SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies IPL60R650P6SATMA1 1.6500
RFQ
 ECAD 1925 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPL60R650 MOSFET (금속 (() 8- 테인 팩 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 6.7A (TC) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 4.5V @ 200µA 12 nc @ 10 v ± 20V 557 pf @ 100 v - 56.8W (TC)
IXTP80N10T IXYS IXTP80N10T 3.4400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP80 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 14mohm @ 25a, 10V 5V @ 100µa 60 nc @ 10 v ± 20V 3040 pf @ 25 v - 230W (TC)
STF20N65M5 STMicroelectronics STF20N65M5 3.2600
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF20 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 1345 pf @ 100 v - 30W (TC)
IRF6718L2TRPBF Infineon Technologies IRF6718L2TRPBF -
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L6 MOSFET (금속 (() DirectFet L6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 61A (TA), 270A (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 61a, 10V 2.35V @ 150µA 96 NC @ 4.5 v ± 20V 6500 pf @ 13 v - 4.3W (TA), 83W (TC)
STB25NM50N-1 STMicroelectronics STB25NM50N-1 -
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB25N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 25V 2565 pf @ 25 v - 160W (TC)
RM80N80T2 Rectron USA RM80N80T2 0.5200
RFQ
 ECAD 3910 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N80T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 80 v 80A (TA) 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4100 pf @ 25 v - 170W (TA)
TPH3202PD Transphorm tph3202pd -
RFQ
 ECAD 2776 0.00000000 반죽 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 Ganfet ((갈륨) TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 350mohm @ 5.5a, 8v 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 4.5 v ± 18V 760 pf @ 480 v - 65W (TC)
AUIRLR024ZTRL International Rectifier auirlr024ztrl 1.0000
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 16A (TC) 58mohm @ 9.6a, 10V 3V @ 250µA 9.9 NC @ 5 v ± 16V 380 pf @ 25 v - 35W (TC)
SPI11N60CFDHKSA1 Infineon Technologies SPI11N60CFDHKSA1 -
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi11n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10V 5v @ 500µa 64 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
MMIX1T132N50P3 IXYS MMIX1T132N50P3 52.7300
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 ixys Polar ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 24-powersmd, 22 리드 MMIX1T132 MOSFET (금속 (() Polar3 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -mmix1t132n50p3 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 500 v 63A (TC) 10V 43mohm @ 66a, 10V 5V @ 8MA 267 NC @ 10 v ± 30V 18600 pf @ 25 v - 520W (TC)
IRFR9010TR Vishay Siliconix irfr9010tr -
RFQ
 ECAD 6264 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 50 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRFSL4410PBF Infineon Technologies IRFSL4410PBF -
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550234 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 88A (TC) 10V 10mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 180 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 50 v - 200W (TC)
AOWF25S65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF25S65 2.1447
RFQ
 ECAD 5770 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA AOWF25 MOSFET (금속 (() TO-262F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 25A (TC) 10V 190mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250µA 26.4 NC @ 10 v ± 30V 1278 pf @ 100 v - 28W (TC)
HUF75545S3 Fairchild Semiconductor HUF75545S3 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 80 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4V @ 250µA 235 NC @ 20 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 270W (TC)
SCT30N120H STMicroelectronics SCT30N120H 24.5100
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCT30 sicfet ((카바이드) H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 40A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 3.5V @ 1mA 105 NC @ 20 v +25V, -10V 1700 pf @ 400 v - 270W (TC)
FDW254PZ onsemi FDW254PZ -
RFQ
 ECAD 2710 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 9.2A (TA) 1.8V, 4.5V 12MOHM @ 9.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 96 NC @ 4.5 v ± 8V 5880 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
DMN2451UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2451UFB4-7B 0.0485
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2451 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2451UFB4-7BTR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 12V 32 pf @ 16 v - 660MW (TA)
IRFZ44RSTRR Vishay Siliconix IRFZ44RSTRR -
RFQ
 ECAD 7617 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
STI90N4F3 STMicroelectronics STI90N4F3 -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI9 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
IXFP24N60X IXYS IXFP24N60X 4.8011
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP24 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 175mohm @ 12a, 10V 4.5V @ 2.5MA 47 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 400W (TC)
PSMN3R5-25MLDX Nexperia USA Inc. psmn3r5-25mldx 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn3r5 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 70A (TC) 4.5V, 10V 3.72mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 18.9 NC @ 10 v ± 20V 1334 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 65W (TC)
AOD474B Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD474B -
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD47 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 2.5A (TA), 10A (TC) 4.5V, 10V 132mohm @ 5a, 10V 2.3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 282 pf @ 37.5 v - 2.1W (TA), 28.5W (TC)
SIHH14N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH14N65EF-T1-GE3 5.4100
RFQ
 ECAD 3783 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH14 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 271mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 30V 1749 pf @ 100 v - 156W (TC)
AUIRF7207Q International Rectifier AUIRF7207Q -
RFQ
 ECAD 2173 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 5.4A (TA) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 5.4a, 4.5v 1.6V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 12V 780 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
HAT2172N-EL-E Renesas Electronics America Inc HAT2172N-EL-E 1.8500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-LFPAK-IV 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 30A (TA) 7.8mohm @ 15a, 10V - 32 NC @ 10 v 2420 pf @ 10 v - 20W (TC)
FQI3N40TU onsemi fqi3n40tu -
RFQ
 ECAD 7708 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI3 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 2.5A (TC) 10V 3.4ohm @ 1.25a, ​​10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 55W (TC)
IRLR230ATF onsemi IRLR230ATF -
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 7.5A (TC) 5V 400mohm @ 3.75a, 5V 2V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 20V 755 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 48W (TC)
SPI80N08S2-07 Infineon Technologies SPI80N08S2-07 -
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 6130 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF7831PBF Infineon Technologies IRF7831PBF -
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551568 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 2.35V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 12V 6240 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
NVMFS5C410NWFAFT1G onsemi NVMFS5C410NWFAFT1G 4.9100
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 46A (TA), 300A (TC) 10V 0.92mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 166W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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