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다이오드 (168966)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GBI20K Diotec Semiconductor GBI20K 0.8761
RFQ
 ECAD 1137 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI20K 8541.10.0000 500 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 800 v 3.6 a 단일 단일 800 v
B380R Diotec Semiconductor B380R 0.4500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, wog 기준 wog 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0000 1,000 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
SB1290 Diotec Semiconductor SB1290 0.6588
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 Schottky 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB1290TR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 830 mv @ 12 a 500 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 12a -
ZPD6.8 Diotec Semiconductor ZPD6.8 0.0211
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpd6.8tr 8541.10.0000 10,000 100 na @ 3 v 6.8 v 4.5 옴
KBPC10/15/2506WP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2506WP 2.5227
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC10/15/2506WP 8541.10.0000 160 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
P2000B Diotec Semiconductor P2000B 0.7141
RFQ
 ECAD 4797 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P2000BTR 8541.10.0000 1,000 짐 100 v 1.1 v @ 20 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
GBI10A Diotec Semiconductor GBI10A 0.6024
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI10A 8541.10.0000 500 1.1 v @ 5 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 50 v
FE1D Diotec Semiconductor fe1d 0.0664
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-FE1DTR 8541.10.0000 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 1 a 50 ns 2 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
P2000M Diotec Semiconductor P2000m 0.7629
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P2000MTR 8541.10.0000 1,000 짐 1000 v 1.1 v @ 20 a 1.5 µs 10 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
GBS4K Diotec Semiconductor GBS4K 0.9390
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-GBS4K 8541.10.0000 500 1.05 V @ 2 a 5 µa @ 800 v 2.3 a 단일 단일 800 v
FR2M Diotec Semiconductor FR2M 0.1027
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FR2MTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
UGB8BT Diotec Semiconductor UGB8BT 0.6122
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-GUB8BT 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 8 a 35 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
ZMD6.2 Diotec Semiconductor ZMD6.2 0.1260
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd6.2tr 8541.10.0000 2,500 1 µa @ 1.5 v 6.2 v 4.8 옴
ABS6 Diotec Semiconductor abs6 0.0480
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ABS6TR 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 600 v 800 MA 단일 단일 600 v
ABS15M Diotec Semiconductor abs15m 0.0740
RFQ
 ECAD 5225 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ABS15MTR 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
ABSF15M Diotec Semiconductor absf15m 0.0816
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ABSF15MTR 8541.10.0000 5,000 1.3 v @ 800 ma 2 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
M7L Diotec Semiconductor M7L 0.0152
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-m7ltr 8541.10.0000 7,500 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
RAL1A Diotec Semiconductor ral1a 0.0585
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ral1atr 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 3 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
Z3SMC7.5 Diotec Semiconductor Z3SMC7.5 0.2393
RFQ
 ECAD 2879 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC7.5tr 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 2 v 7.5 v 1 옴
MM3Z2V7 Diotec Semiconductor MM3Z2V7 0.0304
RFQ
 ECAD 603 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z2v7tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 120 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
GBI40W Diotec Semiconductor GBI40W 3.8214
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI40W 8541.10.0000 500 1.1 v @ 20 a 5 µa @ 1600 v 6 a 단일 단일 1.6kV
MM1Z4694 Diotec Semiconductor MM1Z4694 0.0404
RFQ
 ECAD 4068 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm1z4694tr 8541.10.0000 24,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 6.2 v 8.2 v
SUF4002 Diotec Semiconductor SUF4002 0.0631
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-SUF4002TR2 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ZMM11 Diotec Semiconductor ZMM11 0.0257
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm11tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BZT52B5V6 Diotec Semiconductor BZT52B5V6 0.0355
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52B5V6TR 8541.10.0000 12,000 2 µa @ 1.5 v 5.6 v 60 옴
S1YL Diotec Semiconductor S1YL 0.0556
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S1YLTR 8541.10.0000 7,500 짐 2000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 2000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
MM5Z15 Diotec Semiconductor MM5Z15 0.0333
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm5z15tr 8541.10.0000 4,000 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
Z3SMC75 Diotec Semiconductor Z3SMC75 0.2393
RFQ
 ECAD 2907 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC75TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 34 v 75 v 30 옴
Z1SMA16 Diotec Semiconductor Z1SMA16 0.0919
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z1SMA16TR 8541.10.0000 7,500 1 v @ 200 ma 1 µa @ 10 v 16 v 13 옴
B80S15A Diotec Semiconductor B80S15A 0.1203
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B80S15AT 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 160 v 1.5 a 단일 단일 160 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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