SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IPP60R210CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R210CFD7XKSA1 3.2700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R210 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 210mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 400 v - 64W (TC)
IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3 43.4700
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q3 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFB62 MOSFET (금속 (() Plus264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 62A (TC) 10V 140mohm @ 31a, 10V 6.5V @ 8mA 270 nc @ 10 v ± 30V 13600 pf @ 25 v - 1560W (TC)
AO4421L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4421L -
RFQ
ECAD 2346 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 6.2a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 30 v - 3.1W (TA)
NVMFS5C423NLWFT3G onsemi NVMFS5C423NLWFT3G -
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 31A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
STD180N4F6 STMicroelectronics STD180N4F6 1.6600
RFQ
ECAD 409 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD18 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 7735 pf @ 25 v - 130W (TC)
IXFB210N30P3 IXYS IXFB210N30P3 32.0700
RFQ
ECAD 6367 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFB210 MOSFET (금속 (() Plus264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfb210n30p3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 300 v 210A (TC) 10V 14.5mohm @ 105a, 10V 5V @ 8MA 268 NC @ 10 v ± 20V 16200 pf @ 25 v - 1890W (TC)
IPB65R190CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R190CFD7AATMA1 4.3100
RFQ
ECAD 5315 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R190 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 14A (TC) 190mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 320µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1291 pf @ 400 v - 77W (TC)
ISC032N12LM6ATMA1 Infineon Technologies ISC032N12LM6ATMA1 1.8378
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-ISC032N12LM6ATMA1TR 5,000
DMT6017LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6017LFDF-13 0.1580
RFQ
ECAD 3587 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT6017 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT6017LFDF-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 65 v 8.1A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 6a, 10V 2.3V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 16V 891 pf @ 30 v - 800MW (TA)
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K0CEATMA1 0.7500
RFQ
ECAD 2709 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 6.8A (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 5W (TC)
IPD50R650CEBTMA1 Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 6.1A (TC) 13V 650mohm @ 1.8a, 13v 3.5V @ 150µA 15 nc @ 10 v ± 20V 342 pf @ 100 v - 47W (TC)
APTML20UM18R010T1AG Microsemi Corporation aptml20um18r010t1ag -
RFQ
ECAD 5077 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 MOSFET (금속 (() SP1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 109A (TC) 10V 19mohm @ 50a, 10V 4V @ 2.5MA ± 30V 9880 pf @ 25 v - 480W (TC)
STI24N60M6 STMicroelectronics STI24N60M6 2.9000
RFQ
ECAD 90 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI24 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 17A (TJ) 10V 190mohm @ 8.5a, 10V 4.75V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 25V 960 pf @ 100 v - 130W (TC)
IRF9317TRPBF Infineon Technologies IRF9317TRPBF 1.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF9317 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 16a, 10V 2.4V @ 50µA 92 NC @ 10 v ± 20V 2820 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SIA483ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA483ADJ-T1-GE3 0.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA483 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10.6A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 v +16V, -20V 950 pf @ 15 v - 3.4W (TA), 17.9W (TC)
HUFA75337G3 onsemi HUFA75337G3 -
RFQ
ECAD 6163 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 150 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 109 NC @ 20 v ± 20V 1775 pf @ 25 v - 175W (TC)
MMDF3N02HDR2G onsemi MMDF3N02HDR2G -
RFQ
ECAD 1821 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MMDF3 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 3a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 630 pf @ 16 v - 2W (TA)
IRFR13N20DPBF Infineon Technologies IRFR13N20DPBF -
RFQ
ECAD 8809 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 13A (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10V 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 830 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 -
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IPC60R - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000857778 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009SCG-7 0.3849
RFQ
ECAD 9508 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT10 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H009SCG-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 14A (TA), 48A (TC) 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2085 pf @ 50 v - 1.3W (TA)
BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 1.4400
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP149 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 660MA (TA) 0V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1V @ 400µA 14 nc @ 5 v ± 20V 430 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
SI1315DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1315DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1315 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 900ma (TC) 1.8V, 4.5V 336mohm @ 800ma, 4.5v 800MV @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 v ± 8V 112 pf @ 4 v - 300MW (TA), 400MW (TC)
STD60NF55LAT4 STMicroelectronics STD60NF55LAT4 1.8300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD60 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 60A (TC) 5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 40 nc @ 5 v ± 15V 1950 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFP460_R4943 onsemi IRFP460_R4943 -
RFQ
ECAD 5096 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP4 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 20A (TC) 270mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 v 4100 pf @ 25 v -
ICE47N60W IceMOS Technology ICE47N60W 7.8400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 5133-ice47n60w 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 68mohm @ 24a, 10V 3.9V @ 250µA 189 NC @ 10 v ± 20V 5718 pf @ 25 v - 431W (TC)
IRLML2030TRPBF Infineon Technologies irlml2030trpbf 0.3900
RFQ
ECAD 56 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 irlml2030 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.7A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.7a, 10V 2.3V @ 25µA 1 NC @ 4.5 v ± 20V 110 pf @ 15 v - 1.3W (TA)
SI4688DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4688DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3004 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4688 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.9A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
BUK7M4R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M4R3-40HX 1.5600
RFQ
ECAD 4329 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m4 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 95A (TA) 10V 4.3mohm @ 95a, 10V - 24 nc @ 10 v +20V, -10V - 90W
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N60C3XKSA1 2.7300
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA07N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
STB24N60M2 STMicroelectronics STB24N60M2 2.9500
RFQ
ECAD 7374 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1060 pf @ 100 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고