전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR230BTM_AM002 | - | ![]() | 9299 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR2 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 7.5A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.75a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 720 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||
![]() | SI3139K-TP | 0.4500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | SI3139 | MOSFET (금속 (() | SOT-723 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 20 v | 660MA (TJ) | 4.5V | 950mohm @ 500ma, 10V | 800MV @ 250µA | ± 6V | 170 pf @ 16 v | - | 150MW | |||
![]() | 3SK324UG-TL-H | 0.2700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | IRF6797MTR1PBF | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 25 v | 36A (TA), 210A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 38a, 10V | 2.35V @ 150µA | 68 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5790 pf @ 13 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||
![]() | CSD23381F4 | 0.4500 | ![]() | 257 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD23381 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 175mohm @ 500ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.14 NC @ 4.5 v | -8V | 236 pf @ 6 v | - | 500MW (TA) | ||
![]() | SQ3427AEEV-T1_GE3 | 0.7800 | ![]() | 1196 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 5.3A (TC) | 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 30 v | - | 5W (TC) | |||
![]() | BSC040N10NS5SCATMA1 | 3.9800 | ![]() | 5506 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | BSC040 | MOSFET (금속 (() | PG-WSON-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-BSC040N10NS5SCATMA1CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 140A (TC) | 6V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 3.8V @ 95µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 167W (TC) | |
![]() | IRF9332PBF | - | ![]() | 8257 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001563824 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 9.8A (TA) | 4.5V, 10V | 17.5mohm @ 9.8a, 10V | 2.4V @ 25µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1270 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||
STP95N04 | - | ![]() | 2758 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP95 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5132-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||
![]() | irlml5203 | - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 3A (TA) | 4.5V, 10V | 98mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 510 pf @ 25 v | - | 1.25W (TA) | ||||
![]() | IXTP15N50L2 | 10.2500 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP15 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 15A (TC) | 10V | 480mohm @ 7.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 123 NC @ 10 v | ± 20V | 4080 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | IXTH120P065T | 8.1100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | ixys | Trenchp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH120 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 65 v | 120A (TC) | 10V | 10mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | 185 NC @ 10 v | ± 15V | 13200 pf @ 25 v | - | 298W (TC) | ||
![]() | STF7NM80 | 4.1300 | ![]() | 3087 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 6.5A (TC) | 10V | 1.05ohm @ 3.25a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||
![]() | NP82N04NUG-S18-ay | - | ![]() | 5046 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 82A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 41A, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 9750 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 143W (TC) | |||
![]() | SPI10N10 | - | ![]() | 2229 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | spi10n | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 10.3A (TC) | 10V | 170mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 21µA | 19.4 NC @ 10 v | ± 20V | 426 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||
![]() | BUK7511-55A, 127 | - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 11mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 3093 pf @ 25 v | - | 166W (TC) | |||
![]() | irfr120ztr | - | ![]() | 8241 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 8.7A (TC) | 10V | 190mohm @ 5.2a, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 310 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
![]() | IXTQ120N20P | 12.1300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ120 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 120A (TC) | 10V | 22mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 250µA | 152 NC @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 25 v | - | 714W (TC) | ||
![]() | irlh6224trpbf | 1.0000 | ![]() | 5726 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 20 v | 28A (TA), 105A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3MOHM @ 20A, 4.5V | 1.1V @ 50µA | 86 NC @ 10 v | ± 12V | 3710 pf @ 10 v | - | 3.6W (TA), 52W (TC) | ||||||
![]() | NVD4809NHT4G | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD480 | MOSFET (금속 (() | DPAK-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 9A (TA), 58A (TC) | 4.5V, 11.5V | 9MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 44 NC @ 11.5 v | ± 20V | 2155 pf @ 12 v | - | 1.3W (TA), 52W (TC) | |||
![]() | 2SK3815-DL-E | 0.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | NTPF150N65S3HF | 2.7053 | ![]() | 1459 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | NTPF150 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 150mohm @ 12a, 10V | 5V @ 540µA | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1985 pf @ 400 v | - | 192W (TC) | ||
![]() | BS170 | - | ![]() | 9226 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MOSFET (금속 (() | To-92 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 300MA (TA) | 5ohm @ 200ma, 10V | 3V @ 1mA | 60 pf @ 10 v | - | ||||||||||||
![]() | BSP295L6327 | 0.3300 | ![]() | 314 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 1.8A (TA) | 4.5V, 10V | 300mohm @ 1.8a, 10V | 1.8V @ 400µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 368 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | |||
![]() | FDU8878 | 0.3000 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 11A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 880 pf @ 15 v | - | 40W (TC) | |||||
![]() | IRF6893MTRPBF | - | ![]() | 2375 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001531710 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 25 v | 29A (TA), 168A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 29a, 10V | 2.1v @ 100µa | 38 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3480 pf @ 13 v | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | ||
![]() | IRF3704L | - | ![]() | 1012 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3704L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 77A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1996 PF @ 10 v | - | 87W (TC) | ||
![]() | SPI08N50C3 | 1.0000 | ![]() | 3792 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 560 v | 7.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | |||
![]() | RSS065N06FW6TB1 | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RSS065N06FW6TB1TR | 쓸모없는 | 2,500 | 6.5A | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS4010-7p | - | ![]() | 4665 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 190a (TC) | 10V | 4mohm @ 110a, 10V | 4V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 9830 pf @ 50 v | - | 380W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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