SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N3328A Microchip Technology 1N3328A 49.3800
RFQ
ECAD 3554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3328 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 32.7 v 43 v 4.5 옴
1N3330RB Microchip Technology 1N3330RB 49.3800
RFQ
ECAD 8184 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3330 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 35.8 v 47 v 5 옴
1N3331A Microchip Technology 1N3331A 49.3800
RFQ
ECAD 4880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3331 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 38.8 v 50 v 5 옴
1N3332B Microchip Technology 1N3332B 49.3800
RFQ
ECAD 1965 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3332 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 38.8 v 51 v 5.2 옴
1N3342B Microchip Technology 1N3342B 49.3800
RFQ
ECAD 8203 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3342 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 83 v 110 v 30 옴
1N2820B Microchip Technology 1N2820B 94.8900
RFQ
ECAD 9657 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2820 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 18.2 v 24 v 2.6
1N2823A Microchip Technology 1N2823A 94.8900
RFQ
ECAD 4211 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2823 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 22.8 v 30 v 3 옴
1N2826B Microchip Technology 1N2826B 94.8900
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2826 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 29.7 v 39 v 4 옴
1N2837A Microchip Technology 1N2837A 94.8900
RFQ
ECAD 1986 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2837 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 69.2 v 91 v 15 옴
1N2838RB Microchip Technology 1N2838RB 96.0150
RFQ
ECAD 8008 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2838 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 76 v 100 v 20 옴
1N2845B Microchip Technology 1N2845B -
RFQ
ECAD 1922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2845 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 136.8 v 180 v 90 옴
1N2988B Microchip Technology 1N2988B 36.9900
RFQ
ECAD 1675 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N2988 10 W. DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 20.6 v 27 v 7 옴
1N2999B Microchip Technology 1N2999B 36.9900
RFQ
ECAD 3596 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N2999 10 W. DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 42.6 v 56 v 16 옴
1N3001A Microchip Technology 1N3001A 36.9900
RFQ
ECAD 1520 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3001 10 W. DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 51.7 v 68 v 18 옴
1N3005RB Microchip Technology 1N3005RB 40.3200
RFQ
ECAD 3244 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3005 10 W. DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 76 v 100 v 40
APT2X51DC120J Microsemi Corporation APT2X51DC120J -
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT2X51 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1200 v 50a 1.8 V @ 50 a 0 ns 1 ma @ 1200 v
APT2X51DC60J Microsemi Corporation APT2X51DC60J -
RFQ
ECAD 8713 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT2X51 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 600 v 50a 1.8 V @ 50 a 0 ns 1 ma @ 600 v
APTDC10H601G Microsemi Corporation APTDC10H601G -
RFQ
ECAD 1779 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP1 실리콘 실리콘 쇼트 카바이드 SP1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 10 a 200 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
APTDC20H601G Microsemi Corporation APTDC20H601G -
RFQ
ECAD 7752 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 실리콘 실리콘 쇼트 카바이드 SP1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 20 a 400 µa @ 600 v 20 a 단일 단일 600 v
1PMT4101/TR7 Microchip Technology 1 pmt4101/tr7 0.9600
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4101 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 6.24 v 8.2 v 200 옴
1PMT4101C/TR7 Microchip Technology 1 PMT4101C/TR7 1.2450
RFQ
ECAD 1459 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4101 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 6.24 v 8.2 v 200 옴
1PMT4101CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4101CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 5486 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4101 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 6.24 v 8.2 v 200 옴
1PMT4107C/TR7 Microchip Technology 1 PMT4107C/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 9027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4107 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 9.87 v 13 v 200 옴
1PMT4108CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4108CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 8076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4108 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 10.65 v 14 v 200 옴
1PMT4109E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4109E3/TR7 0.5100
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4109 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 옴
1PMT4110E3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4110E3/TR13 0.4950
RFQ
ECAD 2748 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4110 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 12.15 v 16 v 100 옴
1PMT4111CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4111CE3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4111 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 12.92 v 17 v 100 옴
1PMT4114/TR13 Microchip Technology 1 pmt4114/tr13 0.9600
RFQ
ECAD 3414 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4114 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 15.2 v 20 v 150 옴
1PMT4114CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4114CE3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 2927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4114 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 15.2 v 20 v 150 옴
1PMT4115/TR13 Microchip Technology 1 pmt4115/tr13 0.9600
RFQ
ECAD 6661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4115 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 16.72 v 22 v 150 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고