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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 현재 - 최대 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 저항 @ if, f | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GC1510-30 | - | ![]() | 6209 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 스터드 스터드 | 마개 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC1510-30 | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 5.6pf @ 4V, 1MHz | 하나의 | 30 v | 4 | C0/C30 | 2600 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||
![]() | GC4270-150A | - | ![]() | 5684 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4270-150AT | 1 | 10 MA | 0.06pf @ 10V, 1MHz | 핀 - 단일 | 70V | 1.5ohm @ 20ma, 1GHz | ||||||||||||||||||
![]() | GC9941-TSR | - | ![]() | 9173 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 3-smd,, 리드 | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC9941-TSR | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.1pf @ 0V, 1MHz | Schottky- 싱글 | 4V | 20ohm @ 5ma, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | GC4492-00 | - | ![]() | 9432 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4492-00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 MA | 0.5pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 750V | 1ohm @ 100ma, 100mhz | ||||||||||||||||
![]() | GC4600-173 | - | ![]() | 9506 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 마개 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4600-173 | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.75pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 1500V | 300mohm @ 500ma, 100mhz | |||||||||||||||||
![]() | GC4312-00 | - | ![]() | 5394 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4312-00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.2pf @ 10V, 1MHz | 핀 - 단일 | 100V | 900mohm @ 20ma, 1GHz | |||||||||||||||||
![]() | GC4490-30 | - | ![]() | 4442 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 마개 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4490-30 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 MA | 0.1pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 750V | 1.5ohm @ 100ma, 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | GC4432-115-2 | - | ![]() | 8188 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 기준 기준 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4432-115-2 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 MA | 0.5pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 300V | 1ohm @ 100ma, 100mhz | ||||||||||||||||
![]() | GC9700-150A | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 주사위 | Schottky | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC9700-150AT | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 70 v | 430 mv @ 1 ma | 200 na @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 15MA | 2.1pf @ 0v, 1MHz | |||||||||||||
![]() | GC4731-00 | - | ![]() | 3727 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4731-00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 2 w | 0.1pf @ 6V, 1MHz | 핀 - 단일 | 15V | 2ohm @ 10ma, 100mhz | ||||||||||||||||
GC9923-127A | - | ![]() | 8192 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 2-SMD,, 리드 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC9923-127A | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.3pf @ 0V, 1MHz | Schottky- 싱글 | 2V | 14ohm @ 5ma, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | GC4491-79 | - | ![]() | 2860 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 2-SMD,, 없음 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4491-79 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 MA | 0.25pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 750V | 1.2OHM @ 100MA, 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | GC4221-00 | - | ![]() | 5734 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4221-00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 10 MA | 0.1pf @ 10V, 1MHz | 핀 - 단일 | 250V | 2ohm @ 20ma, 1GHz | ||||||||||||||||
![]() | GC2521-450A | - | ![]() | 6265 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC2521-450AT | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.6pf @ 6V, 1MHz | 하나의 | 20 v | - | - | |||||||||||||||
![]() | GC2510-00 | - | ![]() | 7086 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC2510-00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.4pf @ 6V, 1MHz | 하나의 | 15 v | - | - | |||||||||||||||
![]() | MP61002-P00 | - | ![]() | 6635 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 주사위 | MP61002 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MP61002-P00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 MA | 0.04pf @ 10V, 1MHz | 핀 - 단일 | 200V | 3ohm @ 20ma, 1GHz | |||||||||||||||
![]() | MV21009-150A | - | ![]() | 1965 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MV21009-150AT | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 1.8pf @ 4V, 1MHz | 하나의 | 30 v | 4.5 | C0/C30 | 5000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||
![]() | MV21003-M23 | - | ![]() | 9704 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | - | - | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MV21003-M23 | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.5pf @ 4V, 1MHz | 하나의 | 30 v | 3.4 | C0/C30 | 7000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||
![]() | MV21002-P00 | - | ![]() | 2186 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MV21002-P00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.4pf @ 4V, 1MHz | 하나의 | 30 v | 3.1 | C0/C30 | 7500 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||
MV32006-129A | - | ![]() | 6695 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MV32006-129A | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.2pf @ 4V, 1MHz | 하나의 | 22 v | 3.5 | C2/C20 | 3000 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||
![]() | MV31013-150A | - | ![]() | 8983 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MV31013-150AT | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 1pf @ 4V, 1MHz | 하나의 | 22 v | 7.7 | C2/C20 | 3000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||
![]() | MV31019-P00 | - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MV31019-P00 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 2.7pf @ 4v, 1MHz | 하나의 | 22 v | 10.8 | C2/C20 | 2000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||
![]() | MV32005-150A | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 칩 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MV32005-150AT | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 1.8pf @ 4V, 1MHz | 하나의 | 22 v | 3.4 | C2/C20 | 3000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||
![]() | UM9601 | - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | 2-SMD | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UM9601 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5 w | 1.2pf @ 100V, 1MHz | 핀 - 단일 | 100V | 600mohm @ 100ma, 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | UM7201B | - | ![]() | 2407 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | 축 | 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UM7201BTR | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 5.5 w | 2.2pf @ 100V, 1MHz | 핀 - 단일 | 100V | 250mohm @ 100MA, 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | UM7010SM | - | ![]() | 6725 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | SQ-Mell | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UM7010SMTR | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 8 W. | 0.9pf @ 100V, 1MHz | 핀 - 단일 | 1000V | 1ohm @ 100ma, 100mhz | ||||||||||||||||
![]() | GC15012-150D/TR | - | ![]() | 3173 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 주사위 | GC15012 | 칩 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC15012-150D/TR | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 6.8pf @ 20V, 1MHz | 하나의 | 22 v | 13 | C0/C20 | 400 @ 4V, 50MHz | |||||||||||
![]() | GC2532-150A/TR | - | ![]() | 4803 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 주사위 | GC2532 | 칩 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC2532-150A/TR | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.8pf @ 6V, 1MHz | 하나의 | 30 v | - | - | ||||||||||||
![]() | G3SBA60L-5700E3/51 | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 v | 2.3 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||
![]() | G3SBA60L-5705M3/51 | - | ![]() | 7388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 v | 2.3 a | 단일 단일 | 600 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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