SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
QMQF576D25-2.5B-22.000 Mercury United Electronics, Inc. QMQF576D25-2.5B-22.000 35.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 22MHz LVD 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF576D25-2.5B-22.000 귀 99 8541.60.0050 3 - 23MA (유형) 결정 ± 2.5ppm - -
25QHTF53-13.544-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-13.544-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.544 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-13.544-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
FCO7C049376A3CEI00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited fco7c049376a3cei00 0.6105
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-7C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.62 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-fco7c049376a3cei00tr 귀 99 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 30ppm - - -
DSC1103AI5-250.0000 Microchip Technology DSC1103AI5-250.0000 5.4300
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1103 250MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
SG-8018CE 35.6000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 35.6000M-TJHPA0 0.5909
RFQ
 ECAD 4088 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 35.6 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CE35.6000M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
3QHTF57-116.500-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-116.500-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 116.5 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-116.500-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
25QHTF32-128.067-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-128.067-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 128.067 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-128.067-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
SIT3373AI-1B2-28NG364.800000 SiTime SIT3373AI-1B2-28NG364.800000 13.2900
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 364.8 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 120ppm -
DSC6011CI2A-024.0000 Microchip Technology DSC6011CI2A-024.0000 -
RFQ
 ECAD 6825 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
SIT8209AC-83-33S-148.500000 SiTime SIT8209AC-83-33S-148.500000 2.6000
RFQ
 ECAD 6536 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 148.5 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 36MA MEMS ± 50ppm - -
581EN36005ITT CTS-Frequency Controls 581en36005itt 17.3089
RFQ
 ECAD 1608 0.00000000 cts- 제어 주파수 581 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 36 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 110-581en36005itttr 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 9.5MA 결정 ± 500ppb - - 10µA
18QHTF22-26.384-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-26.384-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26.384 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-26.384-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
XLL72V200.000000X Renesas Electronics America Inc XLL72V200.000000X 1.6110
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO xll72v 200MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XLL72V200.000000XTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 34ma 결정 - - - -
SIT9365AI-2E2-33E98.304000 SiTime SIT9365AI-2E2-33E98.304000 13.2900
RFQ
 ECAD 5651 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 98.304 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 25ppm - -
520L26005CTR CTS-Frequency Controls 520L26005ctr 1.9416
RFQ
 ECAD 7542 0.00000000 cts- 제어 주파수 520 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 26 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 2.5MA 결정 ± 500ppb - - -
510KBA16M0000BAG Skyworks Solutions Inc. 510KBA16M0000 백 3.3582
RFQ
 ECAD 1810 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.050 "(1.28mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 510KBA 16MHz CMOS 1.8V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 25ppm - - 18MA
QMQF326P33-2.5B-644.53125 Mercury United Electronics, Inc. QMQF326P33-2.5B-644.53125 33.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 644.53125 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF326P33-2.5B-644.53125 귀 99 8541.60.0050 3 - 51MA (유형) 결정 ± 2.5ppm - -
25QHTF53-16.357-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-16.357-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.357 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-16.357-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8018CB 49.3600M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 49.3600M-TJHSA0 0.6363
RFQ
 ECAD 3023 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.36 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CB49.3600M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
18QHTF22-31.200-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-31.200-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 31.2 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-31.200-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
358L2500B5C3T CTS-Frequency Controls 358L2500B5C3T 2.7925
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 cts- 제어 주파수 358p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 250MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 25ppm ± 50ppm - 22MA
SIT8208AC-G2-25E-3.570000X SiTime SIT8208AC-G2-25E-3.570000X 1.8340
RFQ
 ECAD 4743 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 3.57 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
SG-8101CE 99.9925M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 99.9925M-TCHSA0 0.7449
RFQ
 ECAD 3339 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 99.9925 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE99.9925M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
ASV-33.333MHZ-E-T Abracon LLC ASV-33.333MHz-et 0.8012
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 Abracon LLC ASV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 100ppm - 10µA
595AB155M520DG Skyworks Solutions Inc. 595AB155M520DG 10.3100
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI595 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 595AB 155.52 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 135ma 결정 ± 20ppm ± 160ppm - 75MA
SIT3372AC-1E2-33NU70.656000 SiTime SIT3372AC-1E2-33NU70.656000 13.0100
RFQ
 ECAD 4236 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 70.656 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 3170ppm - -
SIT1602BC-11-XXS-75.000000 SiTime SIT1602BC-11-XXS-75.000000 1.4800
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SIT8225AC-33-33E-25.000000 SiTime SIT8225AC-33-33E-25.000000 1.8200
RFQ
 ECAD 9195 0.00000000 시민 SIT8225 조각 새로운 새로운 아닙니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 50ppm - - 31MA
SIT3372AI-1E2-30NZ96.000000 SiTime SIT3372AI-1E2-30NZ96.000000 11.0100
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 96 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT1602BC-73-18S-74.175824 SiTime SIT1602BC-73-18S-74.175824 1.2600
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.175824 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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