RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (166326)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZG05C24-E3-TR3	-	RFQ	2910	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	6,000			1.2 v @ 200 ma		500 na @ 18 v						24 v	25 옴
BZG05C62-HE3-TR3	-	RFQ	7292	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	6,000			1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 47 v						62 v	125 옴
BZT55A8V2-GS18	-	RFQ	8381	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	BZT55		500MW	SOD-80 Quadromelf	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 6.2 v						8.2 v	7 옴
BZX55A24-TAP	-	RFQ	4957	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 18 v						24 v	80 옴
BZX55A27-TAP	-	RFQ	9217	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 20 v						27 v	80 옴
BZX55F2V4-TR	-	RFQ	5652	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000			1.5 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v						2.4 v	85 옴
GDZ2V0B-HG3-18	0.0509	RFQ	8141	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ2V0		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000					120 µa @ 500 mV						2 v	100 옴
GDZ36B-HG3-18	0.0523	RFQ	3721	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ36		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000					100 na @ 27 v						36 v	300 옴
GDZ5V1B-HG3-18	0.0451	RFQ	4791	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ5V1		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000					2 µa @ 1 v						5.1 v	100 옴
GDZ8V2B-HG3-18	0.0509	RFQ	5013	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ8V2		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000					500 na @ 5 v						8.2 v	30 옴
MB14M-BP	-	RFQ	3207	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.200 ", 5.08mm)	MB14	Schottky		MB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0080	5,000			500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v		1 a		단일 단일	40 v
MB18M-BP	-	RFQ	4776	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.200 ", 5.08mm)	MB18	Schottky		MB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0080	5,000			850 mv @ 1 a		500 NA @ 80 v		1 a		단일 단일	80 v
US1JFA	0.5300	RFQ	4	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	US1J	기준		SOD-123FA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MD60S16M2-BP	53.0400	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	M2 모듈	MD60S16	기준		M2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	8			1.8 V @ 150 a		300 µa @ 1600 v		60 a		3 단계	1.6kV
TBS22M-TP	0.4500	RFQ	8393	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	TBS22	기준		4-TB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	3,000			1.1 v @ 2 a		5 µa @ 1000 v		2.2 a		단일 단일	1kv
SS19FA	0.3900	RFQ	4651	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	SS19	Schottky		SOD-123FA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	90 v	800 mv @ 1 a		50 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	55pf @ 4V, 1MHz
PDA7T7201245	-	RFQ	9780	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA7T7R70645	-	RFQ	7178	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인					PDA7T7				다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA7T7S00675	-	RFQ	3131	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인					PDA7T7				다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA7TSRS0665	-	RFQ	7374	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA9R9G01212	-	RFQ	1254	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인					PDA9R9				다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA9R9G01222	-	RFQ	7418	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인					PDA9R9				다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA9R9G01612	-	RFQ	7799	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인					PDA9R9				다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA9R9G01622	-	RFQ	9202	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인					PDA9R9				다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA9T9G00612	-	RFQ	8435	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인					PDA9T9				다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDA9T9G01610	-	RFQ	1590	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인					PDA9T9				다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDB1CD411299	-	RFQ	8615	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDB2CD611616	-	RFQ	9111	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDB2CD620815	-	RFQ	9618	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10
PDB2CD621615	-	RFQ	6487	Powerex Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드	rohs 준수	1 (무제한)				10

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (166326)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²