SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
ASGTX-C-156.250MHZ-1-T2 Abracon LLC ASGTX-C-156.250MHZ-1-T2 -
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 Abracon LLC ASGTX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 70 ° C - 0.354 "L x 0.276"W (9.00mm x 7.00mm) 0.088 "(2.24mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 156.25 MHz LVCMOS 3.135V ~ 3.465V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 45MA 결정 ± 1ppm - -
3QHTF22-86.943-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-86.943-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 86.943 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-86.943-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8008BI-81-33N-55.000000 SiTime SIT8008BI-81-33N-55.000000 1.6000
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 시민 SIT8008B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 55MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 20ppm - - -
SG-8018CA 12.3000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 12.3000M-TJHPA0 0.7121
RFQ
 ECAD 6154 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.3 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA12.3000M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SG-8101CB 6.7580M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 6.7580M-TCHSA0 1.8746
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 6.758 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB6.7580M-TCHSA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SIT1602BI-81-XXE-6.000000 SiTime SIT1602BI-81-XXE-6.000000 1.6000
RFQ
 ECAD 8167 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SG-310SCF 10.0000ML0 EPSON SG-310SCF 10.0000ml0 -
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 엡슨 SG-310 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 2.5MA 결정 ± 50ppm - 2µA
QVMQF326P25-2.0A-37.125 Mercury United Electronics, Inc. QVMQF326P25-2.0A-37.125 34.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 37.125 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QVMQF326P25-2.0A-37.125 귀 99 8541.60.0050 3 활성화/비활성화 30MA (유형) 결정 ± 2ppm ± 8ppm -
ECX-P37BN-1000.000 ECS Inc. ECX-P37BN-1000.000 6.4640
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 ECS Inc. ECX-P ECSPRESSCON ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 1GHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10 활성화/비활성화 68ma 결정 ± 50ppm - - -
25QHM53C1.0-109.620 Mercury United Electronics, Inc. 25QHM53C1.0-109.620 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 109.62 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHM53C1.0-109.620 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - ± 1.00%, 00 스프레드
SG-8018CA 73.7500M-TJHSA0 EPSON SG-8018CA 73.7500M-TJHSA0 0.7121
RFQ
 ECAD 9081 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 73.75 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA73.7500M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
3QHTF22-13.234375-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-13.234375-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.234375 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-13.234375-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF32-25.0002-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-25.0002-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.0002 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-25.0002-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF57-33.334-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-33.334-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.334 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-33.334-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF32-56.650-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-5650 -OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 56.65 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-5650-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
3QHM53D4.0-120.000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM53D4.0-120.000 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 120MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM53D4.0-120.000 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - -4.00%,, 스프레드
SIT3373AI-4B9-25NU245.760000 SiTime SIT3373AI-4B9-25NU245.760000 11.2100
RFQ
 ECAD 5871 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 245.76 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 3160ppm -
SIT3372AC-2B2-33NB51.200000 SiTime SIT3372AC-2B2-33NB51.200000 13.0000
RFQ
 ECAD 2585 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 51.2 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 20ppm - -
3QHTF22-100.100-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-100.100-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100.1 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-100.100-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AI-2E9-25NH51.200000 SiTime SIT3372AI-2E9-25NH51.200000 11.2200
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 51.2 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 160ppm - -
SG-8018CG 90.3168M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 90.3168M-TJHPA0 0.5606
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 90.3168 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG90.3168M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
AMPMEGD-48.0000T Abracon LLC AMPMEGD-48.0000T -
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 48MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - 160µA
DSC1122BE1-156.2500 Microchip Technology DSC1122BE1-156.2500 -
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
545CCA36M0000CCG Skyworks Solutions Inc. 545CCA36M0000CCG 13.1916
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI545 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 36 MHz CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 863-545CCA36M0000CCG 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 127ma 결정 ± 7ppm - - 112MA
SIT8208AI-G2-33E-8.192000T SiTime SIT8208AI-G2-33E-8.192000T 1.5215
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 8.192 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
QVMQF576P25-2.5B-30.000 Mercury United Electronics, Inc. QVMQF576P25-2.5B-30.000 35.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 30MHz lvpecl 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QVMQF576P25-2.5B-30.000 귀 99 8541.60.0050 3 활성화/비활성화 30MA (유형) 결정 ± 2.5ppm ± 8ppm - 18MA (유형)
530CB14M7456DGR Skyworks Solutions Inc. 530cb14m7456dgr 10.3929
RFQ
 ECAD 2678 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI530 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 530cb 14.7456 MHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 20ppm - - 75MA
X9M466500L001 Abracon LLC X9M466500L001 -
RFQ
 ECAD 7532 0.00000000 Abracon LLC - 대부분 쓸모없는 - 535-x9M466500L001 귀 99 8541.60.0080 1
SIT9365AC-4E3-28N74.250000 SiTime SIT9365AC-4E3-28N74.250000 9.9000
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 74.25 MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
25QHTF53-50.4067-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-50.4067-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.4067 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-50.4067-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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