SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FQB5N40TM onsemi FQB5N40TM -
RFQ
 ECAD 5176 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB5 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, ​​10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 70W (TC)
NTMFS5C456NLT3G onsemi NTMFS5C456NLT3G -
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 87A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 55W (TC)
RM120N85T2 Rectron USA RM120N85T2 0.5300
RFQ
 ECAD 3830 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM120N85T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 85 v 120A (TC) 10V 5.3MOHM @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 5500 pf @ 40 v - 160W (TC)
IXTU01N80 IXYS IXTU01N80 -
RFQ
 ECAD 5578 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IXTU01 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 100MA (TC) 10V 50ohm @ 100ma, 10V 4.5V @ 25µA 8 nc @ 10 v ± 20V 60 pf @ 25 v - 25W (TC)
AUIRFZ24NSTRR Infineon Technologies auirfz24nstrr -
RFQ
 ECAD 8647 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
G9435S Goford Semiconductor G9435S 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 4,000 p 채널 30 v 5.1A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 1040 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
DMTH8028LFVW-7 Diodes Incorporated DMTH8028LFVW-7 0.2498
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8028LFVW-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 27A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 631 pf @ 40 v - 1.5W (TA)
FQP9N25CTSTU onsemi fqp9n25ctstu -
RFQ
 ECAD 9648 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.8A (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 710 pf @ 25 v - 74W (TC)
TSM60NB041PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB041PW C1G 28.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TSM60 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 78A (TC) 10V 41mohm @ 21.7a, 10V 4V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 30V 6120 pf @ 100 v - 446W (TC)
STF16N50M2 STMicroelectronics STF16N50M2 4.1700
RFQ
 ECAD 728 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF16 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15114-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 25V 710 pf @ 100 v - 25W (TC)
APT5024BLLG Microchip Technology APT5024BLLG 8.2500
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT5024 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 240mohm @ 11a, 10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 265W (TC)
US5U30TR Rohm Semiconductor US5U30tr 0.2604
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 US5U30 MOSFET (금속 (() Tumt5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1A (TA) 2.5V, 4.5V 390mohm @ 1a, 4.5v 2V @ 1mA 2.1 NC @ 4.5 v ± 12V 150 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1W (TA)
FQP7N80 onsemi FQP7N80 -
RFQ
 ECAD 3821 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP7 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 6.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 3.3a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1850 pf @ 25 v - 167W (TC)
AOK20N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK20N60L 4.3100
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK20 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 370mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 3680 pf @ 25 v - 417W (TC)
VP0808B-E3 Vishay Siliconix VP0808B-E3 -
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 VP0808 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 80 v 880MA (TA) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 1mA ± 20V 150 pf @ 25 v - 6.25W (TA)
SCT3060ARC15 Rohm Semiconductor SCT3060ARC15 14.7600
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3060 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-SCT3060ARC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 650 v 39A (TJ) 18V 78mohm @ 13a, 18V 5.6v @ 6.67ma 58 NC @ 18 v +22V, -4V 852 pf @ 500 v - 165W
2SK1521-E1-E#T2 Renesas 2SK1521-E1-E#T2 -
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA MOSFET (금속 (() TO-264 - 2156-2SK1521-E1-E#T2 1 n 채널 450 v 50a 10V 100mohm @ 25a, 10V 3V @ 1mA ± 30V 8700 pf @ 10 v - 250W (TC)
AOK22N50L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK22N50L 2.4980
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK22N50 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 260mohm @ 11a, 10V 4.5V @ 250µA 83 NC @ 10 v ± 30V 3710 pf @ 25 v - 417W (TC)
STI21N65M5 STMicroelectronics STI21N65M5 2.2448
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI21 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 17A (TC) 10V 179mohm @ 8.5a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 25V 1950 pf @ 100 v - 125W (TC)
3LP01SS-TL-H onsemi 3LP01SS-TL-H -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 3LP01 MOSFET (금속 (() SMCP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 30 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 10.4ohm @ 50ma, 4v - 1.43 NC @ 10 v ± 10V 7.5 pf @ 10 v - 150MW (TA)
IRFI520N Infineon Technologies irfi520n -
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfi520n 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 7.6A (TC) 10V 200mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 30W (TC)
2SJ661-1E onsemi 2SJ661-1E -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 2SJ661 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 38A (TA) 4V, 10V 39mohm @ 19a, 10V - 80 nc @ 10 v ± 20V 4360 pf @ 20 v - 1.65W (TA), 65W (TC)
SIHD1K4N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3 1.1600
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 4.2A (TC) 10V 1.45ohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 172 pf @ 100 v - 63W (TC)
NTMSD2P102LR2 onsemi NTMSD2P102LR2 -
RFQ
 ECAD 7044 0.00000000 온세미 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMSD2 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 2.3A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 10V 750 pf @ 16 v Schottky 분리 (다이오드) 710MW (TA)
NTR0202PLT3G onsemi NTR0202PLT3G -
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR020 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 400MA (TA) 4.5V, 10V 800mohm @ 200ma, 10V 2.3V @ 250µA 2.18 nc @ 10 v ± 20V 70 pf @ 5 v - 225MW (TA)
IRFSL7762PBF Infineon Technologies IRFSL7762PBF 1.2000
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576382 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 85A (TC) 6V, 10V 6.7mohm @ 51a, 10V 3.7v @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 4440 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRLR3103TR Infineon Technologies IRLR3103TR -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10V 1V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 16V 1600 pf @ 25 v - 107W (TC)
TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL, L1Q 2.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPHR9003 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 30a, 10V 2.3v @ 1ma 74 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 78W (TC)
IRFP150N Infineon Technologies IRFP150N -
RFQ
 ECAD 7536 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 42A (TC) 10V 36mohm @ 23a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 160W (TC)
G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE 0.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 goford 반도체 Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 2,500 n 채널 200 v 2A (TC) 4.5V, 10V 700mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 250µA 10.8 nc @ 10 v ± 20V 568 pf @ 100 v 기준 1.8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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