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다이오드 (166326)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N5349BRLG onsemi 1N5349BRLG 0.4600
RFQ
 ECAD 1865 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5349 5 w 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 2 µA @ 9.1 v 12 v 2.5 옴
1SMA5923BT3G onsemi 1SMA5923BT3G 0.4700
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5923 1.5 w SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 2.5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
MMBZ5235ELT1G onsemi MMBZ5235ELT1G -
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
MMSZ4684T1G onsemi MMSZ4684T1G 0.2300
RFQ
 ECAD 7954 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4684 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1.5 v 3.3 v
MMSZ4702T1G onsemi MMSZ4702T1G 0.2100
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4702 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 11.4 v 15 v
1N4730A-TP Micro Commercial Co 1N4730A-TP -
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4730 1 W. DO-41G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
1N4740A-TP Micro Commercial Co 1N4740A-TP -
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4740 1 W. DO-41G 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
DF01S onsemi DF01 0.6600
RFQ
 ECAD 317 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF01 기준 4-SDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
DF10S onsemi DF10 0.6200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF10 기준 4-SDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
RS405L-F Diodes Incorporated RS405L-F -
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-4L RS405 기준 RS-4L 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RS405L-FDI 귀 99 8541.10.0080 500 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
2W06G onsemi 2W06G -
RFQ
 ECAD 4827 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, wob 2w06 기준 WOB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
2KBP04M onsemi 2kbp04m -
RFQ
 ECAD 1825 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP04 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2KBP04MFS 귀 99 8541.10.0080 30 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
2KBP06M onsemi 2kbp06m -
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP06 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2KBP06MFS 귀 99 8541.10.0080 30 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
2W10G onsemi 2W10g -
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, wob 2W10 기준 WOB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
3N249 onsemi 3N249 -
RFQ
 ECAD 8188 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3N24 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 v 1.5 a 단일 단일 400 v
3N250 onsemi 3N250 -
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3N25 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
3N256 onsemi 3N256 -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3N25 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
3N257 onsemi 3N257 -
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3N25 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
3N259 onsemi 3N259 -
RFQ
 ECAD 9622 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3N25 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
1N4731A-T50A onsemi 1N4731A-T50A -
RFQ
 ECAD 8113 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4731 1 W. DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
1N4732A onsemi 1N4732A 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4732 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
BZX79C7V5-T50A onsemi BZX79C7V5-T50A 0.0314
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C7 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZX79C8V2 onsemi BZX79C8V2 0.2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C8 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
1N5225B_T50R onsemi 1N5225B_T50R -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5225 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3 v 29 옴
1N5233B_T50R onsemi 1N5233B_T50R -
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5233 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
BZX85C22_T50A onsemi BZX85C22_T50A -
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C22 1 W. DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 15.5 v 22 v 25 옴
BZX85C36 onsemi BZX85C36 -
RFQ
 ECAD 8820 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C36 1 W. DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q12315888 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 25 v 36 v 40
1N964B_T50R onsemi 1N964B_T50R -
RFQ
 ECAD 1850 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N964 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 9.9 v 13 v 13 옴
1N5237B_S00Z onsemi 1N5237B_S00Z -
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5237 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
1N5237B_T26A onsemi 1N5237B_T26A -
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5237 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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