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다이오드 (168966)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ABS15J Diotec Semiconductor abs15J 0.0740
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ABS15JTR 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
ZMD10B Diotec Semiconductor ZMD10B 0.1011
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd10btr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 7 v 10 v 5.2 옴
SMS160 Diotec Semiconductor SMS160 0.1092
RFQ
 ECAD 2853 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF Schottky Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMS160TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
M5 Diotec Semiconductor M5 0.0149
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-m5tr 8541.10.0000 7,500 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
S250F Diotec Semiconductor S250F 0.1938
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 to-269aa 9 딜 슬림 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S250FTR 8541.10.0000 5,000 1.3 v @ 800 ma 5 µa @ 600 v 800 MA 단일 단일 600 v
SL1K Diotec Semiconductor SL1K 0.0179
RFQ
 ECAD 4945 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SL1KTR 8541.10.0000 3,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1 µs 1 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZMD12B Diotec Semiconductor ZMD12B 0.1011
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd12btr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 8 v 12 v 7 옴
B380S15A Diotec Semiconductor B380S15A 0.1203
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B380S15AT 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v 1.5 a 단일 단일 800 v
B250S15A Diotec Semiconductor B250S15A 0.1203
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B250S15AT 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
UST1D Diotec Semiconductor UST1D 0.0331
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-OST1DTR 8541.10.0000 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
SMZ110 Diotec Semiconductor SMZ110 0.0772
RFQ
 ECAD 9147 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ110tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 50 v 110 v 80 옴
BZT52C33 Diotec Semiconductor BZT52C33 0.0304
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C33TR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 25 v 33 v 80 옴
SK56SMC Diotec Semiconductor SK56SMC 0.1431
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK56SMCTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 mV @ 5 a 150 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a -
CS50D Diotec Semiconductor CS50D 1.7165
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) Schottky DFM 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-CS50D 8541.10.0000 250 790 MV @ 1 a 500 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
CS40S Diotec Semiconductor CS40S 0.2099
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 Schottky 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-CS40STR 8541.10.0000 1,500 790 MV @ 1 a 500 µa @ 80 v 1 a 단일 단일 80 v
2BZX84C22 Diotec Semiconductor 2BZX84C22 0.0363
RFQ
 ECAD 8104 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-2BZX84C22TR 8541.10.0000 3,000 1 양극 양극 공통 50 NA @ 15.4 v 22 v 70 옴
MM3Z47 Diotec Semiconductor MM3Z47 0.0304
RFQ
 ECAD 3927 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z47tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 36 v 47 v 170 옴
ZMD39B Diotec Semiconductor ZMD39B 0.1011
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMD39BTR 8541.10.0000 2,500 500 na @ 26 v 39 v 50 옴
MM3Z10-AQ Diotec Semiconductor MM3Z10-AQ 0.0363
RFQ
 ECAD 4260 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z10-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 7 v 10 v 20 옴
Z2SMB43 Diotec Semiconductor Z2SMB43 0.2149
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z2SMB43TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 20 v 43 v 24 옴
ZMM27 Diotec Semiconductor ZMM27 0.0257
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm27tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 20 v 27 v 80 옴
S80 Diotec Semiconductor S80 0.1190
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 to-269aa 9 딜 슬림 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S80tr 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 160 v 800 MA 단일 단일 160 v
VS-C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C12ET07T-M3 -
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 C12ET07 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 751-VS-C12ET07T-M3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 650 v 1.7 V @ 12 a 65 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 12a 515pf @ 1v, 1MHz
GL34B-CT Diotec Semiconductor GL34B-CT 0.2412
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AA GL34B 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-GL34B-CT 8541.10.0000 30 짐 100 v 1.2 v @ 500 ma 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 500ma -
BYW27-50-CT Diotec Semiconductor BYW27-50-CT 0.4083
RFQ
 ECAD 8280 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 BYW27 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-BYW27-50-CT 8541.10.0000 25 짐 50 v 1.3 v @ 1 a 1.5 µs 200 na @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
M5-CT Diotec Semiconductor M5-CT 0.1473
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-M5-CT 8541.10.0000 30 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
PX1500G-CT Diotec Semiconductor PX1500G-CT 2.5550
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, PX1500 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-PX1500G-CT 8541.10.0000 12 짐 400 v 1 V @ 15 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 15a -
SM513-CT Diotec Semiconductor SM513-CT 0.2965
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF SM513 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-SM513-CT 8541.10.0000 30 짐 1300 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1.3 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
PX1500D-CT Diotec Semiconductor PX1500D-CT 2.1564
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, PX1500 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-PX1500D-CT 8541.10.0000 12 짐 200 v 1 V @ 15 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 15a -
S3W-CT Diotec Semiconductor S3W-CT 1.3207
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S3W-CT 귀 99 8541.10.0080 15 짐 1600 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 1.6 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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