전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHM9331TR2PBF | - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PQFN (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | p 채널 | 30 v | 11A (TA), 24A (TC) | 10mohm @ 11a, 20V | 2.4V @ 25µA | 48 NC @ 10 v | 1543 pf @ 25 v | - | ||||||||
![]() | STB13N80K5 | 4.5500 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB13 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 12A (TC) | 10V | 450mohm @ 6a, 10V | 5V @ 100µa | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 870 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||
![]() | NVMFS6B14NLWFT1G | - | ![]() | 1327 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS6 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 11A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1680 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||
STH47N60DM6-2AG | 7.2900 | ![]() | 6574 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH47 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 36A (TC) | 10V | 80mohm @ 18a, 10V | 4.75V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 25V | 2350 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||
![]() | PJP4NA65_T0_00001 | - | ![]() | 4673 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PJP4 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3757-PJP4NA65_T0_00001 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 4A (TA) | 10V | 2.7ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 11.4 NC @ 10 v | ± 30V | 463 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||
IRFBG20 | - | ![]() | 3796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBG20 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBG20 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 1000 v | 1.4A (TC) | 10V | 11ohm @ 840ma, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 500 pf @ 25 v | - | 54W (TC) | ||
![]() | NTH027N65S3F_F155 | - | ![]() | 7397 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® II | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NTH027 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 650 v | 75A (TC) | 10V | 27.4mohm @ 35a, 10V | 5V @ 7.5MA | 259 NC @ 10 v | ± 30V | 7690 pf @ 400 v | - | 595W (TC) | ||
![]() | YJP200G06A | 0.7610 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJP200G06ATR | 귀 99 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | CMS75P06CT-HF | - | ![]() | 9017 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | CMS75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS75P06CT-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 75A (TC) | 9.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 141 NC @ 10 v | ± 20V | 8620 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 183W (TC) | |||
![]() | IXTH04N300P3HV | 25.3500 | ![]() | 9155 | 0.00000000 | ixys | p3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXTH04 | MOSFET (금속 (() | TO-247HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -IXTH04N300P3HV | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 3000 v | 400MA (TC) | 10V | 190ohm @ 200ma, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 283 pf @ 25 v | - | 104W (TC) | |
![]() | AOC3844 | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AOC384 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOC3844TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||
![]() | FDP039N08B | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 공급 공급 정의되지 업체는 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-FDP039N08B-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | FCPF4300N80Z | 1.0600 | ![]() | 931 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Superfet® II | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 284 | n 채널 | 800 v | 1.6A (TC) | 10V | 4.3ohm @ 800ma, 10V | 4.5V @ 160µA | 8.8 NC @ 10 v | ± 20V | 355 pf @ 100 v | - | 19.2W (TC) | ||||||
![]() | BUK6246-75C, 118 | - | ![]() | 2649 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 75 v | 22A (TC) | 4.5V, 10V | 46mohm @ 10a, 10V | 2.8V @ 1MA | 21.4 NC @ 10 v | ± 16V | 1280 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||
![]() | TSM150P03PQ33 | 0.6916 | ![]() | 2112 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | TSM150 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (3.1x3.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM150P03PQ33TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 30 v | 10A (TA), 36A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 29.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1829 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 27.8W (TC) | ||
![]() | SQW44N65EF-GE3 | 7.6600 | ![]() | 509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, e | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SQW44N65EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 480 | n 채널 | 650 v | 47A (TC) | 10V | 73mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 266 NC @ 10 v | ± 30V | 5858 pf @ 100 v | - | 500W (TC) | |||
![]() | UF3C065080B7S | 9.0200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Qorvo | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | UF3C065080 | Sicfet (Cascode Sicjfet) | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 27A (TC) | 105mohm @ 20a, 12v | 6V @ 10MA | 23 nc @ 12 v | ± 25V | 760 pf @ 100 v | - | 136.4W (TC) | |||
![]() | UPA1716G-E1-A | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||
![]() | SCT3017ALGC11 | 116.8400 | ![]() | 3059 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCT3017 | sicfet ((카바이드) | TO-247N | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-SCT3017ALGC11 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 118A (TC) | 18V | 22.1MOHM @ 47A, 18V | 5.6v @ 23.5ma | 172 NC @ 18 v | +22V, -4V | 2884 pf @ 500 v | - | 427W | |
![]() | IXFB44N100Q3 | 46.4400 | ![]() | 7066 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q3 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFB44 | MOSFET (금속 (() | Plus264 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 1000 v | 44A (TC) | 10V | 220mohm @ 22a, 10V | 6.5V @ 8mA | 264 NC @ 10 v | ± 30V | 13600 pf @ 25 v | - | 1560W (TC) | ||
![]() | AON7240_101 | - | ![]() | 2377 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon72 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1MOHM @ 20A, 10V | 2.4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 20 v | - | 3.1W (TA), 36.7W (TC) | |||
![]() | HUFA75639G3 | - | ![]() | 4451 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | hufa75 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 150 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||
![]() | FDMC8588DC | 1.0000 | ![]() | 8146 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (3.3x3.3) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 25 v | 17A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 18a, 10V | 1.8V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1695 pf @ 13 v | - | 3W (TA), 41W (TC) | ||||||
![]() | ZXMP6A18KTC | 1.1100 | ![]() | 7085 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | ZXMP6A18 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 6.8A (TA) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 3.5a, 10V | 1V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1580 pf @ 30 v | - | 2.15W (TA) | ||
![]() | HUF75637S3st | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 44A (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250µA | 108 NC @ 20 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 155W (TC) | |||
![]() | PMXB56ENZ | 1.0000 | ![]() | 7694 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xdfn d 패드 | MOSFET (금속 (() | DFN1010D-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PMXB56ENZ-954 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 3.2A (TA) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 3.2a, 10V | 2V @ 250µA | 6.3 NC @ 10 v | ± 20V | 209 pf @ 15 v | - | 400MW (TA), 8.33W (TC) | |||
![]() | GPI65030TO5L | 15.0000 | ![]() | 90 | 0.00000000 | ganpower | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | Ganfet ((갈륨) | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 4025-gpi65030to5ltr | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | n 채널 | 650 v | 30A | 6V | 1.4V @ 3.5ma | 5.8 NC @ 6 v | +7.5V, -12V | 241 PF @ 400 v | |||||||
ixfv30n50p | - | ![]() | 9055 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polarht ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3,-탭 | IXFV30 | MOSFET (금속 (() | Plus220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 200mohm @ 15a, 10V | 5V @ 4MA | 70 nc @ 10 v | ± 30V | 4150 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | ||||
![]() | AO4435 | 0.2449 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO4435TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 10.5A (TA) | 5V, 20V | 14mohm @ 11a, 20V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 25V | 1400 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||
![]() | stsj25nf3ll | - | ![]() | 9218 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | STSJ25 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 12.5a, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1650 pf @ 25 v | - | 70W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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