SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FQPF27N25 onsemi FQPF27N25 2.6500
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF27 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 110mohm @ 7a, 10V 5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 30V 2450 pf @ 25 v - 55W (TC)
PJP7NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJP7NA80_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP7 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP7NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TA) 10V 1.55ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1082 pf @ 25 v - 154W (TC)
DI049N06PTK Diotec Semiconductor di049n06ptk 0.8306
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di049n06ptktr 8541.29.0000 5,000 n 채널 49a 25W
FQPF7P20 onsemi FQPF7P20 1.6100
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF7 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 690mohm @ 2.6a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 770 pf @ 25 v - 45W (TC)
SQD40N06-14L_GE3 Vishay Siliconix SQD40N06-14L_GE3 1.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2105 pf @ 25 v - 75W (TC)
NTB52N10G onsemi NTB52N10G -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB52 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 52A (TC) 10V 30mohm @ 26a, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 25 v - 2W (TA), 178W (TC)
STP105N3LL STMicroelectronics stp105n3ll 1.5200
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP105 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 140W (TC)
IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA075N15N3GXKSA1 7.8100
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA075 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 43A (TC) 8V, 10V 7.5mohm @ 43a, 10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 v ± 20V 7280 pf @ 75 v - 39W (TC)
FDD6637 onsemi FDD6637 1.6600
RFQ
 ECAD 5703 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD663 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 35 v 13A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 25V 2370 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 57W (TC)
DMG3413L-7 Diodes Incorporated DMG3413L-7 -
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3413 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 8V 857 pf @ 10 v - 700MW (TA)
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0.9200
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 250 v 11.4A (TC) 10V 270mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 53.5 nc @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 73W (TC)
SI3473CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-E3 0.7100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 8.1a, 4.5v 1V @ 250µA 65 NC @ 8 v ± 8V 2010 pf @ 6 v - 4.2W (TC)
IPA50R140CP Infineon Technologies IPA50R140CP -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8542.39.0001 80 n 채널 500 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 3.5V @ 930µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 100 v - 34W (TC)
DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated DMN30H4D0L-13 0.1616
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN30 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 300 v 250MA (TA) 2.7V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 7.6 NC @ 10 v ± 20V 187.3 pf @ 25 v - 310MW (TA)
IRL3715ZCSTRLP Infineon Technologies IRL3715ZCSTRLP -
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
FDB0170N607L Fairchild Semiconductor FDB0170N607L -
RFQ
 ECAD 3824 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 300A (TC) 10V 1.4mohm @ 39a, 10V 4V @ 250µA 243 NC @ 10 v ± 20V 19250 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
AO3404 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3404 -
RFQ
 ECAD 3326 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5a, 10V 2.4V @ 250µA 6.3 NC @ 10 v ± 20V 310 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN020-100ys, 115 1.1300
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN020 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 43A (TC) 10V 20.5mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 41 NC @ 10 v ± 20V 2210 pf @ 50 v - 106W (TC)
SIHA21N65EF-E3 Vishay Siliconix SIHA21N65EF-E3 2.4652
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA21 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 30V 2322 pf @ 100 v - 35W (TC)
BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies BSZ042N06NSATMA1 1.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ042 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 17A (TA), 40A (TC) 6V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 2.8V @ 36µA 27 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 69W (TC)
IPD90N10S4L06ATMA1 Infineon Technologies IPD90N10S4L06ATMA1 2.9400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 90A (TC) 4.5V, 10V 6.6MOHM @ 90A, 10V 2.1V @ 90µA 98 NC @ 10 v ± 16V 6250 pf @ 25 v - 136W (TC)
SQJQ184ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ184ER-T1_GE3 3.6700
RFQ
 ECAD 451 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 430A (TC) 10V 1.4mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 16009 pf @ 25 v - 600W (TC)
IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPB200N15N3GATMA1 3.1500
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB200 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 50A (TC) 8V, 10V 20mohm @ 50a, 10V 4V @ 90µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1820 pf @ 75 v - 150W (TC)
2SJ529-91L-E Renesas Electronics America Inc 2SJ529-91L-E 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated DMN2400UFD-7 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMN2400 MOSFET (금속 (() X1-DFN1212-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 900MA (TA) 1.5V, 4.5V 600mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 500 NC @ 4.5 v ± 12V 37 pf @ 16 v - 400MW (TA)
IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies IRFHS9301TRPBF 0.7700
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powervdfn IRFHS9301 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 6A (TA), 13A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 7.8a, 10V 2.4V @ 25µA 13 nc @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 2.1W (TA)
IPA60R750E6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R750E6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R750 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 5.7A (TC) 10V 750mohm @ 2a, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 373 PF @ 100 v - 27W (TC)
IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R299CPATMA1 -
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CP 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 96W (TC)
FQPF12P10 onsemi FQPF12P10 -
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 8.2A (TC) 10V 290mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 38W (TC)
FDMS5362LF085 Fairchild Semiconductor FDMS5362LF085 -
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.29.0095 526 n 채널 60 v 17.6A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 17.6a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 878 pf @ 25 v - 41.7W (TJ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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