SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NTMS4801NR2G onsemi NTMS4801NR2G -
RFQ
ECAD 5329 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMS4801 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 30 v 7.5A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 2201 pf @ 25 v - 800MW (TA)
IRF540ZSTRL Infineon Technologies IRF540ZSTRL -
RFQ
ECAD 4899 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
IRFR9220TRR Vishay Siliconix irfr9220trr -
RFQ
ECAD 6034 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
2N6796U Microsemi Corporation 2N6796U -
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 8A (TC) 10V 180mohm @ 5a, 10V 4V @ 250ma 6.34 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
TK6A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E, S4X 1.8900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosviii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A80 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 6A (TA) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4V @ 600µA 32 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 25 v - 45W (TC)
STL16N60M2 STMicroelectronics STL16N60M2 2.5300
RFQ
ECAD 3870 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL16 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) HV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 355mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 25V 704 pf @ 100 v - 52W (TC)
IXTV230N085T IXYS IXTV230N085T -
RFQ
ECAD 3544 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXTV230 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 85 v 230A (TC) 10V 4.4mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 187 NC @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 25 v - 550W (TC)
FQD2N30TM onsemi fqd2n30tm -
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 300 v 1.7A (TC) 10V 3.7ohm @ 850ma, 10V 5V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
NVMFS5C430NWFAFT3G onsemi NVMFS5C430NWFAFT3G 1.2421
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 35A (TA), 185a (TC) 10V 1.7mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 106W (TC)
HUFA75345S3ST onsemi hufa75345s3st -
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB hufa75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 325W (TC)
PHD55N03LTA,118 NXP USA Inc. phd55n03lta, 118 -
RFQ
ECAD 2500 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PhD55 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 55A (TC) 5V, 10V 14mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 20 nc @ 5 v ± 20V 950 pf @ 25 v - 85W (TC)
IRFR420TRLPBF Vishay Siliconix irfr420trlpbf 1.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
CMPDM7003 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPDM7003 TR PBFREE 0.4400
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPDM7003 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 280MA (TA) 1.8V, 10V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.76 nc @ 4.5 v 12V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
NVMFS5833NT1G onsemi NVMFS5833NT1G -
RFQ
ECAD 8081 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5833 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 16A (TA) 10V 7.5mohm @ 40a, 10V 3.5V @ 250µA 32.5 nc @ 10 v ± 20V 1714 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 112W (TC)
IRFW730BTMNL Fairchild Semiconductor IRFW730BTMNL 0.5900
RFQ
ECAD 49 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.75a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 73W (TC)
NTP85N03 onsemi NTP85N03 -
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP85N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 28 v 85A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 24 v - 80W (TC)
SPP100N08S2L-07 Infineon Technologies SPP100N08S2L-07 -
RFQ
ECAD 6925 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp100n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 6.8mohm @ 68a, 10V 2V @ 250µA 246 NC @ 10 v ± 20V 7130 pf @ 25 v - 300W (TC)
BSC007N04LS6SCATMA1 Infineon Technologies BSC007N04LS6SCATMA1 4.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 48A (TA), 381A (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 20V 8400 pf @ 20 v - 3W (TA), 188W (TC)
SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHU6N80E-GE3 2.3400
RFQ
ECAD 1499 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB Sihu6 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 5.4A (TC) 10V 940mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 30V 827 pf @ 100 v - 78W (TC)
FKI10126 Sanken FKI10126 -
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKI10126 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 41A (TC) 4.5V, 10V 11.6MOHM @ 33A, 10V 2.5V @ 1.5MA 88.8 NC @ 10 v ± 20V 6420 pf @ 25 v - 42W (TC)
SIA112LDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA112LDJ-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 5351 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA112 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.5A (TA), 8.8A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 11.8 nc @ 10 v ± 25V 355 pf @ 50 v - 2.9W (TA), 15.6W (TC)
FQD30N06TF_F080 onsemi FQD30N06TF_F080 -
RFQ
ECAD 4707 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 22.7A (TC) 10V 45mohm @ 11.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 945 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 44W (TC)
BSD816SNL6327 Infineon Technologies BSD816SNL6327 -
RFQ
ECAD 3499 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() PG-SOT363-6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 2.5V 160mohm @ 1.4a, 2.5v 950MV @ 3.7µA 0.6 nc @ 2.5 v ± 8V 180 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IPP80CN10NGHKSA1 Infineon Technologies IPP80CN10NGHKSA1 -
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80C MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 13A (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10V 4V @ 12µA 11 NC @ 10 v ± 20V 716 pf @ 50 v - 31W (TC)
AUIRF7734M2TR International Rectifier AUIRF7734M2TR 0.9400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 M2 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 M2 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 17A (TA) 10V 4.9mohm @ 43a, 10V 4V @ 100µa 72 NC @ 10 v ± 20V 2545 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 46W (TC)
FDMS0349 Fairchild Semiconductor FDMS0349 0.1800
RFQ
ECAD 215 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PQFN (5x6), Power56 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 14A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1410 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 27W (TC)
FQP18N50V2 Fairchild Semiconductor FQP18N50V2 4.0400
RFQ
ECAD 590 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 265mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 30V 3290 pf @ 25 v - 208W (TC)
PSMN7R0-40LS,115 NXP USA Inc. PSMN7R0-40LS, 115 -
RFQ
ECAD 4278 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 psmn7 MOSFET (금속 (() 8-DFN3333 (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,400 n 채널 40 v 40A (TC) 10V 7mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 21.4 NC @ 10 v ± 20V 1286 pf @ 12 v - 65W (TC)
NTB6412ANG onsemi NTB6412ANG -
RFQ
ECAD 7893 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB64 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 58A (TC) 10V 18.2MOHM @ 58A, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 167W (TC)
APT10026L2FLLG Microchip Technology APT10026L2FLLG 74.9404
RFQ
ECAD 9860 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT10026 MOSFET (금속 (() 264 MAX ™ [L2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 38A (TC) 260mohm @ 19a, 10V 5V @ 5MA 267 NC @ 10 v 7114 pf @ 25 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고