SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
TSM250NB06CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06CV RGG 1.5500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM250 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.15x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 6A (TA), 28A (TC) 7V, 10V 25mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 30 v - 1.9W (TA), 42W (TC)
RDD020N50TL Rohm Semiconductor RDD020N50TL 0.6086
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 RDD020 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
FDC5661N-F086 onsemi FDC5661N-F086 -
RFQ
ECAD 8250 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC5661 MOSFET (금속 (() TSOT-23-6 - 488-FDC5661N-F086TR 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 47mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 763 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
AOTF298L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF298L -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF298 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1382-5 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 9A (TA), 33A (TC) 10V 14.5mohm @ 20a, 10V 4.1V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 33W (TC)
IXFR26N120P IXYS ixfr26n120p 35.1193
RFQ
ECAD 6209 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR26 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 15A (TC) 10V 500mohm @ 13a, 10V 6.5V @ 1mA 225 NC @ 10 v ± 30V 14000 pf @ 25 v - 320W (TC)
NTMFS016N06CT1G onsemi NTMFS016N06CT1G 0.7724
RFQ
ECAD 1035 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS016 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTMFS016N06CT1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 10A (TA), 33A (TC) 10V 15.6mohm @ 5a, 10V 4V @ 25µA 6.9 NC @ 10 v ± 20V 489 pf @ 30 v - 3.4W (TA), 36W (TC)
NXV40UNR Nexperia USA Inc. NXV40UNR 0.4400
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5v 950MV @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 8V 347 pf @ 10 v - 340MW (TA), 2.1W (TC)
2SK3902-ZK-E1-AY Renesas 2SK3902-ZK-E1-ay 1.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3902-ZK-E1-ay 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 25 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 45W (TC)
HAT1096C-EL-E Renesas HAT1096C-EL-E 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-CMFPAK 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HAT1096C-EL-E 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 1A (TA) 2.5V, 4.5V 293mohm @ 500µa, 4.5v 1.4V @ 1mA 2 nc @ 4.5 v ± 12V 155 pf @ 10 v - 790MW (TA)
ECH8420-TL-H onsemi ECH8420-TL-H 0.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8420 MOSFET (금속 (() 8- 초 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 14A (TA) 1.8V, 4.5V 6.8mohm @ 7a, 4.5v - 29 NC @ 4.5 v ± 12V 2430 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
IXFT52N30Q TRL IXYS IXFT52N30Q TRL -
RFQ
ECAD 3258 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT52 MOSFET (금속 (() TO-268 (IXFT) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 52A (TC) 10V 60mohm @ 26a, 10V 4V @ 4MA 150 nc @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 360W (TC)
APT80SM120J Microsemi Corporation APT80SM120J -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 sicfet ((카바이드) SOT-227 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 51A (TC) 20V 55mohm @ 40a, 20V 2.5V @ 1mA 235 NC @ 20 v +25V, -10V - 273W (TC)
ATP113-TL-H onsemi ATP113-TL-H 1.5900
RFQ
ECAD 8535 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP113 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 35A (TA) 4V, 10V 29.5mohm @ 18a, 10V - 55 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 50W (TC)
DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated DMT34M1LPS-13 0.2440
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT34 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2242 pf @ 15 v - 42W (TC)
IXTP3N110 IXYS IXTP3N110 -
RFQ
ECAD 3982 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1100 v 3A (TC) 10V 4ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 150W (TC)
YJS4447B Yangjie Technology YJS4447B 0.3010
RFQ
ECAD 400 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJS4447BTR 귀 99 4,000
TSM60N600CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CI C0G 0.9062
RFQ
ECAD 4036 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 743 pf @ 100 v - 83W (TC)
PJA3415AE-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3415AE-AU_R1_000A1 0.4000
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3415 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pja3415ae-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 4.3a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 8V 907 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
IPSH5N03LA G Infineon Technologies ipsh5n03la g -
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPSH5N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 35µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2653 pf @ 15 v - 83W (TC)
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989, F (J. -
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2989 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
DMP3008SFG-13 Diodes Incorporated DMP3008SFG-13 0.2175
RFQ
ECAD 8642 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP3008SFG-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2230 pf @ 15 v - 900MW (TA)
IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA028N08N3GXKSA1 -
RFQ
ECAD 7935 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA028 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 89A (TC) 6V, 10V 2.8mohm @ 89a, 10V 3.5V @ 270µA 206 NC @ 10 v ± 20V 14200 pf @ 40 v - 42W (TC)
IXTA32P05T-TRL IXYS IXTA32P05T-TRL 1.7646
RFQ
ECAD 6930 0.00000000 ixys Trenchp ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA32 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA32P05T-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 50 v 32A (TC) 10V 39mohm @ 16a, 10V 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 15V 1975 pf @ 25 v - 83W (TC)
IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R900P7SATMA1 0.7800
RFQ
ECAD 7992 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN70R900 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60µA 6.8 NC @ 10 v ± 16V 211 PF @ 400 v - 6.5W (TC)
AOT15S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT15S65L 2.8200
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT15 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 30V 841 pf @ 100 v - 208W (TC)
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 25 v - 157W (TC)
PHM2230DLS/1X Nexperia USA Inc. PHM2230DLS/1X -
RFQ
ECAD 4882 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PHM2230DLS/1X 쓸모없는 1
IRFR120NTRRPBF International Rectifier irfr120ntrrpbf -
RFQ
ECAD 9869 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 145 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
PJMF390N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF390N65EC_T0_00001 3.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF390 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF390N65EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 390mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 726 pf @ 400 v - 29.5W (TC)
HUF75329S3 onsemi HUF75329S3 -
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고