SIC
close

발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
HSM536-20.0000 Connor Winfield HSM536-20.0000 -
RFQ
 ECAD 7923 0.00000000 코너 코너 HSM536 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.435 "L x 0.250"W (11.05mm x 6.35mm) 0.105 "(2.67mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz HCMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 CW323 귀 99 8542.39.0001 25 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 100ppm - -
AX7DAF1-915.0000T Abracon LLC Ax7daf1-915.0000t 12.0461
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 915 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 25ppm - 65MA
SIT3373AI-1B9-28NH622.080000 SiTime SIT3373AI-1B9-28NH622.080000 11.2100
RFQ
 ECAD 7661 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 622.08 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 160ppm -
SIT5156AI-FA-33N0-16.367667 SiTime SIT5156AI-FA-33N0-16.367667 44.2900
RFQ
 ECAD 1663 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO SIT5156 16.367667 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 53MA MEMS ± 1ppm - - -
SG-8101CB 28.1250M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 28.1250M-TBGPA0 1.8746
RFQ
 ECAD 6631 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 28.125 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB28.1250M-TBGPA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SG-8101CA 50.1867M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 50.1867M-TBGSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 50.1867 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA50.1867M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
SIT3373AI-1B2-30NY345.600000 SiTime SIT3373AI-1B2-30NY345.600000 13.2900
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 345.6 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 770ppm -
510CCA48M0000CAGR Skyworks Solutions Inc. 510CCA48M0000CAGR 3.7075
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz CMOS 3.3v 다운로드 2 (1 년) 863-510CCA48M0000CAGRTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 20ppm - - 18MA
SIT1602BI-83-XXS-24.000000 SiTime SIT1602BI-83-XXS-24.000000 1.1800
RFQ
 ECAD 8198 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
VMQF576D33-62.500-1.0/-40+85 Mercury United Electronics, Inc. VMQF576D33-62.500-1.0/-40+85 37.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 62.5 MHz LVD 3.3v 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 2425-VMQF576D33-62.500-1.0/-40+85 귀 99 8541.60.0060 3 진폭 진폭 26MA (유형) 결정 ± 1ppm ± 8ppm - 18MA (유형)
SIT1602BI-23-18S-26.000000 SiTime SIT1602BI-23-18S-26.000000 1.2900
RFQ
 ECAD 8424 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 50ppm - -
SIT3373AC-2B9-28NE250.000000 SiTime SIT3373AC-2B9-28NE250.000000 10.9200
RFQ
 ECAD 5525 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 250MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 60ppm -
SG-8101CA 62.8600M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 62.8600M-TBGPA0 1.6842
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 62.86 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA62.8600M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
25QHTF22-162.000-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-162.000-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 162 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-162.000-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 50ppm - -
SG-8018CG 23.1040M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 23.1040M-TJHPA0 0.5606
RFQ
 ECAD 1363 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 23.104 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG23.1040M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
3QHTF32-8.912-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-8.912-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.912 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-8.912-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 21ma 결정 ± 50ppm - -
18QHTF22-65.420-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-65.420-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65.42 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-65.420-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AI-2B2-30NG135.000000 SiTime SIT3372AI-2B2-30NG135.000000 13.2900
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 135 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 120ppm - -
SG-8101CE 13.0200M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 13.0200M-TCHPA0 0.7449
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 13.02 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE13.0200M-TCHPA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
SIT8208AC-8F-33E-38.400000T SiTime SIT8208AC-8F-33E-38.400000T 3.7918
RFQ
 ECAD 8801 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SG-8101CB 144.2950M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 144.2950M-TBGPA0 1.8746
RFQ
 ECAD 4935 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 144.295 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB144.2950M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
QVMQF326P33-2.0A-36.600 Mercury United Electronics, Inc. QVMQF326P33-2.0A-36.600 34.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 36.6 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QVMQF326P33-2.0A-36.600 귀 99 8541.60.0050 3 활성화/비활성화 38MA (유형) 결정 ± 2ppm ± 8ppm -
25QHTF22-54.230-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-54.230-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 54.23 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-54.230-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AI-4B3-28NG133.650000 SiTime SIT3372AI-4B3-28NG133.650000 10.1900
RFQ
 ECAD 4174 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 133.65 MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 95ppm - -
SG-8101CG 115.4400M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 115.4400M-TBGPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 9081 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 115.44 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-sg-8101cg115.4400m-tbgpa0tr 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
25QHTF57-2.480-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-2.480-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.48 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-2.480-PD 귀 99 8541.60.0030 5 대기 (다운 전원) 21ma 결정 ± 50ppm - -
ECX-H23CM-30.000 ECS Inc. ECX-H23CM-30.000 5.8330
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 ECS Inc. ECX-H ECSPRESSCON ™ 대부분 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 25ppm - - -
25QHTF22-4.4544-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-4.4544-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.4544 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-4.4544-OE 귀 99 8541.60.0030 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
ASFLMB-32.000MHZ-LC-T Abracon LLC ASFLMB-32.000MHz-LC-T 2.1600
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 Abracon LLC ASFLMB, Pure Silicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16MA MEMS ± 50ppm - 15µA
ASG-D-V-A-155.520MHZ Abracon LLC ASG-DVA-155.520MHz 9.6800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Abracon LLC ASG-D 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 155.52 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 35ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다