전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GA50JT17-247 | - | ![]() | 5672 | 0.00000000 | 유전자 유전자 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) | TO-247 | 다운로드 | 1 (무제한) | 1242-1247 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1700 v | 100A (TC) | - | 25mohm @ 50a | - | - | - | 583W (TC) | ||||||
![]() | RCD041N25TL | 0.2664 | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RCD041 | MOSFET (금속 (() | CPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 4A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2a, 10V | 5.5V @ 1mA | 8.5 NC @ 10 v | ± 30V | 350 pf @ 25 v | - | 850MW (TA), 29W (TC) | ||
![]() | IRFH7934TR2PBF | - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 30 v | 24A (TA), 76A (TC) | 3.5mohm @ 24a, 10V | 2.35V @ 50µA | 30 nc @ 4.5 v | 3100 pf @ 15 v | - | ||||||||
IXFA24N60X | 4.5712 | ![]() | 1850 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA24 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA (IXFA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 24A (TC) | 10V | 175mohm @ 12a, 10V | 4.5V @ 2.5MA | 47 NC @ 10 v | ± 30V | 1910 pf @ 25 v | - | 400W (TC) | |||
![]() | TSM60NC196CI | 4.2719 | ![]() | 1888 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | TSM60 | MOSFET (금속 (() | ITO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM60NC196CI | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 196MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 1MA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1535 pf @ 300 v | - | 70W (TC) | ||
![]() | php110nq08lt, 127 | - | ![]() | 5437 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP11 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 127.3 NC @ 10 v | ± 20V | 6631 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||
![]() | ntlus4930ntbg | - | ![]() | 5099 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | NTLUS4930 | MOSFET (금속 (() | 6-udfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.8A (TA) | 4.5V, 10V | 28.5mohm @ 6.1a, 10V | 2.2V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 476 pf @ 15 v | - | 650MW (TA) | ||
![]() | PHU77NQ03T, 127 | - | ![]() | 8351 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | PHU77 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 25 v | 75A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 25a, 10V | 3.2v @ 1ma | 17.1 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 12 v | - | 107W (TC) | ||
![]() | BUK7107-55ATE, 118 | - | ![]() | 3732 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 116 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | 온도 온도 다이오드 | 272W (TC) | |||
![]() | STD5NK40Z-1 | 1.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | STD5NK40 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 400 v | 3A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 305 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||
Ski04033 | 1.3500 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 산켄 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 58.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 63.2 NC @ 10 v | ± 20V | 3910 pf @ 25 v | - | 116W (TC) | |||||
![]() | IRF3711ZCSTRRP | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 92A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 2.45V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2150 pf @ 10 v | - | 79W (TC) | ||||
SUP70060E-GE3 | 2.0800 | ![]() | 4366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup70060 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 131A (TC) | 7.5V, 10V | 5.8mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 3330 pf @ 50 v | - | 200W (TC) | ||||
![]() | G15N06K | 0.5300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 8a, 10V | 3V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 763 pf @ 30 v | - | 40W (TC) | |||
![]() | SQS180ENW-T1_GE3 | 1.0600 | ![]() | 9668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SLW | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | n 채널 | 80 v | 72A (TC) | 10V | 8.67mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 3092 pf @ 25 v | - | 119W (TC) | ||||||
![]() | IRFP245 | 1.5400 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 340mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
![]() | FQA8N100C | 4.8200 | ![]() | 4195 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA8 | MOSFET (금속 (() | 3pn | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 8A (TC) | 10V | 1.45ohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 30V | 3220 pf @ 25 v | - | 225W (TC) | ||
![]() | UPA1770G-E1-A | - | ![]() | 9260 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 6A (TJ) | |||||||||||||||||||
![]() | SIL3407-TP | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | SIL3407 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.1A (TJ) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 700 pf @ 15 v | - | 350MW | |||
![]() | TPH2010FNH, L1Q | 1.6200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPH2010 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 250 v | 5.6A (TA) | 10V | 198mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 200µA | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 100 v | - | 1.6W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | fqa7n60 | - | ![]() | 4474 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA7 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 600 v | 7.7A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.9a, 10V | 5V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 1430 pf @ 25 v | - | 152W (TC) | |||
![]() | IRF6603TR1 | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mt | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001531594 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 27A (TA), 92A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 NC @ 4.5 v | +20V, -12V | 6590 pf @ 15 v | - | 3.6W (TA), 42W (TC) | |||
stp9nm60n | 2.7000 | ![]() | 6623 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP9NM60 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.5A (TC) | 10V | 745mohm @ 3.25a, 10V | 4V @ 250µA | 17.4 NC @ 10 v | ± 25V | 452 pf @ 50 v | - | 70W (TC) | |||
![]() | IRLR2905CPBF | - | ![]() | 9705 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 36A (TA) | - | - | - | - | ||||||||
![]() | STB30NF20 | 2.5900 | ![]() | 5705 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB30 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 30A (TC) | 10V | 75mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1597 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||
![]() | IRL1404LPBF | - | ![]() | 5088 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 4.3V, 10V | 4mohm @ 95a, 10V | 3V @ 250µA | 140 nc @ 5 v | ± 20V | 6600 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||
![]() | STB21N90K5 | 6.6500 | ![]() | 3664 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB21 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 18.5A (TC) | 10V | 299mohm @ 9a, 10V | 5V @ 100µa | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1645 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||
![]() | STB33N60M2 | 4.6400 | ![]() | 2652 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB33 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 26A (TC) | 10V | 125mohm @ 13a, 10V | 4V @ 250µA | 45.5 nc @ 10 v | ± 25V | 1781 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||
![]() | APT5020BVFRG | 10.6100 | ![]() | 6646 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT5020 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 26A (TC) | 200mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 v | 4440 pf @ 25 v | - | ||||||
![]() | zvp2120astoa | - | ![]() | 5514 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | ZVP2120 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | 200 v | 120MA (TA) | 10V | 25ohm @ 150ma, 10V | 3.5V @ 1mA | ± 20V | 100 pf @ 25 v | - | 700MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고