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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
3QHTF57-49.430-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-49.430 -OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.43 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-49.430 -OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF22-12.688375-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-12.688375-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.688375 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-12.688375-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
CA25C24C2PMT CTS-Frequency Controls CA25C24C2PMT 1.4562
RFQ
ECAD 2067 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA25 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz HCMOS, TTL 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 100ppm - - 10µA
25QHTF53-54.250-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-54.250 -OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 54.25 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-54.250-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF32-100.100-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-100.100-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100.1 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-100.100-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
8NJ-1.8432MDE-T TXC CORPORATION 8NJ-1.8432MDE-T 1.3600
RFQ
ECAD 500 0.00000000 TXC Corporation 8nj 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.033 "(0.83mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.8432 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - - 18MA
VCC1-E3C-23M0400000 Microchip Technology VCC1-E3C-23M0400000 -
RFQ
ECAD 8260 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 23.04 MHz CMOS 5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-E3C-23M0400000tr 귀 99 8542.39.0001 10 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 100ppm - - 30µA
SIT3372AC-4B2-25NZ51.200000 SiTime SIT3372AC-4B2-25NZ51.200000 13.0000
RFQ
ECAD 1404 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 51.2 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 1570ppm - -
18QHTF57-114.240-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-114.240-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 114.24 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-114.240-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
DSC6011MI2B-026.0000 Microchip Technology DSC6011MI2B-026.0000 -
RFQ
ECAD 6569 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-026.0000 귀 99 8542.39.0001 100
3QHTF22-60.925-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-60.925-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60.925 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-60.925-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
525T18415ITR CTS-Frequency Controls 525T18415IT 1.9416
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 cts- 제어 주파수 525 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 525 18.432 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-525T18415IT 귀 99 8541.60.0080 3,000 - 2MA 결정 ± 1.5ppm - - -
ASG-P-V-A-1.000GHZ Abracon LLC ASG-PVA-1.000GHz 15.5600
RFQ
ECAD 2196 0.00000000 Abracon LLC ASG-P 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 1GHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 35ppm - -
SIT8208AC-33-28E-66.666000 SiTime SIT8208AC-33-28E-66.666000 2.4400
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 50ppm - -
353NB5I184R CTS-Frequency Controls 353NB5I184R -
RFQ
ECAD 7482 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 18.432 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
SIT8008AI-71-18E-68.181810 SiTime SIT8008AI-71-18E-68.181810 1.5100
RFQ
ECAD 4442 0.00000000 시민 SIT8008 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 68.18181 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 3.9ma MEMS ± 20ppm - - 3.8ma
SIT3373AI-2E3-33NC622.000000 SiTime SIT3373AI-2E3-33NC622.000000 10.2000
RFQ
ECAD 9928 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 622 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
SIT5156AE-FA-28N0-19.200000 SiTime SIT5156AE-FA-28N0-19.200000 53.1800
RFQ
ECAD 3736 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO SIT5156 19.2 MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 53MA MEMS ± 1ppm - - -
SIT3372AI-2E2-30NX35.328000 SiTime SIT3372AI-2E2-30NX35.328000 13.2900
RFQ
ECAD 5612 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 35.328 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 370ppm - -
3QHTF57-109.260-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-109.260-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 109.26 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-109.260-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
QMQF574T25-2.5B-19.400 Mercury United Electronics, Inc. QMQF574T25-2.5B-199.400 35.7500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 19.4 MHz CMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF574T25-2.5B-199.400 귀 99 8541.60.0050 3 - 17ma (유형) 결정 ± 2.5ppm - -
SIT3372AI-2B9-25NU14.400000 SiTime SIT3372AI-2B9-25NU14.400000 11.2100
RFQ
ECAD 2368 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 14.4 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT5002AI-2E-33S0-98.304000Y SiTime SIT5002AI-2E-33S0-98.304000Y 5.3958
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5002 98.304 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 5ppm - - 70µA
SIT8208AC-2F-28S-50.000000Y SiTime SIT8208AC-2F-28S-50.000000Y 3.6149
RFQ
ECAD 7449 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
25QHTF21-12.7455-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-12.7455-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.7455 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-12.7455-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CE 50.3767M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 50.3767M-TCHSA0 0.7449
RFQ
ECAD 9943 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 50.3767 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE50.3767M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SIT8208AC-21-25S-28.636300 SiTime SIT8208AC-21-25S-28.636300 3.2400
RFQ
ECAD 1821 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.6363 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - -
SIT8209AI-32-28E-133.300000 SiTime SIT8209AI-32-28E-133.300000 3.1700
RFQ
ECAD 3526 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 133.3 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 25ppm - -
DSC1122CE5-048.0020 Microchip Technology DSC1122CE5-048.0020 -
RFQ
ECAD 6026 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 48.002 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
3QHTF32-39.9958-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-39.9958-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 39.9958 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-39.9958-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고