SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SG-8101CB 12.9600M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 12.9600M-TBGSA0 1.8746
RFQ
ECAD 6895 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 12.96 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB12.9600M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
DSC1123AI2-135.0000 Microchip Technology DSC1123AI2-135.0000 -
RFQ
ECAD 7597 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1123 135 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
AX5PBF2-960.0000C Abracon LLC AX5PBF2-960.0000C -
RFQ
ECAD 2521 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX5 조각 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 960 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 활성화/비활성화 110ma 결정 ± 20ppm - 100ma
SIT3372AC-2B2-33NH184.320000 SiTime SIT3372AC-2B2-33NH184.320000 13.0000
RFQ
ECAD 4009 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 184.32 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 170ppm - -
AX7MAF1-1000.0000C Abracon LLC AX7MAF1-1000.0000C -
RFQ
ECAD 1642 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 조각 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 1GHz CML 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 68ma 결정 ± 25ppm - 67ma
DSC6101CI1A-024.0000 Microchip Technology DSC6101CI1A-024.0000 -
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
AX7PBF3-1966.0800 Abracon LLC AX7PBF3-1966.0800 -
RFQ
ECAD 4980 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 1.96608 GHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 94ma 결정 ± 25ppm - 86MA
AX5MAF1-699.5175T Abracon LLC AX5MAF1-699.5175T -
RFQ
ECAD 7180 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 699.5175 MHz CML 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 85MA 결정 ± 20ppm - 85MA
FO5HSKBM8.0-T1 Fox Electronics FO5HSKBM8.0-T1 -
RFQ
ECAD 8779 0.00000000 폭스 폭스 장치 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 631-FO5HSKBM8.0-T1TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
25QHTF57-28.63708-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-28.63708-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.63708 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-28.63708-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3373AC-1B2-33NZ614.400000 SiTime SIT3373AC-1B2-33NZ614.400000 13.0000
RFQ
ECAD 1069 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 614.4 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 1570ppm -
SIT3372AC-4B9-33NG10.000000 SiTime SIT3372AC-4B9-33NG10.000000 10.9200
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 10MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 110ppm - -
SIT3372AC-1E2-30NE10.240000 SiTime SIT3372AC-1E2-30NE10.240000 13.0100
RFQ
ECAD 5347 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 10.24 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 70ppm - -
AMPMGEB-8.1920 Abracon LLC AMPMGEB-8.1920 -
RFQ
ECAD 2958 0.00000000 Abracon LLC AMPM 대부분 sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.192 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - 160µA
634P15554I3T CTS-Frequency Controls 634p15554i3t 3.8418
RFQ
ECAD 9694 0.00000000 cts- 제어 주파수 634p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 155.52 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 25ppm - - 22MA
SIT3373AC-4E2-33NZ250.000000 SiTime SIT3373AC-4E2-33NZ250.000000 13.0100
RFQ
ECAD 1975 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 250MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 1570ppm -
SIT3372AC-2E3-30NH76.800000 SiTime SIT3372AC-2E3-30NH76.800000 9.9000
RFQ
ECAD 4287 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 76.8 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 145ppm - -
SIT3372AC-4E9-25NE148.425750 SiTime SIT3372AC-4E9-25NE148.425750 10.9200
RFQ
ECAD 3286 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 148.42575 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 60ppm - -
SIT1602BI-72-XXE-60.000000 SiTime SIT1602BI-72-XXE-60.000000 1.4100
RFQ
ECAD 4925 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
18QHTF32-13.42422-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-13.42422-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.42422 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-13.42422-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
QMQF576D33-2.5B-25.99845 Mercury United Electronics, Inc. QMQF576D33-2.5B-25.99845 35.7500
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 25.99845 MHz LVD 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF576D33-2.5B-25.99845 귀 99 8541.60.0050 3 - 26MA (유형) 결정 ± 2.5ppm - -
SIT3373AI-2E2-28NY491.520000 SiTime SIT3373AI-2E2-28NY491.520000 13.2900
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 491.52 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 770ppm -
SIT3373AI-4E2-33NB625.000000 SiTime SIT3373AI-4E2-33NB625.000000 13.2900
RFQ
ECAD 5346 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 625 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 20ppm -
18QHTF21-21.616-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-21.616-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 21.616 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-21.616-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BI-73-33S-60.000000 SiTime SIT1602BI-73-33S-60.000000 1.2900
RFQ
ECAD 5530 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
SIT3372AI-4B2-25NH200.000000 SiTime SIT3372AI-4B2-25NH200.000000 13.2900
RFQ
ECAD 7693 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 200MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 170ppm - -
565DFA45M1500ABG Skyworks Solutions Inc. 565DFA45M1500ABG 9.9878
RFQ
ECAD 9367 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI565 조각 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.056 "(1.43mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 565dfa 45.15 MHz CML 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 167ma 결정 ± 20ppm ± 20ppm - -
MO-9000AE-7K-EE-16M0000000 Microchip Technology MO-9000AE-7K-EE-16M0000000 -
RFQ
ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
SIT3373AC-2E3-33NG345.600000 SiTime SIT3373AC-2E3-33NG345.600000 9.9000
RFQ
ECAD 9337 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 345.6 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 95ppm -
SIT3373AC-1B9-28NG614.000000 SiTime SIT3373AC-1B9-28NG614.000000 10.9200
RFQ
ECAD 6694 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 614 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 110ppm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고