SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
CSD18537NQ5A-P Texas Instruments CSD18537NQ5A-P -
RFQ
 ECAD 6449 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD18537 MOSFET (금속 (() 8-vson (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 296-CSD18537NQ5A-P 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 11A (TA), 54A (TC) 6V, 10V 13mohm @ 12a, 10V 3.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 75W (TC)
APT10090BLLG Microchip Technology APT10090BLLG 16.8200
RFQ
 ECAD 223 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT10090 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 12A (TC) 10V 950mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 71 NC @ 10 v ± 30V 1969 pf @ 25 v - 298W (TC)
NTBL095N65S3H onsemi NTBL095N65S3H 3.7639
RFQ
 ECAD 3339 0.00000000 온세미 Superfet® III 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTBL095N65S3HTR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 95mohm @ 15a, 10V 4V @ 2.8ma 58 NC @ 10 v ± 30V 2833 pf @ 400 v - 208W (TC)
IRL540SPBF Vishay Siliconix IRL540SPBF 2.7000
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL540SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SPP80N10L Infineon Technologies SPP80N10L -
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 58a, 10V 2V @ 2MA 240 NC @ 10 v ± 20V 4540 pf @ 25 v - 250W (TC)
STW31N65M5 STMicroelectronics STW31N65M5 4.9900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW31 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 148mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 816 pf @ 100 v - 150W (TC)
IPD06P004NATMA1 Infineon Technologies IPD06P004NATMA1 -
RFQ
 ECAD 9150 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD06P MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001727898 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 16.4A (TC) 10V 90mohm @ 16.4a, 10V 4V @ 710µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 30 v - 63W (TC)
IRFB59N10DPBF International Rectifier IRFB59N10DPBF -
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 59A (TC) 10V 25mohm @ 35.4a, 10V 5.5V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 30V 2450 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IXTY1R6N100D2 IXYS IXTY1R6N100D2 3.0700
RFQ
 ECAD 4239 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 1000 v 1.6A (TC) - 10ohm @ 800ma, 0v - 27 NC @ 5 v ± 20V 645 pf @ 25 v 고갈 고갈 100W (TC)
IRF640S Vishay Siliconix IRF640S -
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
IXTQ180N10T IXYS IXTQ180N10T 6.7300
RFQ
 ECAD 4683 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ180 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 6.4mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 250µA 151 NC @ 10 v ± 30V 6900 pf @ 25 v - 480W (TC)
IRL3715ZPBF Infineon Technologies IRL3715ZPBF -
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
FQP44N10 Fairchild Semiconductor FQP44N10 -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 43.5A (TC) 10V 39mohm @ 21.75a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 25 v - 146W (TC)
SSP08N50C3 Infineon Technologies SSP08N50C3 -
RFQ
 ECAD 1253 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
AUIRFP4568 Infineon Technologies AUIRFP4568 11.6800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AUIRFP4568 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 150 v 171A (TC) 10V 5.9mohm @ 103a, 10V 5V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 30V 10470 pf @ 50 v - 517W (TC)
IRFS4610PBF Infineon Technologies IRFS4610PBF -
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
NTMFS4945NT1G onsemi NTMFS4945nt1g -
RFQ
 ECAD 2312 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 7.4A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 17.6 NC @ 10 v ± 20V 1205 pf @ 15 v - 910MW (TA), 19.8W (TC)
MCH6445-TL-E onsemi MCH6445-TL-E -
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH64 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4A (TA) 78mohm @ 2a, 10V - 10 nc @ 10 v 505 pf @ 20 v -
IRLHM620TR2PBF Infineon Technologies irlhm620tr2pbf -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-vqfn q 패드 MOSFET (금속 (() PQFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 20 v 26A (TA), 40A (TC) 2.5mohm @ 20a, 4.5v 1.1V @ 50µA 78 NC @ 4.5 v 3620 pf @ 10 v -
IXTM10P60 IXYS IXTM10P60 -
RFQ
 ECAD 5151 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - - - IXTM10 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
STD9HN65M2 STMicroelectronics STD9HN65M2 -
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std9h MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 5.5A (TC) 10V 820mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 11.5 nc @ 10 v ± 25V 325 pf @ 100 v - 60W (TC)
AON4407L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4407L -
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 Aon44 MOSFET (금속 (() 8-DFN (3x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9A (TA) 1.5V, 4.5V 20mohm @ 9.5a, 4.5v 850MV @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 8V 2100 pf @ 6 v - 2.5W (TA)
IRF2804STRR Infineon Technologies IRF2804STRR -
RFQ
 ECAD 9562 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 330W (TC)
SISS30ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS30ADN-T1-GE3 1.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS30 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 15.9A (TA), 54.7A (TC) 7.5V, 10V 8.9mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1295 pf @ 40 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
IRF7807D2TRPBF Infineon Technologies IRF7807D2TRPBF -
RFQ
 ECAD 6160 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
YJL2304A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2304A 0.2100
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 39mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 4.2 NC @ 10 v ± 20V 520 pf @ 15 v - 1W (TA)
FQI4N25TU onsemi fqi4n25tu -
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI4 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 3.6A (TC) 10V 1.75ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 5.6 NC @ 10 v ± 30V 200 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 52W (TC)
IPA50R800CE Infineon Technologies IPA50R800CE -
RFQ
 ECAD 4490 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 13V 800mohm @ 1.5a, 13v 3.5V @ 130µA 12.4 NC @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 26.4W (TC)
NTD60N02R-001 onsemi NTD60N02R-001 0.1400
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 NTD60 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75
IPB80N06S2H5AUMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2H5AUMA1 -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 IPB80 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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