SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
533L27020CTT CTS-Frequency Controls 533L27020CTT 3.1783
RFQ
 ECAD 2902 0.00000000 cts- 제어 주파수 533 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.065 "(1.65mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 533 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-533L27020CTTTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 10MA 결정 ± 2ppm - - 10µA
25QHTF57-27.092008-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-27.092008-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27.092008 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-27.092008-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735002.250000X Renesas Electronics America Inc XLH735002.250000X 1.4696
RFQ
 ECAD 4386 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 2.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CA 112.8960M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 112.8960M-TCHSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 112.896 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA112.8960M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SIT8208AC-G2-33S-60.000000X SiTime SIT8208AC-G2-33S-60.000000X 1.8340
RFQ
 ECAD 9418 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 60MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 25ppm - - 70µA
SIT9375AI-04B3-3310-333.330000E SiTime SIT9375AI-04B3-3310-333.330000E 4.1094
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 시민 SIT9375 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9375 333.33 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT9375AI-04B3-3310-333.330000etr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38ma MEMS ± 50ppm - - -
SIT8208AC-2F-25S-16.368000T SiTime SIT8208AC-2F-25S-16.368000T 3.6149
RFQ
 ECAD 4647 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.368 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
CE3290-66.666600 Crystek Corporation CE3290-66.666600 1.4749
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 Crystek Corporation C3290 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.6666 MHz HCMOS, TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CE3290-66.666600MHz 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 100ppm - -
SIT3372AI-1B2-25NY61.440000 SiTime SIT3372AI-1B2-25NY61.440000 13.2900
RFQ
 ECAD 4389 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 61.44 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
SIT3372AC-4B9-33NC15.360000 SiTime SIT3372AC-4B9-33NC15.360000 10.9200
RFQ
 ECAD 9703 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 15.36 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm - - -
DSC1101AI5-048.0000 Microchip Technology DSC1101AI5-048.0000 -
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 48MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 10ppm - - -
18QHTF32-5.760-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-5.760 -OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 5.76 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-5.760 -OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SIT8920BM-71-33E-100.000000 SiTime SIT8920BM-71-33E-100.000000 25.8800
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 시민 SIT8920B 조각 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.7ma MEMS ± 20ppm - - 4.5MA
653L31255C2T CTS-Frequency Controls 653L31255C2T 15.1891
RFQ
 ECAD 9250 0.00000000 cts- 제어 주파수 653 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 312.5 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - -
ASTMK-4.096KHZ-MP-D14-J-T Abracon LLC ASTMK-4.096KHZ-MP-D14-JT -
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 Abracon LLC ASTMK 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.061 "L x 0.033"W (1.54mm x 0.84mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 4-UFBGA, CSPBGA xo (표준) 4.096 kHz Nanodrive ™ 1.2V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3µA MEMS ± 75ppm - -
25QHTF32-3.183671-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-3.183671-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.183671 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-3.183671-OE 귀 99 8541.60.0030 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
XG-2102CA 156.2500M-LHRNL0 EPSON XG-2102CA 156.2500M-LHRNL0 3.1770
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 엡슨 XG-2102CA 테이프 & tr (TR) 활동적인 -5 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 그래서 (톱) XG-2102CA 156.25 MHz LVD 3.3v 다운로드 114-XG-2102CA156.2500M-LHRNL0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 100ppm - - 15MA
SIT3372AC-4B3-30NZ200.000000 SiTime SIT3372AC-4B3-30NZ200.000000 9.9000
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 200MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 1545ppm - -
ASET-24.000MHZ-R5 Abracon LLC ASET-24.000MHz-R5 -
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 Abracon LLC ASET 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 535-ASET-24.000MHz-R5 쓸모없는 1 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 5ppm - - 10µA
3QHTF57-127.221875-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-127.221875-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 127.221875 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-127.221875-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
SVC75C3B38A2-27.000M Suntsu Electronics, Inc. SVC75C3B38A2-27.000m 3.2500
RFQ
 ECAD 947 0.00000000 Suntsu Electronics, Inc. SVC75C 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 27 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 30ppm ± 150ppm - -
SIT3372AI-2E9-30NC74.250000 SiTime SIT3372AI-2E9-30NC74.250000 11.2200
RFQ
 ECAD 3543 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 74.25 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 40ppm - -
3QHTF21-3.33333-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-3.33333-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.33333 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-3.33333-OE 귀 99 8541.60.0030 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CA 148.3500M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 148.3500M-TBGPA0 1.6842
RFQ
 ECAD 1621 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 148.35 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA148.3500M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT9365AI-1B1-30E166.666666 SiTime SIT9365AI-1B1-30E166.666666 14.0000
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 166.666666 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 20ppm - -
SIT8208AI-8F-18S-38.000000X SiTime SIT8208AI-8F-18S-38.000000X 4.8668
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
18QHTF53-7.654321-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53-7.654321-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 7.654321 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF53-7.654321-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SIT8920BM-12-33S-31.968000 SiTime SIT8920BM-12-33S-31.968000 25.8800
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 시민 SIT8920B 조각 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 31.968 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
DSC6011HI2B-027.0000 Microchip Technology DSC6011HI2B-027.0000 -
RFQ
 ECAD 7020 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI2B-027.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
18QHTF22-1.520-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-1.520-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.52 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-1.520-PD 귀 99 8541.60.0030 5 대기 (다운 전원) 21ma 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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