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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N703A Microchip Technology 1N703A 1.0500
RFQ
ECAD 3435 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N703 250 MW DO-35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 50 µa @ 3.4 v 3.4 v 55 옴
1N707A Microchip Technology 1N707A 1.9200
RFQ
ECAD 1376 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N707 250 MW DO-35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 7.1 v 7.1 v 10 옴
1N714 Microchip Technology 1N714 2.7150
RFQ
ECAD 7193 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N714 250 MW DO-35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 10 v 8 옴
1N716A Microchip Technology 1N716A 1.9200
RFQ
ECAD 4567 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N716 250 MW DO-35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 12 v 10 옴
1N722 Microchip Technology 1N722 1.9200
RFQ
ECAD 5920 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N722 250 MW DO-35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 22 v 24 옴
1N733 Microchip Technology 1N733 1.9350
RFQ
ECAD 4023 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N733 250 MW DO-35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 62 v 170 옴
1N741 Microchip Technology 1N741 2.0700
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N741 250 MW DO-35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 130 v 650 옴
1N750A-1 Microchip Technology 1N750A-1 2.1800
RFQ
ECAD 311 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N750 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 15 옴
1N753A-1 Microchip Technology 1N753A-1 2.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N753 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 6.2 v 6.2 v 3 옴
1N755A-1 Microchip Technology 1N755A-1 2.1600
RFQ
ECAD 1202 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N755 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
1PMT4126C/TR7 Microchip Technology 1 PMT4126C/TR7 1.2450
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4126 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 38.76 v 51 v 250 옴
1PMT4126CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4126CE3/TR13 0.4950
RFQ
ECAD 7265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4126 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 38.76 v 51 v 250 옴
1PMT4130C/TR13 Microchip Technology 1 PMT4130C/TR13 1.2450
RFQ
ECAD 8926 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4130 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 51.68 v 68 v 250 옴
1PMT4132/TR13 Microchip Technology 1 PMT4132/TR13 0.9600
RFQ
ECAD 2990 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4132 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 62.32 v 82 v 250 옴
1PMT4132CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4132CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 6715 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4132 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 62.32 v 82 v 250 옴
1PMT4624C/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT4624C/TR7 -
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMite® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 4.7 v 1600 옴
1PMT4626CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4626CE3/TR13 0.3750
RFQ
ECAD 3321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4626 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 10 µa @ 4 v 5.6 v 1400 옴
1PMT4627/TR13 Microchip Technology 1 pmt4627/tr13 1.1700
RFQ
ECAD 4325 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4627 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 6.2 v 1200 옴
MDMA85P1600TG IXYS MDMA85P1600TG 31.0547
RFQ
ECAD 5354 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 섀시 섀시 TO-240AA MDMA85 기준 TO-240AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 36 1 연결 연결 시리즈 1600 v 85A 1.17 V @ 85 a 200 µa @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C
CDLL4740 Microchip Technology CDLL4740 3.4650
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4740 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
CDLL4740A Microchip Technology CDLL4740A 3.6900
RFQ
ECAD 7814 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4740 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
CDLL4747A Microchip Technology CDLL4747A 3.4650
RFQ
ECAD 3065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4747 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 15.2 v 20 v 22 옴
CDLL4750 Microchip Technology CDLL4750 3.4650
RFQ
ECAD 7068 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4750 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 20.6 v 27 v 35 옴
CDLL4702 Microchip Technology CDLL4702 3.3000
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4702 500MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v
CDLL4708 Microchip Technology CDLL4708 3.3000
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4708 500MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 16.7 v 22 v
CDLL4713 Microchip Technology CDLL4713 3.4950
RFQ
ECAD 8250 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4713 500MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 22.8 v 30 v
CDLL4622 Microchip Technology CDLL4622 3.7500
RFQ
ECAD 4983 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA CDLL4622 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2.5 µa @ 2 v 3.9 v 1650 옴
CDLL4732 Microchip Technology CDLL4732 2.4450
RFQ
ECAD 8398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4732 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
CDLL4734A Microchip Technology CDLL4734A 3.8250
RFQ
ECAD 2315 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4734 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.6 v 5 옴
CDLL4736 Microchip Technology CDLL4736 3.4650
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4736 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고