전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDMC8854 | - | ![]() | 5759 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | FDMC88 | MOSFET (금속 (() | 8MLP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 3405 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 41W (TC) | ||
![]() | FQPF13N06 | - | ![]() | 4116 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF1 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 9.4A (TC) | 10V | 135mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 25V | 310 pf @ 25 v | - | 24W (TC) | |||
![]() | FCPF650N80Z | - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Superfet® II | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF650 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 650mohm @ 4a, 10V | 4.5V @ 800µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1565 pf @ 100 v | - | 30.5W (TC) | |||||
![]() | IPB023N04NF2SATMA1 | 1.8900 | ![]() | 780 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB023 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 30A (TA), 122A (TC) | 6V, 10V | 2.35mohm @ 70a, 10V | 3.4V @ 81µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 20 v | - | 3.8W (TA), 150W (TC) | ||
![]() | SIE812DF-T1-E3 | 1.7317 | ![]() | 3235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE812 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 8300 pf @ 20 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||
![]() | FQAF28N15 | - | ![]() | 6256 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FQAF2 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 22A (TC) | 10V | 90mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 25V | 1600 pf @ 25 v | - | 102W (TC) | |||
![]() | SI2318A | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 4.3A (TA), 5.6A (TC) | 4.5V, 10V | 42MOHM @ 4.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9 NC @ 20 v | ± 20V | 340 pf @ 20 v | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
![]() | stwa68n65dm6ag | 7.9990 | ![]() | 9113 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STWA68 | MOSFET (금속 (() | TO-247 긴 7 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-STWA68N65DM6AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 650 v | 72A (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10V | 4.75V @ 250µA | 118 NC @ 10 v | ± 25V | 5900 pf @ 100 v | - | 480W (TC) | ||
![]() | SIHD11N80AE-T1-GE3 | 1.8000 | ![]() | 7909 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 804 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||
![]() | DMP26M1UFG-13 | 0.3207 | ![]() | 1240 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMP26 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP26M1UFG-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 71A (TC) | 1.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | 164 NC @ 10 v | ± 10V | 5392 pf @ 10 v | - | 1.67W (TA), 3W (TC) | |||
BST82,235 | 0.4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BST82 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 100 v | 190ma (TA) | 5V | 10ohm @ 150ma, 5V | 2V @ 1mA | ± 20V | 40 pf @ 10 v | - | 830MW (TC) | ||||
![]() | BSS84PW L6327 | - | ![]() | 6861 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 150MA (TA) | 4.5V, 10V | 8ohm @ 150ma, 10V | 2V @ 20µA | 1.5 nc @ 10 v | ± 20V | 19.1 pf @ 25 v | - | 300MW (TA) | ||||
![]() | RFD3055LE | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | RFD3055 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | RFD3055LE-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 11A (TC) | 5V | 107mohm @ 8a, 5V | 3V @ 250µA | 11.3 NC @ 10 v | ± 16V | 350 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | |
![]() | BUK9509-40B, 127 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | buk95 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | IRFW630BTM_FP001 | 0.4300 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 720 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 72W (TC) | |||
![]() | AUIRF2903ZL | - | ![]() | 7839 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520876 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 160A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6320 pf @ 25 v | - | 231W (TC) | |||
![]() | IPD031N03LGBTMA1 | 0.5302 | ![]() | 2998 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD031 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000236957 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 15 v | - | 94W (TC) | |
![]() | IPD50P03P4L11ATMA1 | 1.5700 | ![]() | 9014 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 50a, 10V | 2V @ 85µA | 55 NC @ 10 v | +5V, -16V | 3770 pf @ 25 v | - | 58W (TC) | ||
![]() | AOK10N90 | - | ![]() | 2897 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AOK10 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 900 v | 10A (TC) | 10V | 980mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 30V | 3160 pf @ 25 v | - | 403W (TC) | |||
NTTFS008P03P8Z | 3.1400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS008 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 22A (TA), 96A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 134 NC @ 10 v | ± 25V | 5600 pf @ 15 v | - | 2.36W (TA), 50W (TC) | |||
![]() | FQB19N20LTM | 1.7000 | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB19N20 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 21A (TC) | 5V, 10V | 140mohm @ 10.5a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 140W (TC) | ||
![]() | BUK6607-75C, 118 | - | ![]() | 9969 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 75 v | 100A (TC) | 10V | 7mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 123 NC @ 10 v | ± 16V | 7600 pf @ 25 v | - | 204W (TC) | ||||||
![]() | IRFBL3315 | - | ![]() | 8515 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | d2-pak | MOSFET (금속 (() | d2-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 21A (TA) | - | - | - | - | ||||||||
![]() | RS1E350BNTB | 1.7400 | ![]() | 920 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | RS1E | MOSFET (금속 (() | 8 시간 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 35A (TA) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 1mA | 185 NC @ 10 v | ± 20V | 7900 pf @ 15 v | - | 35W (TC) | ||
![]() | NVMFS5C604NLWFAFT3G | 2.7714 | ![]() | 8233 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 287A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 52 NC @ 4.5 v | ± 20V | 8900 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||
![]() | TSM2323CX RFG | 0.5200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2323 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12.5 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1020 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | ||
![]() | RJK5014DPK-00#T0 | - | ![]() | 2815 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | RJK5014 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IPC26N12NX1SA1 | 3.4959 | ![]() | 6050 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 주사위 | IPC26N | MOSFET (금속 (() | 호일에 호일에 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 120 v | 1A (TJ) | 10V | 100mohm @ 2a, 10V | 4V @ 244µA | - | - | - | ||||
![]() | ixft88n28p | - | ![]() | 6631 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | IXFT88 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | ||||||||||||||||||
![]() | fca20n60fs | - | ![]() | 5792 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FCA20 | MOSFET (금속 (() | 3pn | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 3080 pf @ 25 v | - | 208W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고