SIC
close

발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT8208AC-83-18S-16.367667 SiTime SIT8208AC-83-18S-16.367667 2.6000
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.367667 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 50ppm - -
SIT3372AC-2B3-28NC184.320000 SiTime SIT3372AC-2B3-28NC184.320000 9.9000
RFQ
 ECAD 3541 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 184.32 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm - - -
521L50025ITR CTS-Frequency Controls 521L50025IT 1.9416
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 cts- 제어 주파수 521 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 521 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-521L50025IT 귀 99 8541.60.0060 3,000 대기 (다운 전원) 10MA 결정 ± 2.5ppm - - 10µA
3QHTF32-93.200-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-93.200-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 93.2 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-93.200-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CA 127.7940M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 127.7940M-TBGSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 127.794 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA127.7940M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
VMQF326T33-83.330-1.0/-40+85 Mercury United Electronics, Inc. VMQF326T33-83.330-1.0/-40+85 35.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 83.33 MHz CMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 2425-VMQF326T33-83.330-1.0/-40+85 귀 99 8541.60.0060 3 진폭 진폭 29ma (유형) 결정 ± 1ppm ± 8ppm - 18MA (유형)
3QHTF57-32.2123-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-32.2123-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.2123 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-32.2123-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
353TB5A600T CTS-Frequency Controls 353TB5A600T 3.9627
RFQ
 ECAD 3831 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 60 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 60MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
CA50P15552GNR CTS-Frequency Controls CA50P15552GNR 4.2041
RFQ
 ECAD 8508 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA50P 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CA50 155.52 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 110-CA50P15552GNRTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 80ma 결정 ± 100ppm - - 15µA
SIT9365AC-1B3-33E160.000000 SiTime SIT9365AC-1B3-33E160.000000 9.9000
RFQ
 ECAD 1093 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 160MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 50ppm - -
3QHTF22-33.600-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-33.600-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.6 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-33.600-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CG 81.0000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 81.0000M-TBGPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 81 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG81.0000M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT3373AI-2B9-25NE256.000000 SiTime SIT3373AI-2B9-25NE256.000000 9.2900
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 256 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 60ppm -
SIT3372AC-2E2-33NY156.250000 SiTime SIT3372AC-2E2-33NY156.250000 13.0100
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 156.25 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
SG-8101CA 41.6600M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 41.6600M-TCHPA0 1.6842
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 41.66 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA41.6600M-TCHPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
3QHTF57-25.200-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-25.200-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.2 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-25.200-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
AX5PAF3-915.0000C Abracon LLC AX5PAF3-915.0000C -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX5 조각 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 915 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 활성화/비활성화 110ma 결정 ± 20ppm - 100ma
CA70C33E3HNT CTS-Frequency Controls CA70C33E3HNT 1.4778
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA70 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz HCMOS, TTL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - 10µA
SIT3372AC-2B2-25NC148.350000 SiTime SIT3372AC-2B2-25NC148.350000 13.0000
RFQ
 ECAD 7396 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.35 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm - - -
SIT1618BE-23-33E-20.000000 SiTime SIT1618BE-23-33E-20.000000 3.3100
RFQ
 ECAD 8912 0.00000000 시민 SIT1618 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.7ma MEMS ± 50ppm - -
356P540B3I3T CTS-Frequency Controls 356P540B3I3T 2.7700
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 cts- 제어 주파수 356p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.073 "(1.85mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 54 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 50ppm ± 50ppm - 22MA
SIT1602BI-21-18E-4.096000 SiTime SIT1602BI-21-18E-4.096000 1.5000
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 20ppm - -
SIT1602BI-82-25E-31.250000 SiTime SIT1602BI-82-25E-31.250000 1.5000
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 31.25 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.2MA MEMS ± 25ppm - -
SIT1602BI-33-33E-33.333300 SiTime SIT1602BI-33-33E-33.333300 1.1800
RFQ
 ECAD 2569 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3333 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
SIT3373AI-4B2-28NH250.000000 SiTime SIT3373AI-4B2-28NH250.000000 11.1100
RFQ
 ECAD 6026 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 250MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 170ppm -
M8S43TAJ 32.000000 MtronPTI M8S43TAJ 32.000000 46.4300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Mtronpti M8 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.560 "LX 0.385"W (14.22mm x 9.78mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 32 MHz HCMOS, TTL 3.3v 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3655-M8S43TAJ32.000000 귀 99 8542.31.0000 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - - -
SG-8101CG 64.0128M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 64.0128M-TCHSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 64.0128 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG64.0128M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SG-8101CA 10.0250M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 10.0250M-TCHPA0 1.6842
RFQ
 ECAD 3471 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10.025 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA10.0250M-TCHPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
SG-8101CG 100.0025M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 100.0025M-TBGPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 100.0025 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG100.0025M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
25QHTF22-150.410-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-150.410 -OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 150.41 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-150.410-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다