SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SIT3372AI-4B3-25NH155.520000 SiTime SIT3372AI-4B3-25NH155.520000 10.1900
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 155.52 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 145ppm - -
SIT9365AC-2B2-33N166.666666 SiTime SIT9365AC-2B2-33N166.666666 12.8700
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 166.666666 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm - -
SIT3372AI-2E3-30NU76.800000 SiTime SIT3372AI-2E3-30NU76.800000 10.2000
RFQ
ECAD 9124 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 76.8 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 3145ppm - -
SIT3372AI-2E2-30NY156.250000 SiTime SIT3372AI-2E2-30NY156.250000 13.2900
RFQ
ECAD 3397 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 156.25 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
SIT3373AC-1B3-33NY540.000000 SiTime SIT3373AC-1B3-33NY540.000000 9.9000
RFQ
ECAD 1159 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 540MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 745ppm -
SIT8208AI-81-18S-65.000000 SiTime SIT8208AI-81-18S-65.000000 3.5100
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 20ppm - -
SIT5155AI-FK-25VT-40.000000 SiTime SIT5155AI-FK-25VT-40.000000 51.5800
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 시민 SIT5155, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 vctcxo 40MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 500ppb ± 6.25ppm -
AMPMGEC-22.0000T Abracon LLC AMPMGEC-22.0000T -
RFQ
ECAD 3666 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 22MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - -
DSC1001DL2-061.2500 Microchip Technology DSC1001DL2-061.2500 -
RFQ
ECAD 7084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 61.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS - ± 25ppm - 15µA
SIT3373AI-2E3-25NG223.000000 SiTime SIT3373AI-2E3-25NG233.000000 10.2000
RFQ
ECAD 7717 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 223 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 95ppm -
SIT3373AC-4B9-30NY500.000000 SiTime SIT3373AC-4B9-30NY500.000000 10.9200
RFQ
ECAD 8705 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 500MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 760ppm -
DSC1103CE5-100.0000 Microchip Technology DSC1103CE5-100.0000 -
RFQ
ECAD 1042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
ASTMHTFL-12.288MHZ-XC-E-T3 Abracon LLC ASTMHTFL-1288MHZ-XC-E-T3 -
RFQ
ECAD 3625 0.00000000 Abracon LLC astmht 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 50ppm - -
DSA6301JL3AB-054.0000VAO Microchip Technology DSA6301JL3AB-054.0000VAO -
RFQ
ECAD 1461 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6301 54 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA6301JL3AB-054.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
FD7770005 Diodes Incorporated FD7770005 -
RFQ
ECAD 6407 0.00000000 다이오드가 다이오드가 Saronix-Ecera ™ FD 대부분 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 77.76 MHz CMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - 10µA
SIT8208AC-G3-33S-33.330000X SiTime SIT8208AC-G3-33S-33.330000X 1.5750
RFQ
ECAD 4495 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.33 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 50ppm - - 70µA
SIT8209AC-32-28S-156.257812 SiTime SIT8209AC-32-28S-156.257812 3.1100
RFQ
ECAD 7929 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 156.257812 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 36MA MEMS ± 25ppm - -
VT-807-FFE-256C-26M0000000 Microchip Technology VT-807-FFE-256C-26M0000000 -
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-807 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 26 MHz 사인파를 사인파를 3V - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 진폭 진폭 2MA 결정 ± 2.5ppm ± 10ppm - -
25QHM572C0.5-33.600 Mercury United Electronics, Inc. 25QHM572C0.5-33.600 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 33.6 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHM572C0.5-33.600 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드
SIT3372AC-1E2-33NE161.132810 SiTime SIT3372AC-1E2-33NE161.132810 13.0100
RFQ
ECAD 9548 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 161.13281 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 70ppm - -
SIT1602BI-72-25E-40.000000 SiTime SIT1602BI-72-25E-40.000000 1.4100
RFQ
ECAD 3522 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.2MA MEMS ± 25ppm - -
SIT3373AI-4B9-25NC345.600000 SiTime SIT3373AI-4B9-25NC345.600000 11.2100
RFQ
ECAD 7166 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 345.6 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm - -
SIT3373AC-4B9-33NE614.000000 SiTime SIT3373AC-4B9-33NE614.000000 8.9700
RFQ
ECAD 1618 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 614 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 60ppm -
SIT5356AICFN-30E0-16.368000 SiTime SIT5356AICFN-30E0-16.368000 77.2900
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 시민 SIT5356, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 16.368 MHz 사인파를 사인파를 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 250ppb - -
SIT3372AC-1B2-33NZ156.250000 SiTime SIT3372AC-1B2-33NZ156.250000 13.0000
RFQ
ECAD 5538 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 156.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 1570ppm - -
545CAA153M600BBG Skyworks Solutions Inc. 545CAA153M600BBG -
RFQ
ECAD 4875 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI545 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.052 "(1.33mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 545CAA 153.6 MHz CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 127ma 결정 ± 20ppm - - 112MA
SIT3373AC-2E9-25NB614.400000 SiTime SIT3373AC-2E9-25NB614.400000 10.9200
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 614.4 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 10ppm -
SIT3372AI-4E3-28NH140.000000 SiTime SIT3372AI-4E3-28NH140.000000 10.2000
RFQ
ECAD 3175 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 140MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 145ppm -
SIT3372AI-4B2-33NB30.720000 SiTime SIT3372AI-4B2-33NB30.720000 11.1100
RFQ
ECAD 1737 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 30.72 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 20ppm - -
3QHTF53-11.289-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-11.289-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.289 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-11.289-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고