SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IPB030N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB030N08N3GATMA1 4.1700
RFQ
 ECAD 752 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB030 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 160A (TC) 6V, 10V 3MOHM @ 100A, 10V 3.5V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8110 pf @ 40 v - 214W (TC)
IRL520NSTRR Infineon Technologies irl520nstrr -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 10A (TC) 4V, 10V 180mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 16V 440 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 48W (TC)
FQB33N10TM Fairchild Semiconductor FQB33N10TM 1.0000
RFQ
 ECAD 9376 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 52mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 25V 1500 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 127W (TC)
IRF1407L Infineon Technologies IRF1407L -
RFQ
 ECAD 6962 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF1407L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 7.8mohm @ 78a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
FDT459N onsemi FDT459N 0.8400
RFQ
 ECAD 251 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FDT45 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6.5a, 10V 2V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 365 pf @ 15 v - 3W (TA)
2SJ058200L Panasonic Electronic Components 2SJ058200L -
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() u-g2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 2A (TC) 10V 2ohm @ 1a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 400 pf @ 20 v - 1W (TA), 10W (TC)
FQU3N40TU Fairchild Semiconductor fqu3n40tu 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IRF7453 Infineon Technologies IRF7453 -
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7453 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 250 v 2.2A (TA) 10V 230mohm @ 1.3a, 10V 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 930 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
AOWF7S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF7S60 0.9668
RFQ
 ECAD 4480 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA AOWF7 MOSFET (금속 (() TO-262F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 3.9V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 30V 372 pf @ 100 v - 25W (TC)
SPU03N60S5BKMA1 Infineon Technologies spu03n60s5bkma1 -
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA spu03n MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 600 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 5.5V @ 135µA 16 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 25 v - 38W (TC)
IRF631 Harris Corporation IRF631 0.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 381 n 채널 150 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQPF7N65C onsemi FQPF7N65C 1.7000
RFQ
 ECAD 986 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF7 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 1.4ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1245 pf @ 25 v - 52W (TC)
IRFB18N50KPBF Vishay Siliconix IRFB18N50KPBF 5.0500
RFQ
 ECAD 1854 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFB18N50KPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2830 pf @ 25 v - 220W (TC)
AON6578 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6578 0.4175
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON657 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 28A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1340 pf @ 15 v - 5.6W (TA), 35W (TC)
IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R350CPXKSA1 1.5494
RFQ
 ECAD 4098 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R350 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 10A (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1020 pf @ 100 v - 32W (TC)
SI4829DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4829DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7105 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4829 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 2A (TC) 2.5V, 4.5V 215mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 12V 210 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.1W (TC)
IRF630NL Infineon Technologies IRF630NL -
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF630NL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9.3A (TC) 10V 300mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 575 pf @ 25 v - 82W (TC)
FQU2N60CTU onsemi fqu2n60ctu -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu2n60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 600 v 1.9A (TC) 10V 4.7ohm @ 950ma, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 235 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 44W (TC)
IXFA72N30X3-TRL IXYS ixfa72n30x3-trl 6.6640
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA72 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA72N30X3-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 300 v 72A (TC) 10V 19mohm @ 36a, 10V 4.5V @ 1.5MA 82 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 390W (TC)
NVMFS3D0P04M8LT1G onsemi NVMFS3D0P04M8LT1G 2.9700
RFQ
 ECAD 8213 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 40 v 28A (TA), 183a (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 30a, 10V 2.4V @ 2MA 124 NC @ 10 v ± 20V 5827 pf @ 20 v - 3.9W (TA), 171W (TC)
NP48N055KHE-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP48N055KHE-e1-ay -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 48A (TC)
TP90H180PS Transphorm TP90H180PS 11.5200
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 반죽 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TP90H180 Ganfet ((코드 코드 갈륨 질화물 질화물 Fet) TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 15A (TC) 10V 205mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 500µA 10 nc @ 8 v ± 18V 780 pf @ 600 v - 78W (TC)
RJK0355DSP-01#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0355DSP-01#J0 -
RFQ
 ECAD 2834 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RJK0355 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 11.1MOHM @ 6A, 10V - 6 NC @ 4.5 v ± 20V 860 pf @ 10 v - 1.8W (TA)
AUIRFZ24NS Infineon Technologies auirfz24ns -
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 auirfz24 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7 0.4000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn DMG3415 MOSFET (금속 (() X2-DFN2015-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 16 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 282 pf @ 10 v - 650MW (TA)
SIHB21N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB21N65EF-GE3 5.0800
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB21 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 30V 2322 pf @ 100 v - 208W (TC)
STW12N120K5 STMicroelectronics STW12N120K5 10.6600
RFQ
 ECAD 267 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW12 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15446-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 12A (TC) 10V 6A, 6A, 10V 5V @ 100µa 44.2 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 100 v - 250W (TC)
FDFS2P102 Fairchild Semiconductor FDFS2P102 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 3.3A (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 3.3a, 10V 2V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 900MW (TA)
HAT2166HWS-E Renesas Electronics America Inc HAT2166HWS-e -
RFQ
 ECAD 3470 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 45A (TA) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 22.5a, 10V 2.5V @ 1mA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 4400 pf @ 10 v - 25W (TC)
BUK6218-40C,118 NXP Semiconductors BUK6218-40C, 118 0.2200
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK6218-40C, 118-954 1 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 16MOHM @ 10A, 10V 2.8V @ 1MA 22 nc @ 10 v ± 16V 1170 pf @ 25 v - 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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