SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IPB100N08S207ATMA1 Infineon Technologies IPB100N08S207ATMA1 2.3255
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 6.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 300W (TC)
FQPF6N60 onsemi FQPF6N60 -
RFQ
 ECAD 3582 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF6 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 44W (TC)
IRFZ48VPBF Infineon Technologies IRFZ48VPBF -
RFQ
 ECAD 2424 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 72A (TC) 10V 12MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1985 pf @ 25 v - 150W (TC)
IXFP102N15T IXYS IXFP102N15T 5.3840
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP102 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 102A (TC) 10V 18mohm @ 500ma, 10V 5V @ 1MA 87 NC @ 10 v ± 20V 5220 pf @ 25 v - 455W (TC)
NTD4302T4 onsemi NTD4302T4 -
RFQ
 ECAD 1116 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD43 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTD4302T4OS 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.4A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 10MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 24 v - 1.04W (TA), 75W (TC)
IPI06CN10N G Infineon Technologies ipi06cn10n g -
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI06C MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 180µA 139 NC @ 10 v ± 20V 9200 pf @ 50 v - 214W (TC)
IPD060N03LGBTMA1 Infineon Technologies IPD060N03LGBTMA1 0.3409
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD060 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000236948 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 56W (TC)
SSF6092G1 Good-Ark Semiconductor SSF6092G1 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 2.7a 10V 92mohm @ 2.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 641 pf @ 25 v - 1.25W
PMV75UP,215 Nexperia USA Inc. PMV75UP, 215 0.4700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV75 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 102mohm @ 2.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ± 12V 550 pf @ 10 v - 490MW (TA), 5W (TC)
SIHP15N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHP15N50E-GE3 2.2000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP15 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 14.5A (TC) 10V 280mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 30V 1162 pf @ 100 v - 156W (TC)
BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1 2.8800
RFQ
 ECAD 1858 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC082 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 13.8A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 100A, 10V 2.4V @ 110µA 104 NC @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 50 v - 156W (TC)
IRLR014NTRL Infineon Technologies irlr014ntrl -
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 1V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
BSS138BKW/DG/B2135 Nexperia USA Inc. BSS138BKW/DG/B2135 -
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 10,000
TK18A30D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK18A30D, S5X 1.7900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 18A (TA) 10V 139mohm @ 9a, 10V 3.5V @ 1mA 60 nc @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 100 v - 45W (TC)
BUK9620-100A,118 NXP USA Inc. BUK9620-100A, 118 -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk96 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 63A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 6385 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRFH5053TRPBF International Rectifier IRFH5053TRPBF -
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() pqfn (5x6) 단일 다이 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 9.3A (TA), 46A (TC) 10V 18mohm @ 9.3a, 10V 4.9V @ 100µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 8.3W (TC)
FDMS9408-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408-F085 -
RFQ
 ECAD 9562 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS94 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 25 v - 214W (TJ)
IXTT10P60 IXYS IXTT10P60 12.9700
RFQ
 ECAD 3064 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT10 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixtt10p60 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 600 v 10A (TC) 10V 1ohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 300W (TC)
STD4NK60ZT4 STMicroelectronics STD4NK60ZT4 1.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD4NK60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 50µA 26 NC @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 70W (TC)
IRFP350LCPBF Vishay Siliconix IRFP350LCPBF 6.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP350 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP350LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 400 v 16A (TC) 10V 300mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
AOD512 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD512 -
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD51 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 27A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3430 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 83W (TC)
SQS415ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS415ENW-T1_GE3 1.0700
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 16.1mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 4825 pf @ 25 v - 62.5W (TC)
IRFR9014 Vishay Siliconix IRFR9014 -
RFQ
 ECAD 9841 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9014 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
STP7N52DK3 STMicroelectronics STP7N52DK3 -
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 stmicroelectronics SuperFredmesh3 ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP7N MOSFET (금속 (() TO-220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 525 v 6A (TC) 10V 1.15ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 50µA 33 NC @ 10 v ± 30V 870 pf @ 50 v - 90W (TC)
BSS123LT3G onsemi BSS123LT3G -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 10V 6ohm @ 100ma, 10V 2.8V @ 1MA ± 20V 20 pf @ 25 v - 225MW (TA)
2SK137400L Panasonic Electronic Components 2SK137400L -
RFQ
 ECAD 2644 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SK1374 MOSFET (금속 (() smini3-g1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 50MA (TA) 2.5V 50ohm @ 10ma, 2.5v 1.1V @ 100µa 10V 4.5 pf @ 5 v - 150MW (TA)
IXFB44N100P IXYS IXFB44N100p 32.9800
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFB44 MOSFET (금속 (() Plus264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 1000 v 44A (TC) 10V 220mohm @ 22a, 10V 6.5V @ 1mA 305 NC @ 10 v ± 30V 19000 pf @ 25 v - 1250W (TC)
IRLL024ZPBF International Rectifier irll024zpbf -
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 5A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 11 NC @ 5 v ± 16V 380 pf @ 25 v - 1W (TA)
RSS090P03FU6TB1 Rohm Semiconductor RSS090P03FU6TB1 -
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RSS090P03FU6TB1TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 14mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 39 NC @ 5 v ± 20V 4000 pf @ 10 v - 2W (TA)
SI7196DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7196DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 Vishay Siliconix WFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7196 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1577 pf @ 15 v - 5W (TA), 41.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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