336 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA) 4.5V, 10V 3.25mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5600 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPB048N15N5ATMA1 8.3800
RFQ
ECAD 770 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB048 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 120A (TC) 8V, 10V 4.8mohm @ 60a, 10V 4.6V @ 264µA 100 nc @ 10 v ± 20V 7800 pf @ 75 v - 300W (TC)
SI7892BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7892BDP-T1-GE3 1.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7892 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 3775 pf @ 15 v - 1.8W (TA)
IRFD9120 Vishay Siliconix IRFD9120 -
RFQ
ECAD 1664 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD9120 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 1A (TA) 10V 600mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IRFR9310 Vishay Siliconix IRFR9310 -
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9310 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
PTFA210701EV4T500XWSA1 Infineon Technologies PTFA210701EV4T500XWSA1 -
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 H-36265-2 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS H-36265-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000393362 귀 99 8541.29.0095 500 - 550 MA 18W 16.5dB - 30 v
IRFBE30 Vishay Siliconix IRFBE30 -
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBE30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBE30 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
BSC889N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC889N03MSGATMA1 -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 12A (TA) 44A (TC) 4.5V, 10V 9.1MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
IRFR3911TRPBF Infineon Technologies irfr3911trpbf -
RFQ
ECAD 6687 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560664 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 115mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 56W (TC)
IPP065N04N G Infineon Technologies IPP065N04N g -
RFQ
ECAD 4903 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP065N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 6.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 200µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 20 v - 68W (TC)
AOB2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2144L 1.6583
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB21 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOB2144LTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 205A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 187W (TC)
MCCD2007A-TP Micro Commercial Co MCCD2007A-TP -
RFQ
ECAD 3189 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 MCCD2007 MOSFET (금속 (() - DFN2030-6 - 353-MCCD2007A-TP 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 7a 20mohm @ 7a, 10V 1V @ 250µA 15NC @ 4.5V 1150pf @ 10V -
2SK1167-E Renesas Electronics America Inc 2SK1167-E 1.0000
RFQ
ECAD 3099 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BS870-7-F Diodes Incorporated BS870-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BS870 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 300MW (TA)
NVBLS0D5N04M8TXG onsemi NVBLS0D5N04M8TXG -
RFQ
ECAD 2417 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn NVBLS0 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 300A (TC) 10V 0.57mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 296 NC @ 10 v ± 20V 15900 pf @ 25 v - 429W (TJ)
FCH041N65F-F085 Fairchild Semiconductor FCH041N65F-F085 9.5400
RFQ
ECAD 163 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 35 n 채널 650 v 76A (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 304 NC @ 10 v ± 20V 13566 pf @ 25 v - 595W (TC)
ZXMP10A17GTA Diodes Incorporated ZXMP10A17GTA 0.3360
RFQ
ECAD 1944 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP10 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 1.7A (TA) 6V, 10V 350mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 10.7 NC @ 10 v ± 20V 424 pf @ 50 v - 2W (TA)
BMS4007 onsemi BMS4007 -
RFQ
ECAD 9605 0.00000000 온세미 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 BMS40 MOSFET (금속 (() TO-220ML 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 75 v 60A (TA) 10V 7.8mohm @ 30a, 10V - 160 nc @ 10 v ± 20V 9700 pf @ 20 v - 2W (TA), 30W (TC)
SPB80N10L G Infineon Technologies SPB80N10L g -
RFQ
ECAD 9920 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 58a, 10V 2V @ 2MA 240 NC @ 10 v ± 20V 4540 pf @ 25 v - 250W (TC)
NVMFS5C410NLT3G onsemi NVMFS5C410NLT3G -
RFQ
ECAD 7556 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 48A (TA), 315A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 20V 8862 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 167W (TC)
NTMFS4841NHT1G onsemi NTMFS4841NHT1G 0.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4841 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 8.6A (TA), 59A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 11.5 v ± 20V 2113 pf @ 12 v - 870MW (TA), 41.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고