SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SIT1602BI-72-XXE-66.666600 SiTime SIT1602BI-72-XXE-66.666600 1.4100
RFQ
ECAD 7156 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.6666 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT9375AE-04P1-3310-50.000000E SiTime SIT9375AE-04P1-3310-50.000000E 8.5465
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 시민 SIT9375 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9375 50MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT9375AE-04P1-3310-50.000000etr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38ma MEMS ± 20ppm - - -
SIT1602BC-12-XXS-26.000000 SiTime SIT1602BC-12-XXS-26.000000 1.3800
RFQ
ECAD 8924 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
579L270IAT CTS-Frequency Controls 579L270iat -
RFQ
ECAD 4744 0.00000000 cts- 제어 주파수 579 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 vctcxo 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 280ppb - -
AMJMGGL-84.0000T3 Abracon LLC AMJMGGL-84.0000T3 -
RFQ
ECAD 1594 0.00000000 Abracon LLC AMJM 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 84 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - 80µA
SIT1602BC-72-33N-66.000000 SiTime SIT1602BC-72-33N-66.000000 1.3800
RFQ
ECAD 6590 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT3372AI-2E3-28NX77.760000 SiTime SIT3372AI-2E3-28NX77.760000 10.2000
RFQ
ECAD 5391 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 77.76 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 345ppm - -
SIT9001AIL13-33S4-6.780000Y SiTime Sit9001ail13-33S4-6.780000y -
RFQ
ECAD 4196 0.00000000 시민 SIT9001 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) xo (표준) SIT9001 6.78 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 1 대기 (다운 전원) MEMS ± 50ppm - -2.00%,, 스프레드
SG-8018CG 8.7040M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 8.7040M-TJHPA0 0.5606
RFQ
ECAD 3429 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.704 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG8.7040M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
570ACB001713DGR Skyworks Solutions Inc. 570ACB001713DGR 32.7496
RFQ
ECAD 7724 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI570 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 570ACB 325MHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 130ma 결정 ± 7ppm - -
SG-8018CE 144.5750M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 144.5750M-TJHPA0 0.5909
RFQ
ECAD 1312 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 144.575 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CE144.5750M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SVC75C3A07B2-125.000M Suntsu Electronics, Inc. SVC75C3A07B2-125.000M 0.4800
RFQ
ECAD 5869 0.00000000 Suntsu Electronics, Inc. SVC75C 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 125MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2388-SVC75C3A07B2-125.000m 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 50ppm ± 100ppm - -
18QHTF21-2.400-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-2.400-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.4 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-2.400-PD 귀 99 8541.60.0030 5 대기 (다운 전원) 21ma 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BI-33-28S-48.000000 SiTime SIT1602BI-33-28S-48.000000 1.1800
RFQ
ECAD 6061 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
3QHM53D1.0-32.000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM53D1.0-32.000 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 32 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM53D1.0-32.000 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - -1.00%, 00 확산
SIT3372AI-4E9-30NU125.000000 SiTime SIT3372AI-4E9-30NU125.000000 11.2200
RFQ
ECAD 1759 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 125MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 3160ppm -
SIT9001AI-13-33S5-6.780000Y SiTime SIT9001AI-13-33S5-6.780000Y -
RFQ
ECAD 4957 0.00000000 시민 SIT9001 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9001 6.78 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 1 대기 (다운 전원) MEMS ± 50ppm - -1.00%, 00 확산
500DCAC160M000ACFR Skyworks Solutions Inc. 500DCAC160M000ACFR -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Si500D 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 500dca 160MHz LVD 3.3v 다운로드 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.5MA 결정 ± 10ppm - - 1.9ma
353NB6A343R CTS-Frequency Controls 353NB6A343R -
RFQ
ECAD 9212 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 60 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 34.368 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 20ppm - -
SIT3373AC-1E9-28NY270.000000 SiTime SIT3373AC-1E9-28NY270.000000 10.9200
RFQ
ECAD 2076 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 270 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 760ppm -
SIT3373AC-1E3-25NG256.000000 SiTime SIT3373AC-1E3-25NG256.000000 9.9000
RFQ
ECAD 5431 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 256 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 95ppm -
SIT3372AC-4B2-30NE125.000000 SiTime SIT3372AC-4B2-30NE125.000000 13.0000
RFQ
ECAD 3892 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 125MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 70ppm - -
SIT1602BC-71-28E-12.000000 SiTime SIT1602BC-71-28E-12.000000 1.4800
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SIT3372AC-1E9-28NE155.520000 SiTime SIT3372AC-1E9-28NE155.520000 10.9200
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 155.52 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 35ppm ± 60ppm - -
VCC1-B3D-26M0000000 Microchip Technology VCC1-B3D-26M0000000 -
RFQ
ECAD 6091 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
SG-531PCW 45.0000MB: ROHS EPSON SG-531PCW 45.0000MB : ROHS -
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 엡슨 SG-531PCW 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.539 "LX 0.260"W (13.70mm x 6.60mm) 0.209 "(5.30mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기) xo (표준) 45MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 35 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - 16MA
DSC1001BI2-011.0592 Microchip Technology DSC1001BI2-011.0592 -
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 11.0592 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 25ppm - 15µA
25QHTF57-37.1249-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-37.1249-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.1249 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-37.1249-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
514JAA000112BAGR Skyworks Solutions Inc. 514JAA000112BAGR 10.9459
RFQ
ECAD 1141 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI514 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 514Jaa 10MHz LVD 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602AI-13-33E-33.333000 SiTime SIT1602AI-13-33E-33.333000 1.2900
RFQ
ECAD 2975 0.00000000 시민 SIT1602 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고