SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BSC882N03LSG Infineon Technologies BSC882N03LSG -
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3m 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 34 v - 10V 4.2MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 3700 pf @ 15 v - -
STF18N55M5 STMicroelectronics STF18N55M5 3.2100
RFQ
ECAD 142 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF18 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 16A (TC) 10V 192mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 25V 1260 pf @ 100 v - 25W (TC)
ICE11N70 IceMOS Technology ICE11N70 -
RFQ
ECAD 3600 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ICE11N70 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 700 v 11A (TC) 10V 25mohm @ 5.5a, 10V 3.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 2750 pf @ 25 v - 108W (TC)
IXTQ160N085T IXYS IXTQ160N085T -
RFQ
ECAD 7202 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ160 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 85 v 160A (TC) 10V 6ohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 164 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTH16N10D2 IXYS ixth16n10d2 17.4000
RFQ
ECAD 6666 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH16 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 16A (TC) 0V 64mohm @ 8a, 0v - 225 NC @ 5 v ± 20V 5700 pf @ 25 v 고갈 고갈 830W (TC)
IPS075N03LGAKMA1 Infineon Technologies IPS075N03LGAKMA1 -
RFQ
ECAD 4752 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 15 v - 47W (TC)
DMPH3010LK3-13 Diodes Incorporated DMPH3010LK3-13 0.3528
RFQ
ECAD 5291 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMPH3010 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 20V 6807 pf @ 15 v - 3.9W (TA)
BUK7Y80-100PX Nexperia USA Inc. buk7y80-100px -
RFQ
ECAD 6053 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,500
SI2327DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2327DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2232 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2327 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 200 v 380MA (TA) 6V, 10V 2.35ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 750MW (TA)
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1, S1X 1.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK32E12 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 60A (TC) 10V 13.8mohm @ 16a, 10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 60 v - 98W (TC)
AOTF12N60FD Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF12N60FD -
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF12 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 2010 pf @ 25 v - 50W (TC)
NTD3813NT4G onsemi NTD3813NT4G -
RFQ
ECAD 8313 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD38 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 16 v 9.6A (TA), 51A (TC) 4.5V, 10V 8.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12.8 nc @ 4.5 v ± 16V 963 pf @ 12 v - 1.2W (TA), 34.9W (TC)
BUK6215-75C,118 NXP USA Inc. BUK6215-75C, 118 -
RFQ
ECAD 4160 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 57A (TA) 15mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 1MA 61.8 nc @ 10 v ± 16V 3900 pf @ 25 v - 128W (TA)
BUK9M4R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK9M4R3-40HX 1.5600
RFQ
ECAD 765 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk9m4 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 95A (TA) 10V 4.3mohm @ 95a, 10V - 31 NC @ 10 v +16V, -10V - 90W
IXFT15N100Q IXYS IXFT15N100Q -
RFQ
ECAD 9534 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT15 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 15A (TC) 10V 700mohm @ 500ma, 10V 5V @ 4MA 170 nc @ 5 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTR32P60P IXYS ixtr32p60p 20.5440
RFQ
ECAD 8895 0.00000000 ixys Polarp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTR32 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 600 v 18A (TC) 10V 385mohm @ 16a, 10V 4V @ 1MA 196 NC @ 10 v ± 20V 11100 pf @ 25 v - 310W (TC)
APT6015LVRG Microchip Technology APT6015LVRG 21.2400
RFQ
ECAD 2124 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT6015 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 38A (TC) 150mohm @ 500ma, 10V 4V @ 2.5MA 475 NC @ 10 v 9000 pf @ 25 v -
IXFH150N30X3 IXYS IXFH150N30X3 20.3100
RFQ
ECAD 1158 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH150 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 150A (TC) 10V 8.3mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 4mA 177 NC @ 10 v ± 20V 13100 pf @ 25 v - 890W (TC)
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC, L1XHQ 1.4700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn XPN3R804 MOSFET (금속 (() 8 f w -WF (3.1x3.1) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 40A (TA) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2230 pf @ 10 v - 840MW (TA), 100W (TC)
IRFW540ATM Fairchild Semiconductor IRFW540ATM 0.6900
RFQ
ECAD 30 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 52mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 107W (TC)
FDBL86363-F085 onsemi FDBL86363-F085 4.5400
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL86363 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 240A (TC) 10V 2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 40 v - 357W (TJ)
PHP45NQ10T,127 Nexperia USA Inc. php45nq10t, 127 2.4100
RFQ
ECAD 6649 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 php45nq10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 47A (TC) 10V 25mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 61 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 150W (TC)
AOT10T60P Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10T60P -
RFQ
ECAD 9291 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 700mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1595 pf @ 100 v - 208W (TC)
RSS080N05FU6TB Rohm Semiconductor RSS080N05FU6TB -
RFQ
ECAD 2605 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8A (TA) - - - -
NVMFS5C677NLWFT1G onsemi NVMFS5C677NLWFT1G 0.7365
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 11A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 2V @ 25µA 9.7 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 37W (TC)
DMN3016LFDF-7 Diodes Incorporated DMN3016LFDF-7 0.4600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3016 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 20V 1415 pf @ 15 v - 2.02W (TA)
MFT6P3A5S223 Meritek MFT6P3A5S223 -
RFQ
ECAD 3057 0.00000000 메이트크 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MOSFET (금속 (() - rohs 준수 1 (무제한) 2997-mft6p3a5s223tr 귀 99 8532.25.0020 10 p 채널 60 v 3.5A (TA) 10.8 nc @ 30 v 880 pf @ 30 v
IRF1010EZSTRLP Infineon Technologies IRF1010EZSTRLP 1.7200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1010 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10V 4V @ 100µa 86 NC @ 10 v ± 20V 2810 pf @ 25 v - 140W (TC)
SI1410EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1410EDH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4328 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1410 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 2.9A (TA) 1.8V, 4.5V 70mohm @ 3.7a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 8 NC @ 4.5 v ± 12V - 1W (TA)
DMP2035UVT-13 Diodes Incorporated DMP2035UVT-13 -
RFQ
ECAD 9338 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP2035 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 7.2A (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 23.1 NC @ 4.5 v ± 12V 2400 pf @ 10 v - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고