SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
AO4485_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4485_102 -
RFQ
ECAD 6506 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 10A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 55.4 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 20 v - 1.7W (TA)
TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W5, S1F 4.3100
RFQ
ECAD 4776 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK14N65 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 13.7A (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10V 4.5V @ 690µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 300 v - 130W (TC)
IRFH7107TR2PBF Infineon Technologies IRFH7107TR2PBF -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 75 v 14A (TA), 75A (TC) 8.5mohm @ 45a, 10V 4V @ 100µa 72 NC @ 10 v 3110 pf @ 25 v -
PSMN1R1-25YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-25YLC, 115 1.7800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R1 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 83 NC @ 10 v ± 20V 5287 pf @ 12 v - 215W (TC)
FDS86106 onsemi FDS86106 1.2800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS86 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 3.4A (TA) 6V, 10V 105mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 4 NC @ 10 v ± 20V 208 pf @ 50 v - 5W (TA)
IXFX240N15T2 IXYS IXFX240N15T2 21.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX240 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXFX240N15T2 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 240A (TC) 10V 5.2MOHM @ 60A, 10V 5V @ 8MA 460 nc @ 10 v ± 20V 32000 pf @ 25 v - 1250W (TC)
GSFN0988 Good-Ark Semiconductor GSFN0988 0.5400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 16A (TC) 4.5V, 10V 38mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v +20V, -12V 740 pf @ 20 v - 32.5W (TC)
NVTFS5124PLTAG onsemi NVTFS5124PLTAG 0.8100
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5124 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 260mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 3W (TA), 18W (TC)
AO6404 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6404 0.4200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AO640 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8.6A (TA) 1.8V, 10V 17mohm @ 8.5a, 10V 1V @ 250µA 17.9 nc @ 4.5 v ± 12V 1810 pf @ 10 v - 2W (TA)
NVMFS5C423NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C423NLWFAFT1G 2.0400
RFQ
ECAD 7609 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 31A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
2SK3309(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309 (TE24L, Q) -
RFQ
ECAD 7505 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK3309 MOSFET (금속 (() TO-220SM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 450 v 10A (TA) 10V 650mohm @ 5a, 10V 5V @ 1MA 23 nc @ 10 v ± 30V 920 pf @ 10 v - 65W (TC)
PJQ5450-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5450-AU_R2_000A1 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5450 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5450-AU_R2_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
SQD50P08-28-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD50P08-28-T4_GE3 0.6985
RFQ
ECAD 7852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50p08-28-t4_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 80 v 48A (TC) 10V 28mohm @ 12.5a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6035 pf @ 25 v - 136W (TC)
RLD03N06CLESM Harris Corporation rld03n06clesm 0.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRF7425TRPBF Infineon Technologies IRF7425TRPBF 1.6800
RFQ
ECAD 6274 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7425 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 15A (TA) 2.5V, 4.5V 8.2mohm @ 15a, 4.5v 1.2V @ 250µA 130 NC @ 4.5 v ± 12V 7980 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPI45N06S3-16 Infineon Technologies IPI45N06S3-16 -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI45N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 45A (TC) 10V 15.7mohm @ 23a, 10V 4V @ 30µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 25 v - 65W (TC)
IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1 2.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB17N25 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10V 4V @ 54µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 107W (TC)
2SK3484-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3484-AZ 1.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SK3484 MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 16A (TC) 4.5V, 10V 125mohm @ 8a, 10V - 20 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 10 v - 1W (TA), 30W (TC)
IPP80N06S3L-05 Infineon Technologies IPP80N06S3L-05 -
RFQ
ECAD 1887 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 5V, 10V 4.8mohm @ 69a, 10V 2.2V @ 115µA 273 NC @ 10 v ± 16V 13060 pf @ 25 v - 165W (TC)
IRFR13N15DTRL Infineon Technologies irfr13n15dtrl -
RFQ
ECAD 8725 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 14A (TC) 10V 180mohm @ 8.3a, 10V 5.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 86W (TC)
IPA65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies IPA65R110CFDXKSA1 4.4522
RFQ
ECAD 7262 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 31.2A (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10V 4.5V @ 1.3ma 118 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 100 v - 34.7W (TC)
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 36.7400
RFQ
ECAD 4850 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA GA20JT12 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 - 1200 v 45A (TC) - 60mohm @ 20a - - 3091 pf @ 800 v - 282W (TC)
STD2NM60T4 STMicroelectronics STD2NM60T4 -
RFQ
ECAD 5050 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std2n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 3.2ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 8.4 NC @ 10 v ± 30V 160 pf @ 25 v - 46W (TC)
SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4848ADY-T1-GE3 0.6800
RFQ
ECAD 9550 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4848 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 5.5A (TC) 6V, 10V 84mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 335 pf @ 75 v - 5W (TC)
STP14NK60ZFP STMicroelectronics STP14NK60ZFP 4.6700
RFQ
ECAD 8255 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP14 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13.5A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 100µa 75 NC @ 10 v ± 30V 2220 pf @ 25 v - 40W (TC)
IXTP80N075L2 IXYS IXTP80N075L2 7.7400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 ixys l2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP80 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXTP80N075L2 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 24mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 357W (TC)
IRFI9Z34N Infineon Technologies irfi9z34n -
RFQ
ECAD 9789 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 37W (TC)
NP82N10PUF-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP82N10puf-e1-ay -
RFQ
ECAD 4250 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 82A (TC)
NDD05N50ZT4G onsemi NDD05N50ZT4G -
RFQ
ECAD 1306 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NDD05 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 4.7A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 50µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 530 pf @ 25 v - 83W (TC)
G3K8N15HE Goford Semiconductor G3K8N15HE 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 2,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고