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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) |
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![]() | MMSZ3V3T1H | - | ![]() | 5211 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RB238T100NZC9 | 2.7600 | ![]() | 864 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RB238 | Schottky | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 40a | 860 mV @ 20 a | 20 µa @ 100 v | 150 ° C | ||||||||
![]() | RBQ10NS100ATL | 1.9000 | ![]() | 970 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RBQ10 | Schottky | LPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 770 mv @ 5 a | 80 µa @ 100 v | 150 ° C | ||||||||
![]() | 1N4004T/R | 0.0230 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2439-1N4004T/RTR | 5,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | EGF1B-1HE3_B/H | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214BA | EGF1B | 기준 | DO-214BA (GF1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 112-EGF1B-1HE3_B/HTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | KBPC3500WP | 2.0900 | ![]() | 7097 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, KBPC | KBPC3500 | 기준 | KBPC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-KBPC3500WP | 귀 99 | 1 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 50 v | 35 a | 단일 단일 | 50 v | |||||||||
![]() | B80C1500A | 3.2110 | ![]() | 7 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip | 기준 | 4-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2721-B80C1500A | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 2 a | 5 µa @ 160 v | 1.8 a | 단일 단일 | 160 v | |||||||||||
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![]() | GBJ20G | 0.8600 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 급등하다 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBJ | 기준 | GBJ (5S) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2616-GBJ20G | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 10 a | 5 µa @ 400 v | 3.5 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||
![]() | GBPC1006W | 2.2100 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 급등하다 | GBPC10 | 가방 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, GBPC-W | 기준 | GBPC-W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2616-GBPC1006W | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 5 a | 5 µa @ 600 v | 10 a | 단일 단일 | 600 v |
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